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钙钛矿太阳能电池(PSCs)的界面接触缺陷是影响其性能的重要因素,会引发迟滞效应从而降低转换效率(PCE)并使器件运行稳定性恶化.界面材料通常被用于消除界面缺陷,然而设计兼具优越电荷传输和缺陷钝化能力的高效界面分子仍然面临挑战.本文研究了四种新型推-拉型富勒烯二聚体DC60–R1–R2 (R1=H或Cl, R2=H或MeO),并将其作为金属氧化物和钙钛矿之间的界面层.这些富勒烯二聚体之间的极性取代基决定了分子间的相互作用, DC60–Cl–MeO由于其吸电子基团(–Cl)与给电子基团(–MeO)之间最强的电子推拉效应,表现出最佳的电荷传输和缺陷钝化能力. DC60–Cl–MeO作为界面材料的未封装平面结构(FAPbI3)x(MAPbBr3)1-x PSC获得最高23.3%的PCE,且无迟滞现象,即使在高湿环境中储存500小时后仍能保持接近100%的初始效率.在一个太阳光强度下,无需任何封装或者惰性气体保护,钙钛矿太阳能电池在最大功率点连续运行的外推T 相似文献
112.
113.
针对传统选择性区域生长叠层双有源区电吸收调制激光器(SAG-DSAL-EML)在高频调制环境下的响应速度问题以及改善其远场发散角特性,文章提出利用掺铁掩埋技术对电吸收调制激光器(EML)结构进行优化,设计了InGaAsP/InP材料1 310 nm掺铁掩埋结构的SAG-DSAL-EML并制作样本芯片,新型SAG-DSAL-EML有源区变为台面结构,并在其两层外延生长掺铁InP层。同时,利用先进激光二极管模拟器(ALDS)软件和高频结构仿真(HFSS)软件对所设计掺铁掩埋结构的EML和调制器进行数值及仿真分析,结果表明,与传统多量子阱结构相比,SAG-DSAL-EML阈值电流减少了13%;与传统脊波导结构相比,掺铁掩埋结构的侧向限制能力提高52%,激光远场横纵角度之差降低了40%,具有更小的远场发散角;与传统PNPN掩埋结构相比,掺铁掩埋结构的调制器在-3 dB的响应带宽提高了约24%。对样本芯片进行测试,试验表明,SAG-DSAL-EML的阈值电流为14.5 mA,边模抑制比(SMSR)为45.64 dB,70 mA注入电流下,电吸收调制器-3 dB的响应带宽为43 GHz,满足高速激... 相似文献