电子封装用金刚石/铜复合粉体的制备及表征

设计粉末镀膜专用样品台,采用溅射沉积法在金刚石颗粒表面分别预沉积Cu膜和Ti/Cu双层膜,然后用化学镀铜法增厚铜层制备了金刚石/铜复合粉体。结果表明,金刚石表面经溅射沉积改性后,无需敏化活化就可化学镀铜制备金刚石/铜复合粉体,避免了Sn、Pd等杂质的引入;增加Ti作为过渡层可使化学镀铜层更致密,抗热冲击性更好。     

金刚石薄膜涂层刀具基底材料的选择

金刚石薄膜涂层刀具的应用取决于基底材料的选择。讨论了基底材料的特征:①基底应是一种常用刀具材料,且其切削条件能为金刚石所适应;②成本较低;③沉积金刚石膜具有良好的粘着性。比较分析了Si_3N_4陶瓷和硬质合金作为基底材料的优缺点及其发展趋势。     

AlN陶瓷表面状态对Ti/Ni金属化薄膜粘结性能的影响

采用电子束蒸发技术在AlN衬底上蒸镀Ti/Ni双层金属化薄膜,通过SEM、EDS和AES等方法分析抛光AlN表面状态及与金属化薄膜间的相互作用.结果表明:离子束清洗可去除AlN衬底表面疏松层,改变AlN衬底表面状态,提高衬底表面能.结合热蒸发原子的作用,膜基界面处Al、N和Ti元素之间产生相互扩散现象,AlN陶瓷和Ti膜的附着机制由未清洗前的简单附着改变为扩散附着,极大提高了金属化薄膜粘结性能,其拉脱强度达300 MPa以上,且无需后续退火处理.     

反相微乳液法合成碳纳米管微球

通过对碳纳米管的混酸处理和氨水处理, 在不使用乳化剂的情况下, 采用反相微乳液法合成了形状较为规则的碳纳米管球,比较了四种不同油相以及酸处理时间、水相中碳纳米管含量和搅拌蒸发温度对微球形成和形态的影响, 并对碳纳米管微球的形成机理进行了分析. 结果表明, 采用蓖麻油作为油相, 使用酸化处理1.5h后的碳纳米管在85℃下能制备出(2~20)μm的碳纳米管微球. 此外, 随着碳纳米管在氨水的含量从0.27wt%增加到0.55wt%, 制备出的微球越大, 表面越紧密.     

稀磁半导体Zn1-xNixO的室温铁磁性

利用溶胶-凝胶方法制备不同成分的Zn1?xNixO(x=0.05,0.10,0.15)稀磁半导体材料,产物由直径约70 nm的六边形颗粒组成。利用振动样品磁强计测量了样品的磁学性能,发现在室温条件下存在明显的铁磁性,且随着镍浓度的增加,样品的饱和磁化强度增加,但样品的单个镍原子的磁矩是逐渐下降的。X射线衍射分析结果表明,样品中不存在镍及镍的氧化物,且晶格常数随镍含量的增加而略有增大,并利用M—T曲线测量Zn0.9Ni0.1O居里温度为575 K左右,表明其磁性来源于稀磁半导体。     

金刚石薄膜半导体研究进展及其应用前景

ＣＶＤ金刚石薄膜是一种有发展前途的半导体材料，近几年来国内外研究了得了一定进展，目前采取的主要研究技术是在非金刚石衬底上生长掺杂金刚石多晶膜，其应用方向是耐高温和抗辐射的半导体器件。尽管金刚石薄膜半导体还有许多问题极待解决但其应用前景十分广阔，到２０００年以后，市场销售额将超过金刚石膜工具而跃居首位。     

衡阳钢管厂炼钢车间全连铸生产调度模式的优化

了衡管炼钢车间ＥＦ－ＬＦ－ＨＣＣ炼钢工艺流程的特流管是技术，在地实际生产需要进行分析论证的基础上，建立了分别适应不同生产阶段的简化生产调试模式和优化生产调度模式。     

全水平连铸生产调度模型的操作和优化

全水平连生产工艺的顺行与否主要取决于生产调度系统，在简化生产模式操作取得地电炉产量和降低成本的基础上，通过分析车间工离间装备能力的匹配、时间节奏的匹配和缓冲、物料流量的匹配与传输等，建立了优化调度模型，而共实施的关键则是连浇技术。     

锑铜合金中锑脱溶相的表征

采用电解腐蚀方法显示出含微量锑的铜合金中的锑脱溶相，通过ＳＥＭ和ＥＤＡＸ表征，结果表明，锑脱溶相呈球状，粒状或条块状，粒径１￣５μｍ，脱溶相中含稀土元素。锑以脱溶相形式析出并呈弥散均匀分布是锑铜合金具有良好综合性能的关键。     

热丝CVD法变压沉积金刚石薄膜

在热丝化学气相沉积系统中，采用变压沉积金刚石薄膜，晶粒生长速率显著提高，而孪晶密度下降。