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与门海数字电路阵列相类似 ,模拟电路阵列也是半定制集成电路设计的母体形式的一种。首先介绍了母体单元结构布局 ,然后描述了其电路的实现。在以上模拟电路阵列母体上 ,成功地实现了很多专用的模拟电路 相似文献
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本文从器件物理角度出发,深入研究了MLS结构的C-V、I-V、界面、体内电荷、击穿等电学性能,并研制成功了一种新型的具有优良电性能的MLS结构场效应晶体管,所得实验结果与理论相吻合。 相似文献
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在分析各种主要散射物理机制的基础上,建立起依赖温度、浓度和电场作用的载流子迁移率模型,并将体效应与表面效应有机地结合在一起。该模型物理意义明确、拟合参量适中、精度高、适用范围广,特别适合包含BJT和MOS结构的BiCMOS电路模拟的需要。 相似文献
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对于时间信号量化后的数字编码处理,传统编码方法高频条件下存在高误码率导致数据量化精度退化的问题。该文从数据误码根源分析入手,建立起不同状态模式下包含锁存和延迟失配效应的误码解析分析模型,并在二进制和格雷码编码方法对比的基础上,分析了低误码率的同频码编码设计方法。基于TSMC 0.35 ?m CMOS工艺,完成了采用同频码编码方法的时间数字转换器(TDC)电路及其版图设计,多项目晶元(MPW)芯片的测试结果表明:同频编码的误码率相比同等条件下传统编码方法的误码率明显降低,并与理论分析基本吻合。 相似文献
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文章给出了应用于高频数字控制DC—DC系统设计的两种方法。基于功率级的S域平均模型,采用传统的Redesign方法,得到数字PID控制的系统离散模型。针对数字PID控制的DC-DC系统的负载调节能力,提出了一种采用Direct—Digital方法实现的三阶数字控制器。基于Matlab/Simulink的系统仿真结果表明,当负载电流在500mA到1A跳变时,提出的三阶补偿系统的最大过;中电压160mV,稳定时间为30μs,相比二阶PID补偿系统竹过冲为450mV,稳定时间为110μs,负载调节性能得到很大的改善;同时,当输入电压在1μs内从3V跳变到5V时,三阶补偿系统的过;中电压和稳定时间分别为450mV和45μs,相比二阶补偿系统的过冲为610mV,稳定时间115μs,线性调节能力也得到较大改善。 相似文献
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提出了一种低压高阶曲率补偿的CMOS带隙基准电路。电路采用电流模BGR结构,采用对VBE的线性补偿方法。利用BISM 3模型,电源电压可在5V,在-55—125℃温度范围内,温度系数为6.034ppm/℃。在低电源电压,低频下PSRR为-73dB。整个带隙基准电压源具有好的综合性能。 相似文献
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Pentium4处理器的内存层次分析 总被引:2,自引:0,他引:2
处理器存储系统的效率对其整体性能有着十分重要的作用。文中介绍了P4处理器内存的体系结构,它包括一级数据Cache、二级Cache、Trace Cache;各部分完成的功能以及为提高命中率和降低存取时间,从而提高效率而采取的预取处理机制;P4处理器主要采取具有层次结构的内存设计、大容量的二级Cache和在跟踪Cache中采用预取处理机制的方法来提高Cache的命中率和降低未命中的代价来缩短处理器的访问时间,最终达到提高处理器整体性能的目的。 相似文献
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