一种2-1-1型MASH ∑-△调制器的系统设计

∑-△调制器的结构日趋复杂,用行为级模型进行仿真对提高设计效率来说是十分必要的。首先,文章讨论了开关电容∑-△调制器几种重要的非理想因素,例如时钟抖动、开关引起的非线性、开关热噪声、运放的非理想因素（等效输入噪声、有限直流增益、有限带宽、摆率和有限输出摆幅）,并且相应给出了在MATLAB／SIMULINK环境下创建的行为级模型。然后,文章基于上述模型给出了一个2-1-1MASH∑-△调制器行为级设计的例子。在给定过采样率为64的条件下,采样频率19．2MHz,调制器动态范围95dB,峰值信噪比94dB。     

一种锂离子电池线性充电控制系统设计

在分析单节锂离子电池恒流(含涓流)与恒压独立充电方式的基本原理和典型结构基础上,根据锂离子(Li-ion)电池充电的基本功能要求,通过对恒流、恒压基本结构输出级耦合的控制方式,结合对电池电压与电流的精确检测与监控,设计了一种结构简单、控制稳定有效的锂电池线性充电控制系统.基于CSMC 0.6 μm CMOS工艺的仿真结果表明,系统在各种状态下均能可靠实现涓流、恒流、恒压的阶段式充电切换控制,并且恒流、恒压充电的精度可分别达到5%和1%以内.     

低抖动锁相环中压控振荡器的设计

压控振荡器(VC0)作为PLL系统中的关键模块,其相位噪声对PLL相位噪声和抖动产生决定性影响.在对PLl系统噪声及VCO相位噪声分析的基础上,基于CSMC 0.5μm CMOS工艺,设计了一款低相位噪声两级差分环形VCO.Spectre RF仿真结果表明,VCO频率调谐范围为524 MHz～1.1 GHZ,增益最大值Kvco为-636.7 MHz/V,900 MHz下VCO相位噪声为-116.2dBc/Hz@1 MHz,功耗为21.2 mW.系统仿真结果表明,VCO相位噪声对PLL抖动的贡献小于1 ps.     

一种低功耗64倍降采样多级数字抽取滤波器设计

经典多级结构的数字抽取滤波器占用系统大量的功耗与面积资源,文章设计的改进型64倍降采样数字抽取滤波器采用由级联积分梳状滤波器、补偿FIR滤波器和半带滤波器组成,在保持Σ-ΔADC转换精度的约束下,实现了最大程度降低系统功耗与面积的设计目标。在多级级联积分梳状(CIC)滤波器的设计中,充分运用置换原则以优化各级级数并采用非递归结构实现方式,同时将多相结构运用到补偿滤波器与半带滤波器中,获得电路功耗与面积的明显降低。将Σ-Δ调制器输出信号作为测试激励,通过Matlab系统仿真、FPGA验证与FFT信号分析,得到的输出数据信噪比达到15bit有效位数精度,且系统速度满足要求。     

高压辊磨机辊面磨损过程分析及新型辊面的应用

通过对高压辊磨机辊面磨损过程的研究,找出了压力、水分、物料性质及粒度组成是影响辊面磨损的主要因素,通过对影响因素的控制,可提高辊面的使用寿命;同时针对辊面的磨损过程,提出了一种新型辊面,并介绍了新型辊面在金属矿山的生产应用情况。     

一种Gm-APD阵列型读出电路的设计与实现

提出了一种雪崩光电二极管(APD)阵列读出电路的系统架构。针对2×8盖革模式InGaAs-APD传感器阵列,进行读出电路系统设计,其中的时间数字转换器(TDC)采用游标卡尺二段式结构,将计数分为粗计数与细计数,计数器放置在像素外,整个芯片共用一个计数器,以实现资源共享,减小了芯片面积,降低了系统功耗。全局采用高、低频时钟分别控制计数、传输数据,进一步降低系统功耗。系统采用CSMC 0.5μm CMOS工艺进行流片验证。测试结果表明,该系统的功能与时序正确。     

LVS 版图验证方法的研究

LVS是IC Layout设计中一个重要的验证环节，结合实例分析，系统讨论了LVS的工作原理和验证流程。     

新型乙炔氨推进剂热力性能计算分析

采用吉布斯最小自由能法计算了不同乙炔含量的乙炔氨推进剂的热力参数,选定了乙炔氨中乙炔的含量并计算了液氧(LO X)分别与选定浓度的乙炔氨、火箭煤油、甲烷等组合的6种推进剂热力性能。结果表明:乙炔含量为25%的乙炔氨推进剂在比冲和安全性两方面最优,可作为下一步研究目标;液氧(LO X)/乙炔氨组合较其它推进剂组合具有很好的空间应用物性和较高的热力性能,在燃烧室压强/喷管出口压强为180∶1、喷管出口面积/喷管喉部面积为35∶1时,比组合冲达到372.63s,比现有的LO X/火箭煤油比冲高14 s。     

SPICE 模拟中的收敛问题分析

电路模拟中最常遇到、最难解决的问题是电路收敛问题。本文在给出不收敛可能产生的耗因之后,着重分析和介绍了在直流模拟和瞬态模拟中解决收敛问题的方法。     

发展中的BiCMOS技术

集ＣＭＯＳ与双极器件之优点于一体的ＢｉＣＭＯＳ，将逐渐成为９０年代ＵＬＳＩ的主流技术。本文从工艺、器件结构和兼容设计等不同侧面，阐述了ＢｉＣＭＯＳ技术所具有的突出特点及其典型应用，同时还介绍了最新发展的低温ＢｉＣＭＯＳ技术和面临的关键问题。