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基于经典Wildar带隙基准结构,通过单级高增益低失调运放及其闭环负反馈设计,将电压求和模式输出与电阻负载驱动紧密结合,同时增加简单的单管并联高阶补偿结构,实现了一种具有较大负载驱动能力的高精度多值低压基准输出,解决了经典基准电路在补偿精度与PSRR方面的局限性.CSMC 0.5μm CMOS工艺仿真结果表明,在-40~125℃,一阶补偿的温度系数为6×10~(-6)/℃,输出电阻支路采用并联MOS管的高阶补偿后,温度系数下降到1.27×10~(-6)/℃,低频下电源抑制比达到-57 dB. 相似文献
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硅微电子兼容技术是微电子技术与其它相关技术相互结合的产物,是微电子学科领域的重要发展方向之一,并使其在性能和应用领域等方面得到进一步的提高和扩展.本文主要介绍GaAs/Si、SiGe/Si、LB/Si、低温微电子、真空微电子和超导/半导兼容技术的新进展和发展趋. 相似文献
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不同于常规电压求和带隙基准,电流求和是实现低压基准的主要方法.文章重点分析了一种负温度系数电流的生成方法,基于电流求和模式,设计了一种简单且无运放的电压基准结构,其输出最大基准值为1.1V,功耗为7μA. 相似文献
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伟大跃进的1958年,在我国社会主义建设史册上,将永远闪灼着灿烂的光辉。从这个划时代的一年开始,四川电力工业的发展,和全国、和别的工业一样,进入了一个崭新的历史时期。在建设社会 相似文献