Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体电化学原子层外延

介绍一种外延沉积化合物半导体材料的新方法──电化学原子层外延技术，它将电化学沉积技术与原子层外延技术结合起来，通过运用欠电势技术交替电化学沉积化合物的组成元素一次一个单原子层而实现外延生长。从而使外延技术具有电沉积简单与低成本的优点。欠电势沉积是电化学原子层外延的关键，它是化合物形成过程中放出自由能的结果。并研究了Si-Au多晶衬底上沉积CdTe的电化学原子层外延，给出了初步实验结果。     

MOD－SnO_2酒敏元件研制

采用金属有机物热分解（ＭＯＤ）法制备了ＳｎＯ_２酒敏元件，ＸＲＤ和ＡＥＳ谱表明热处理后己酸亚锡已转化为ＳｎＯ_２。此外还证实ＳｎＯ_２元件的内电势是加热丝偏位引起的热电势。元件的主要技术指标为：灵敏度＞８，选择性＞６，响应时间＜５ｓ，恢复时间＜３０ｓ。     

微机电系统

分析了微机电系统发展的可能性、必然性和对科学与经济发展的巨大意义。总结了发展微机电系统的若干主要的工艺技术。介绍了微机电系统当前的进展与发展前景。     

基于Minitab的质量控制图在工件制造中的应用

介绍利用-x-R控制图对工件生产过程进行质量控制,并用Minitab14作为开发工具对质量数据进行统计处理,通过所得的质量控制图分析产品的质量变化.     

波移光纤性能研究

对2种波移光纤的特性进行了研究.实验结果表明,型号为V-11 (200) MS的波移光纤整体性能比BCF-91A波移光纤性能更好.与前者相比,后者在20 mm的弯曲半径下的光传输损耗要高4.8倍.而同时,2个光纤的光衰减长度相当类似,分别为(2.00±0.02)m和(1.98±0.02)m.此外,Y-11 (200) MS型波移光纤的相对光转换效率比BCF-91A的要高出50％.因此,在制作闪烁体中子探测器时,使用Y-11 (200) MS型波移光纤是一种很好的选择.     

面向城市现状的综合防灾措施析议

我国正处于“经济转型,社会转轨”的关键时期,传统与非传统的城市灾害事故日益频繁,重现周期日渐缩短,损失严重,教训深刻,城市防灾减灾综合能力倍受关注.本文根据我国大中城市灾害及其特点,针对近年来我国城市建设防灾规划的实施情况,指出在城市综合防灾水平建设方面的若干问题,并从体制、机制、法制角度出发,科学地提出防灾、减灾、救...