急冷技术在催化裂化中的应用

急冷技术日渐在催化裂化中得到广泛应用,国外技术的应用方式也多种多样。本文将此类技术归纳为上下两种进急冷剂方式,分析了各自的应用目的和效果,并对国内外多家公司的急冷技术进行了评述。建议国内加快研究,开发出自己的专有技术。     

高剂量Ge离子注入直接形成nc-Ge的研究

报道了分别采用剂量为1e1 6 ,1e1 7,5e 1 7和1e1 8cm- 2的高剂量Ge离子注入,不需退火即可在Si O2中直接形成Ge纳米晶的新现象.采用掠入射X射线衍射和激光喇曼谱等实验手段对样品进行了物相分析.结果表明,高剂量Ge离子注入可在SiO2 薄膜中直接形成Ge纳米晶(nc- Ge) ;非晶态Ge向晶态Ge发生相变的阈值剂量约为1e1 7cm- 2 ,离子注入直接形成的nc- Ge内部具有较大压应力,随着注入剂量的提高,nc- Ge的尺寸和含量均有提高.对纳米晶形成机理的研究认为,在Ge离子注入剂量达到阈值,此时膜中Ge非晶态团簇浓度达到饱和甚至过饱和,新入射的     

渭河2005年抗洪抢险的主要经验

渭河是黄河的最大支流,2005年10月,受长时间、大范围强降雨影响,渭河干、支流发生洪水,临潼站最大洪峰流量5270m3/s,华县站最大洪峰流量4820m3/s,为1981年以来的最大洪水。这次洪水的主要特点是洪水流量大、水位高、含沙量小、持续时间长、渭河支流倒灌严重。面对洪水,沿渭军民     

磁控溅射制备磁性多层膜中SiO2/Ta界面的研究

磁性多层膜常用磁控溅射的方法制备，并且以金属Ta做为缓冲层。本研究利用这种方法在单晶硅基片上沉积了Ta/NiFe/Ta薄膜。采用X射线光电子能谱（XPS）对该薄膜进行了深度剖析，并且对获得的Ta4f和Si2p的高分辩率XPS谱进行计算机谱图拟合分析。结果表明：磁控溅射这种高能量制膜技术导致了在SiO2/Ta界面处发生了化学反应：15SiO2 37Ta=6Ta2O5 5Ta5Si3，该反应使得界面有“互混层”存在，从而导致诱发NiFe膜（111）织构所需的Ta缓冲层实际厚度的增加。从本研究还可以看出XPS是表征磁性薄膜界面化学状态的一种有利工具。     

我公司1^#煤气炉改造总结

我公司合成氨分厂共有五台J28Φ3200煤气炉，由于煤气炉传动系统故障多，检修频繁，使生产非常被动。为此，2003年6月我公司采用了湖南大乘冶金化工机械实业公司的改造方案对I^#煤气炉进行了改造，现对改造前后情况总结如下：     

对创建社区生态文化环境的思考

生态文化作为一种可持续性发展的文化已受到人们的普遍关注，该文用生态文化的理论分析如何建设社区生态文化环境，并提出所遵循的尺度和原则，同时展望了社区生态文化环境的未来发展方向。     

泡沫塑料杨氏模量所满足的微分方程和一些近似解的讨论

本文通过复合材料力学中的微分法和微观力学分析直接导出了泡沫塑料杨氏模量和泊松比所满足的微分方程组，并通过对方程组的讨论得到了泡沫塑料杨氏模量理论预测的近似公式。这些公式形式简单，与实验符合较好，便于工程应用。