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991.
针对基于观测器技术的无速度传感器直接转矩控制系统进行了研究,以提高系统的性能.针对直接转矩控制系统中存在的转矩脉动问题,对传统的无速度传感器直接转矩控制方法进行了改进.对所提出的无速度传感器直接转矩控制系统进行了仿真实验.从仿真结果可以看出系统性能良好.  相似文献   
992.
GPS定位中几何精度因子的病态性诊断及其递推计算   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
冯遵德  卢秀山  郭英 《煤炭学报》2006,31(5):581-584
基于Ⅱ类病态性诊断理论,分析了几何精度因子的病态性诊断意义,并给出了它的递推算法.  相似文献   
993.
电池材料主要包括金属材料及化合物。本文讨论了我国锂离子电池、铅蓄电池、氢镍电池、锌锰电池等系列电池产量,分析了电池生产对锂、钴、镍、铜、铝、铅、锑、锌、锰、镉、汞、铟、储氢稀土等材料的耗用量。随着电池产量逐年增加,材料需求量逐年增加。  相似文献   
994.
注聚见效油井工况影响因素分析及措施研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
胜一区注聚试验明显见效后,随着油井含水的下降,见聚浓度的增加,有杆泵油井泵效下降,回压升高;电泵井产液量下降,吨液耗电量增加。根据聚合物驱油的矿场资料,分析了聚合物驱对举升工艺的影响,并针对存在的问题采取了确定合理沉没度、加药降低油井回压、电泵改抽油机、大泵改小泵和螺杆泵等措施,收到了较好的效果。  相似文献   
995.
利用先进的控制器、高速的工业现场总线、成熟的控制理论,结合现场复杂的工况,整合一套控制系统,对南山矿尾矿车间接力泵站输尾控制系统进行改造,以取代人工调节存在的缺陷,通过尾矿池液位变化实现尾矿输送的自动化控制。  相似文献   
996.
通过一种超窄边折弯件加工方法的分析,从方案一的冲压加工与机加工结合的常规工艺流程,到方案二的全冲压加工的改善工艺流程,再到方案三的采用凸模定位冲压成形的工艺流程,介绍了工艺设计的改进过程。结果表明,凸模定位的成形工艺方法,适用于超窄边折弯类工件的冲压加工,解决了类似零件冲压成形过程中极易发生微量偏移的问题,提高了生产效率,降低了加工成本。  相似文献   
997.
舰船极低频电场由于能在海水中传播到很远的距离,而且很容易被探测到,已成为舰船的一个重要目标特性,螺旋桨转动调制舰船腐蚀电流和外加电流阴极保护系统在海水中产生的电流是舰船极低频电场的2个重要来源.质量较差的阴极保护系统(ICCP)中的电源滤波器也会导致极低频电场的产生,电磁场防护结构工艺、被动轴接地系统、主动轴接地系统和电场抵消系统是目前降低舰船极低频电场的主要方法。  相似文献   
998.
环形谐振器作为谐振式光学陀螺的核心敏感部件,其精细度的大小直接影响光纤陀螺的灵敏度,所以研究光纤环形谐振器的特性及其精细度是优化陀螺设计和制造及提高性能的关键.通过对比分析不同耦合器结构的耦合原理,系统分析了在一定激光器线宽的基础上,谐振式光学陀螺系统灵敏度和谐振腔光路中各参数的间的关系及耦合器耦合系数与各损耗参数间的关系.设计优化R-MOG系统的主要参数.最终在同时考虑到谐振腔的高精细度和高Q值得前提下,得到当腔长尺寸为21.4 cm时,精细度达170,Q值为3.34107,此时,灵敏度为0.48 ()/h,并且,通过建立一个R-MOG闭环实验系统,对系统双路转动的闭环响应进行了测试,这为陀螺系统的构建提供了理论和实验基础.  相似文献   
999.
对地观测星载激光测高系统高程误差分析   总被引:5,自引:3,他引:5       下载免费PDF全文
星载激光测高系统通过接收卫星平台激光器发出的激光脉冲经地表反射的微弱回波,计算卫星与地表的距离;结合卫星轨道和姿态数据,生成激光脚点精确地理位置和高程结果.其高程误差主要受器件、环境和目标参数影响,目前还没有完整描述对地观测星载激光测高系统平面和高程误差的数学模型.简化并完善了针对固体地表的激光测距误差模型,建立了完整的激光脚点平面和高程误差模型.利用高程精度和空间分辨率更高的机载Lidar数据评估了星载激光测高系统GLAS实测数据的高程偏差,评估结果符合所建误差模型.在较平坦的冰盖表面,GLAS系统高程精度可以达到设计值约15 cm.研究内容对测高系统高程误差评估和系统参数设计具有参考意义.  相似文献   
1000.
高剂量Ge离子注入直接形成nc-Ge的研究   总被引:1,自引:1,他引:1  
报道了分别采用剂量为1e1 6 ,1e1 7,5e 1 7和1e1 8cm- 2的高剂量Ge离子注入,不需退火即可在Si O2中直接形成Ge纳米晶的新现象.采用掠入射X射线衍射和激光喇曼谱等实验手段对样品进行了物相分析.结果表明,高剂量Ge离子注入可在SiO2 薄膜中直接形成Ge纳米晶(nc- Ge) ;非晶态Ge向晶态Ge发生相变的阈值剂量约为1e1 7cm- 2 ,离子注入直接形成的nc- Ge内部具有较大压应力,随着注入剂量的提高,nc- Ge的尺寸和含量均有提高.对纳米晶形成机理的研究认为,在Ge离子注入剂量达到阈值,此时膜中Ge非晶态团簇浓度达到饱和甚至过饱和,新入射的  相似文献   
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