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对超冶金级硅进行不同条件下的热退火实验研究。利用金相显微镜、电子背散射衍射和X射线衍射仪分别对退火前后多晶硅不同部位的位错、晶界和择优生长取向进行表征。结果表明:退火前后多晶硅中的位错密度大小分布顺序始终是中部〈底部〈顶部。随着退火温度的升高,位错密度逐渐减小;小角度晶界不断减少,直至消失;CSL晶界比例先增加后减小。在1200℃下退火3h后,多晶硅中的孪晶晶界∑3达到28%;多晶硅上、中、下部的晶粒分别获得最佳择优生长取向,这将对后续硅材料的加工及多晶硅太阳能电池转化效率的提高起到促进作用。 相似文献
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采用溶胶—凝胶法及浸渍提拉法在普通的载玻片上制得含不同掺银量的TiO2薄膜,通过对薄膜及相应粉体的XRD、XPS及薄膜致密度的测量,分析了银的掺杂量对TiO2薄膜亲水特性的影响。结果表明:TiO2薄膜中银的掺杂量≤0.635mol%时有利于TiO2薄膜亲水性能的改善;表面羟基和表面桥氧的含量对TiO2薄膜的亲水性能均有直接影响。 相似文献
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讨论了基于气敏元件互补反馈和互补增强原理的新型半导体n p结构气敏元件.理论分析表明,该新型气敏元件具有高的选择性,同时还具有好的热稳定性和高的灵敏度,通过实验。获得了性能较好的n p结构酒敏元件。 相似文献
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TiO2/SnO2复合薄膜的亲水性能研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用溶胶-凝胶法制备了TiO2/SnO2复合薄膜,通过XRD、XPS、UV透射光谱的分析及薄膜表面接触角、光催化降解甲基橙等的分析,研究了SnO2与TiO2配比、热处理温度、膜厚度等因素对复合膜的亲水性、透光率及光催化活性的影响。结果表明:复合膜的亲水性和光催化活性均优于单纯TiO2,当SnO2与TiO2的摩尔比为1%-5%时,所制备的薄膜具有超亲水特性;热处理温度为450℃时薄膜亲水性最好,膜厚度的增加有利于亲水性的改善。 相似文献