PS模板法制备铜纳米颗粒

采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅(porous silicon, PS), 对其进行超声后处理.以PS为模板采用一步浸渍沉积法制备大小均匀、形状规则的铜纳米颗粒, 并研究沉积时间对纳米颗粒形状、尺寸的影响.结果表明:PS超声后处理并未造成其物理和化学结构的破坏, 大量的硅氢键(SiH_x)和蜂窝状多孔结构(直径150 nm左右)分别为纳米铜的形成和生长提供了还原剂和场所;沉积时间对铜纳米颗粒形貌具有重要影响, 当沉积时间为40s时得到形状和尺寸较为均匀的铜纳米颗粒.     

丁烷气敏传感器可靠性研究􀀁

通过对旁热式下烷气敏传感器的工作寿命试验和试验数据的处理,获得了该元件的寿命分布及分参数等信息。了解了该类元件的可靠性水平,为评价和提高该气敏传感器的可靠性水平提供了依据。     

界标窗口中数据流频繁模式挖掘算法研究

数据流的流量太大会无法被整个存储,或被多次扫描。为此,在研究已有挖掘算法的基础上,提出一种界标窗口中数据流频繁模式挖掘算法DSMFP_LW。利用扩展前缀模式树存储全局临界频繁模式,实现单遍扫描数据流和数据增量更新。实验结果表明,与Lossy Counting算法相比,DSMFP_LW算法具有更好的时空效率。     

Sol-gel自蔓延燃烧制备CaCu3Ti4O12纳米粉体及其介电性能研究

以硝酸钙、硝酸铜、钛酸四丁酯、冰乙酸和无水乙醇为原料,采用溶胶-凝胶自蔓延燃烧反应成功地制备了平均粒径为60～80nm的CaCu3Ti4O12纳米粉体.采用XRD、TEM和IR对纳米粉体的结构、形貌和光谱特性进行了分析和表征,并借助TG-DSC研究了干凝胶的自蔓延特性和晶化过程.采用传统烧结工艺制备了陶瓷,测得其在室温、lkHz时的介电常数为6×104.     

新型GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器暗电流特性

对基于 Ga As/ Al Ga As系子带间吸收的一种新型量子阱红外探测器 ,采用 Poisson方程和 Schrodinger方程 ,计算了新器件结构的能带结构、电子分布特性 ,在此基础上采用热离子发射、热辅助遂穿模型对器件的暗电流特性进行了模拟 ,计算结果与器件实测的暗电流特性吻合得很好 ,说明热离子发射、热辅助遂穿机制是形成器件暗电流的主要构成机制 ,增加垒高、降低阱中掺杂浓度及降低工作温度是抑制器件暗电流的主要途径 ,计算结果对进一步优化器件的设计将起到重要的理论指导作用 .     

氧化还原法制备SnO2纳米棒的研究

在聚氧乙烯五醚(NP5)、聚氧乙烯九醚(NP9)和环己烷组成的微乳体系中用氧化还原法制备SnO2前驱物,然后在熔盐中再经800℃、860℃焙烧2.5h,成功地制备了金红石结构的SnO2纳米棒,并用透射电子显微镜,X射线衍射对SnO2纳米棒的结构进行了表征.     

磁控溅射生长SiC薄膜的拉曼光谱研究

用射频磁控溅射法在Si(100)和玻璃衬底上制备出衬底温度分别为300,450,600℃的碳化硅薄膜,并对薄膜进行了拉曼光谱和原子力显微镜测试分析。结果表明,用溅射法在玻璃衬底上生长出微晶SiC(μc-SiC)薄膜和在Si(100)衬底上生长出立方碳化硅(β-SiC)薄膜。并且薄膜材料的结晶度随着衬底温度的升高而改善。     

超细MgFe_2O_4复合氧化物的气敏性能研究

以FeSO4·7H2O和MgCl2·6H2O为材料,用新型化学共沉淀法制备了纳米尺寸的复合金属氧化物MgFe2O4粉体。将样品做成厚膜型气敏元件,测定了其对乙醇、甲醛、丙酮、甲苯、苯氨气、石油醚等还原(可燃)性气体的气敏特性。测试显示:700℃下,热处理1h,所得纳米微粉制作的元件在300℃工作温度下对丙酮有较高灵敏度和良好的选择性,并对气敏机理给予了解释。     

TiO2/ Al2O3复合薄膜的亲水性能研究

采用溶胶-凝胶法制备了TiO2／Al2O3复合薄膜，通过XRD、XPS、UV透射光谱的分析及薄膜表面接触角的测量，研究了Al2O3与TiO2配比、热处理温度、膜厚度等因素对复合膜的亲水性、透光率的影响。结果表明：Al2O3的加入和膜厚度的增加均有利于TiO2薄膜亲水性的改善；热处理温度对TiO2／Al2O3复合膜的亲水性有较大影响，其中经450℃热处理的薄膜亲水性最好；Al2O3的加入未降低复合膜的可见光透光率，其平均透光率大于80％。     

纳米金刚石薄膜的制备特点及特性

纳米金刚石薄膜具有金刚石薄膜和纳米材料的双重优异特性，而在制备工艺上又与金刚石薄膜有所不同，通过与金刚石作比较，综述了纳米金刚石薄膜的制备特点，表征方法；并列举了其在场发射、耐磨减摩等领域的应用和其独特性能。