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目前真空微电子使用的场致发射电子源主要是在硅衬底上采用腐蚀法和生长法得到的场发射阵列。这种方法在制造上难度较大,也很复杂。本文介绍用阳极化的方法制造多孔硅场发射阵列,并通过实验测定,用此法制造的场发射尖端阵列的发射曲此,很好地符合Fowler-Nordheim公式。 相似文献
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介绍了Ni-Ti-Nb宽滞后记忆合金的发展概况,该材料形状记忆特性及根据该特性制造的液压系统管路连接的管接头;论述了宽滞后记忆合金管接头材料性能特点及工程应用。 相似文献
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介绍了Ni-Ti-Nb宽滞后记忆合金的发展概况,该材料形状记忆特性及根据该特性制造的液压系统管路连接的管接头;论述了宽滞后记忆合金管接头材料性能特点及工程应用。 相似文献
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采用拉伸速率突变法,研究Ti-29Nb-13Ta-5Zr(Ti-29-13)合金冷轧后在700~800 ℃和5′10-4~1′10-2 s-1应变速率范围内的高温变形行为和变形机制,并与典型β钛合金Ti-15V-3Cr-3Sn-3Al(Ti-15-3)进行比较。结果显示两种合金中均出现了非连续屈服现象,Ti-29-13合金的亚晶行为不同于Ti-15-3合金。Ti-29-13合金的延伸率低于Ti-15-3合金,应力指数n几乎恒定为3.3,变形激活能为152~161 kJ/mol;Ti-15-3合金在730 ℃以上的n值为2.3~2.5,变形激活能为173~176 kJ/mol。 相似文献
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利用强制脉冲CVI工艺在2.5D纤维编织体上沉积C-SiC双层界面,然后通过浆料浸渍裂解方法得到了Cf/SiC复合材料,并考察界面中C层、SiC层厚度变化对Cf/SiC复合材料性能的影响.界面中C层、SiC层厚度变化对浸渍过程影响不大,得到的Cf/SiC复合材料密度基本相当,约2.0 g/cm3.但随C层厚度的增加,强度减小;随着SiC层厚度的增加,强度增加,到达一定厚度后,其强度几乎不变,为290.0 MPa.在C层厚度为50 nm,SiC层厚度为600 nm时,表现出强的非脆性断裂. 相似文献
40.
C307型催化剂使用过程中结蜡原因分析及处理 总被引:1,自引:0,他引:1
我厂甲醇生产系统采用的是先进的低压合成、三塔精馏流程,年生产能力为150kt,催化剂采用南化集团研究院研制生产的C307型低压甲醇合成催化剂。在系统合成粗甲醇过程中,常伴有石蜡(C20-C40高级脂肪族烷烃混合物)生成,造成合成系统结蜡。结蜡无论是对催化剂还是对设备运行的危害都是比较严重的。我厂在用的C307型甲醇合成催化剂是2004年12月30日投用的, 相似文献