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51.
52.
对超冶金级硅进行不同条件下的热退火实验研究。利用金相显微镜、电子背散射衍射和X射线衍射仪分别对退火前后多晶硅不同部位的位错、晶界和择优生长取向进行表征。结果表明:退火前后多晶硅中的位错密度大小分布顺序始终是中部〈底部〈顶部。随着退火温度的升高,位错密度逐渐减小;小角度晶界不断减少,直至消失;CSL晶界比例先增加后减小。在1200℃下退火3h后,多晶硅中的孪晶晶界∑3达到28%;多晶硅上、中、下部的晶粒分别获得最佳择优生长取向,这将对后续硅材料的加工及多晶硅太阳能电池转化效率的提高起到促进作用。 相似文献
53.
54.
提出了一种气敏元件自平衡电路的设计法,操作这种电路没有常规电路那一种调零繁琐手续,但却有自动快速平衡的优点,从而实现了气体测量的高精度,快速性与简单化的愿望。 相似文献
55.
通过对气体传感器的可靠性试验, 得到了元件失效的主要类型, 对失效元件从微
观和宏观进行了分析, 找到了一些引起元件失效的主要原因, 对元件的实际应用和批量生产
有着极其重要的价值. 相似文献
56.
利用TiOSO4液相反应制备透明锐钛矿相二氧化钛溶胶 总被引:1,自引:0,他引:1
以TiOSO4水溶液为前驱体,NH3·H2O为沉淀剂,聚乙二醇400(PEG400)为分散剂,在60~80℃下均相沉淀与结晶,制备出透明锐钛矿相二氧化钛溶胶.利用XRD和TEM表征了粉体的晶体结构和形貌.研究了制备过程中溶液中H /Ti摩尔比、表面活性剂、晶化温度和时间对TiO2溶胶颗粒尺寸的影响.结果表明:当溶液中H /Ti摩尔比为5,晶化温度为70℃,分散剂质量分数为2.5%时,得到的二氧化钛晶粒尺寸在10~20nm之间.聚乙二醇400的加入有效抑制了晶化过程中晶粒的长大. 相似文献
57.
58.
59.
对基于GaAs/AlGaAs系子带间吸收的一种新型量子阱红外探测器,采用Poisson方程和Schrodinger方程,计算了新器件结构的能带结构、电子分布特性,在此基础上采用热离子发射、热辅助遂穿模型对器件的暗电流特性进行了模拟,计算结果与器件实测的暗电流特性吻合得很好,说明热离子发射、热辅助遂穿机制是形成器件暗电流的主要构成机制,增加垒高、降低阱中掺杂浓度及降低工作温度是抑制器件暗电流的主要途径,计算结果对进一步优化器件的设计将起到重要的理论指导作用. 相似文献
60.