电磁波吸收复合材料的研究现状

首先介绍了电磁波与物质相互作用的机制,指出影响物质对电磁波吸收的性能的参数,进而提出通过修正这些参数而达到改善物质对电磁波吸收的性能.同时对国内外电磁波吸收复合材料的研究现状进行了综述、分析和讨论.     

热退火对超冶金级硅中缺陷的影响

对超冶金级硅进行不同条件下的热退火实验研究。利用金相显微镜、电子背散射衍射和X射线衍射仪分别对退火前后多晶硅不同部位的位错、晶界和择优生长取向进行表征。结果表明：退火前后多晶硅中的位错密度大小分布顺序始终是中部〈底部〈顶部。随着退火温度的升高,位错密度逐渐减小;小角度晶界不断减少,直至消失;CSL晶界比例先增加后减小。在1200℃下退火3h后,多晶硅中的孪晶晶界∑3达到28%;多晶硅上、中、下部的晶粒分别获得最佳择优生长取向,这将对后续硅材料的加工及多晶硅太阳能电池转化效率的提高起到促进作用。     

电化掺杂制作太阳电池的物理机理

本文讨论了在硅中进行电化学掺杂过程的物理解释。用氧化物、络合物发生二次离解来说明半导体附着在电解系统的阴极或阳极上时同样产生杂质注入效应的原因。离解效应借助于外场的作用,而注入杂质最根本的取决于液体和固体之间的位垒,同电极的正负关系不大。本文还讨论了使杂质离子通过辐射退火过程,求得太阳电池p-n结的期望深度。     

气敏元件自平衡测量电路的设计

提出了一种气敏元件自平衡电路的设计法，操作这种电路没有常规电路那一种调零繁琐手续，但却有自动快速平衡的优点，从而实现了气体测量的高精度，快速性与简单化的愿望。     

QM-2Y 系半导体气敏传感器的失效分析

通过对气体传感器的可靠性试验, 得到了元件失效的主要类型, 对失效元件从微 观和宏观进行了分析, 找到了一些引起元件失效的主要原因, 对元件的实际应用和批量生产 有着极其重要的价值.     

利用TiOSO4液相反应制备透明锐钛矿相二氧化钛溶胶

以TiOSO4水溶液为前驱体,NH3·H2O为沉淀剂,聚乙二醇400(PEG400)为分散剂,在60～80℃下均相沉淀与结晶,制备出透明锐钛矿相二氧化钛溶胶.利用XRD和TEM表征了粉体的晶体结构和形貌.研究了制备过程中溶液中H /Ti摩尔比、表面活性剂、晶化温度和时间对TiO2溶胶颗粒尺寸的影响.结果表明:当溶液中H /Ti摩尔比为5,晶化温度为70℃,分散剂质量分数为2.5%时,得到的二氧化钛晶粒尺寸在10～20nm之间.聚乙二醇400的加入有效抑制了晶化过程中晶粒的长大.     

天然沸石及沸石类分子筛

介绍了方沸石、斜发沸石、浊沸石、毛沸石、钙交沸石、菱沸石、丝光沸石、辉沸石、片沸石等常见天然沸石的结构、性能和开发应用情况;并对钛硅沸石、微孔-大孔双孔结构β沸石、手性沸石及ZSM-5沸石薄膜这几种典型沸石类分子筛材料的合成方法和特性作了介绍;针对目前对沸石的研究和应用现状提出了几点建议.     

改性季铵盐抗菌剂的制备及性能研究

对有机抗菌剂季铵盐进行无机复合改性,研究了不同量的硅溶胶对季铵盐抗菌剂性能的影响,并采用XRD、IR、DSC-DTA等表征手段对所制备样品的结构、成分以及耐候性、抗菌性能等进行分析和测试。结果表明：所制备的改性季铵盐具有优异的抗菌性能与耐候性能,从而使季铵盐的适用范围得到了扩展。     

新型GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器暗电流特性

对基于GaAs/AlGaAs系子带间吸收的一种新型量子阱红外探测器,采用Poisson方程和Schrodinger方程,计算了新器件结构的能带结构、电子分布特性,在此基础上采用热离子发射、热辅助遂穿模型对器件的暗电流特性进行了模拟,计算结果与器件实测的暗电流特性吻合得很好,说明热离子发射、热辅助遂穿机制是形成器件暗电流的主要构成机制,增加垒高、降低阱中掺杂浓度及降低工作温度是抑制器件暗电流的主要途径,计算结果对进一步优化器件的设计将起到重要的理论指导作用．     

QM-Y6型燃气敏传感器的可靠性

通过ＱＭ－Ｙ６型燃气敏旁热式气体传感器的工作寿命试验和试验数据的处理,获得了该型传感器的寿命分布和分布参数以及可靠性水平,为评价和提高该气敏传感器的可靠性水平提供了依据。