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31.
采用人工神经网络技术分析了DHP40-4型离心式压缩机辐射噪声声功率级及其噪声频谱分布规律,应用模拟退火算法对压缩机噪声最大值进行了预测,结果表明该型压缩机噪声最大值在2000Hz附近。 相似文献
32.
为了研究不同F覆盖度下石墨烯吸附体系的电子结构和光学性能,采用第一性原理对本征石墨烯和石墨烯吸附体系进行了几何优化,计算并分析了各体系的吸附能、能带结构、电子态密度、光吸收系数与反射率.结果表明,F原子稳定吸附在石墨烯的顶位,当F覆盖度为6.2%时,体系吸附能最大.F原子的吸附打开了石墨烯的能隙,使其由半金属型转变为半导体型.当F覆盖度为3.1%时,体系能隙值最大.与本征石墨烯相比,石墨烯吸附体系在费米能级处的电子态密度值增大,当F覆盖度为9.4%时,可以获得最大态密度值.石墨烯吸附体系的光吸收系数和反射率峰值相比本征石墨烯均明显减小,且F覆盖度越大,峰值减小程度越显著.在一定波长范围内吸附体系的吸收系数和反射率均出现蓝移现象. 相似文献
33.
本文用LCAO-Recursion方法研究了应变层超晶格(SLS)(Ge)n/(Si)n(n=1,2)的电子结构。计算了超晶格体内和表面Ge、Si的局域和分波态密度及其原子价。讨论了不同的n对(Ge)n/(Si)nSLS电子结构的影响。我们发现超晶格表面存在表面态,表面退杂化。电子在超晶格界面处发生转移,并随n的不同,转移量不同。 相似文献
34.
根据位错理论建立了Si中纯净及掺杂60°位错模型,利用Recursion方法计算了Si中纯净及掺杂60°位错这种典型环境下的能量和电子结构,由此得出:N、O杂质在位错区比在非位错区更稳定,且O优先偏聚于位错,不过当O含量不高时,N、O可以同时偏聚于位错;在位错芯处原子除受近邻Si原子的作用外,还要受到杂质原子的钉扎作用,且N 的这种作用比O强,这就从电子理论上解释了掺杂适量的氮可以提高Si的强度和抗翘曲度的事实. 相似文献
35.
36.
37.
杂质对硅单晶机械性能影响的电子理论研究 总被引:6,自引:0,他引:6
根据位错理论建立了Si中纯净及掺杂60°位错模型,利用Recursion方法计算了Si中纯净及掺杂60°位错这种典型环境下的能量和电子结构,由此得出:N、O杂质在位错区比在非位错区更稳定,且O优先偏聚于位错,不过当O含量不高时,N、O可以同时偏聚于位错;在位错芯处原子除受近邻Si原子的作用外,还要受到杂质原子的钉扎作用,且N 的这种作用比O强,这就从电子理论上解释了掺杂适量的氮可以提高Si的强度和抗翘曲度的事实. 相似文献
38.
在实验数据的基础上,用人工神经网络建立高Co-Ni二次硬化钢的力学性能预测模型,根据网络的预测结果讨论微量元素Nb、Ti对钢力学性能的影响。结果证明网络的预测同实验基本一致。可见人工神经网络在材料设计方面有广阔的应用前景,它为高性能材料设计提供了新的手段。 相似文献
39.
本文采用基于密度泛函理论的CASTEP模块研究了B/N共掺(5,5)碳纳米管环超晶格的电子结构。形成能计算结果为负值表明,B/N原子对共掺碳纳米管环具有稳定存在的可能性。能带结构和态密度结果表明,B/N原子对的掺入使得(5,5)金属型碳纳米管能隙打开,导电性质向半导体转变。当管径在合理的变化范围内,纯碳纳米管的能隙宽度强烈敏感于管径的变化,而B/N共掺碳纳米管环结构的能隙值随管径的变化较小,这就降低了碳纳米管电子器件的制备要求。对新型结构施加变形作用,压缩变形使得B/N共掺碳纳米管环的能带宽度增大,这相当于提高了碳纳米管的掺杂体积浓度;拉伸变形作用下所得结论恰恰相反。实现控制碳纳米管超晶格结构的导电性能,对纳米管电子器件的应用具有重要意义。 相似文献
40.
Electronic Theoretical Study of the Interaction between Rare Earth Elements and Impurities at Grain Boundaries in Steel 总被引:4,自引:1,他引:3
Rareearths(RE)aresurfaceactiveelements ,theirapplicationsinmetalmaterialscanbesum marizedaspurification ,modificationandall oying[1~ 3 ] .Itisaveryattractivesubjectthattheinter actionofREelementswithlowmeltingpointimpuri tiesintheregionofGBs ,suchasP ,S ,As ,Sbandsoon .ResultsofexperimentsshowthatsegregationinGBsofasmallamountofREinsteelrestrainsharmfulimpuritiessuchasP ,S ,As ,Pb ,Sb ,tosegregateto wardsGBs ,soREelementscancleanseandenhanceGBs ,therebyimprovethehightemperatureducti… 相似文献