杂质对硅单晶机械性能影响的电子理论研究

根据位错理论建立了Si中纯净及掺杂60°位错模型,利用Recursion方法计算了Si中纯净及掺杂60°位错这种典型环境下的能量和电子结构,由此得出:N、O杂质在位错区比在非位错区更稳定,且O优先偏聚于位错,不过当O含量不高时,N、O可以同时偏聚于位错;在位错芯处原子除受近邻Si原子的作用外,还要受到杂质原子的钉扎作用,且N 的这种作用比O强,这就从电子理论上解释了掺杂适量的氮可以提高Si的强度和抗翘曲度的事实.     

杂质对硅单晶机械性能影响的电子理论研究

根据位错理论建立了Si中纯净及掺杂60°位错模型,利用Recursion方法计算了Si中纯净及掺杂60°位错这种典型环境下的能量和电子结构,由此得出:N、O杂质在位错区比在非位错区更稳定,且O优先偏聚于位错,不过当O含量不高时,N、O可以同时偏聚于位错;在位错芯处原子除受近邻Si原子的作用外,还要受到杂质原子的钉扎作用,且N 的这种作用比O强,这就从电子理论上解释了掺杂适量的氮可以提高Si的强度和抗翘曲度的事实.     

碳纳米管超晶格结构能隙的第一性原理研究

本文采用基于密度泛函理论的CASTEP模块研究了B/N共掺(5,5)碳纳米管环超晶格的电子结构。形成能计算结果为负值表明,B/N原子对共掺碳纳米管环具有稳定存在的可能性。能带结构和态密度结果表明,B/N原子对的掺入使得(5,5)金属型碳纳米管能隙打开,导电性质向半导体转变。当管径在合理的变化范围内,纯碳纳米管的能隙宽度强烈敏感于管径的变化,而B/N共掺碳纳米管环结构的能隙值随管径的变化较小,这就降低了碳纳米管电子器件的制备要求。对新型结构施加变形作用,压缩变形使得B/N共掺碳纳米管环的能带宽度增大,这相当于提高了碳纳米管的掺杂体积浓度;拉伸变形作用下所得结论恰恰相反。实现控制碳纳米管超晶格结构的导电性能,对纳米管电子器件的应用具有重要意义。     

Co、Al对二次硬化钢微结构影响的穆谱研究

用穆谱技术研究了Co、Al元素对二次硬化钢微结构的影响,发现Co在二次硬化钢中的分布会影响Ni、Cr、Mo原子在其中的分布;Co、Al都促进奥氏体向马氏体转变,减少残余奥氏体量,都促进合金碳化物的形成,增加其析出量。因此在无Co钢中为提高强度可加入适量的Al元素。     

遗传算法在无钴高强韧钢设计中的应用

提出一种利用残缺实验数据建立无钴高强韧钢力学性能与钢的合金成分及热处理条件关系模型的方法,依据该方法建立了人工神经网络模型,并应用跗算法,对无钴高强韧钢进行了优化设计,实践表明所提出的方法是有效的,为研制新材料开辟了一条新途径。     

Electronic Theoretical Study of the Interaction between Rare Earth Elements and Impurities at Grain Boundaries in Steel

Rareearths(RE)aresurfaceactiveelements ,theirapplicationsinmetalmaterialscanbesum marizedaspurification ,modificationandall oying[1～ 3 ] .Itisaveryattractivesubjectthattheinter actionofREelementswithlowmeltingpointimpuri tiesintheregionofGBs ,suchasP ,S ,As ,Sbandsoon .ResultsofexperimentsshowthatsegregationinGBsofasmallamountofREinsteelrestrainsharmfulimpuritiessuchasP ,S ,As ,Pb ,Sb ,tosegregateto wardsGBs ,soREelementscancleanseandenhanceGBs ,therebyimprovethehightemperatureducti…     

用人工神经网络模型研究微量元素对钢力学性能的影响

在实验数据的基础上 ,用人工神经网络建立高Co -Ni二次硬化钢的力学性能预测模型 ,根据网络的预测结果讨论了微量元素Nb、Ti对钢力学性能的影响 ,结果证明网络的预测同实验基本一致。可见人工神经网络在材料设计方面有广阔的应用前景 ,它为高性能材料设计提供了新的手段     

半导体锗中60°棱位错的电子结构

本文依据位错的弹性理论建立了半导体锗中 6 0°棱位错模型 ,用Recursion方法计算包含与不包含位错时原子团平均态密度、位错芯及其近邻原子的局域态密度、轨道电子数及原子价 ,得出了锗中 6 0°棱位错附近的局域电子结构 ,并讨论了其对锗光学和电学性质的影响。     

ZA27/SiCp颗粒增强复合材料界面特性的研究

用有限元法分析了ZA27/SiC_p颗粒增强复合材料在外加载荷作用下基体与增强相界面应力场及基体内的塑性应变.结果表明：拉伸应力作用下界面法向应力引起极区基体与增强相脱；Von Mises等效应力在极区与赤道区之间的界面处使基体屈服；界面处残余法向应力较高，可能造成界面脱粘.基体内近界面残余切向应力具有抑制裂纹在基体中扩展的趋势.重载时复合材料在高温和高压应力共同作用下，基体发生严重的塑性流变，从而产生大量的横交错裂纹，并使增强相与基体在界面脱粘.     

本征缺陷对（Ge）n／（Si）n应变层超晶格电子结构的影响

本文研究了（Ｇｅ）ｎ／（Ｓｉ）ｎ应变层超晶格（ＳＬＳ）中存在Ｇｅ或Ｓｉ空位时的性质。用Ｒｃｃｕｒｓｉｏｎ［’］方法计算了空位近邻原子的局域态密度（ＬＤＯＳ）和分波态密度（ＰＤＯＳ），计算了超晶格晶胞的总态密度，并得出了各原子的原子价．通过计算我们得出，空位附近原子在带隙中央存在缺陷电子态，空位区形成正电中心，且有空位与没有空位的薄层间存在局域的内建电场。