铜片氧化法制备Cu2O层厚度的调控方法

采用氧化法在铜片上生成氧化亚铜,研究氧化工艺对氧化亚铜厚度的影响规律,利用X射线衍射仪和扫描电镜分别对氧化产物和氧化层厚度进行表征。无氧铜片在900~1050℃,氧气体积分数为2%~10%条件下氧化可在表面生成一层纯的Cu2O层;当氧化温度和氧气体积分数分别是1000℃和4%时,生成致密的Cu2O层,且厚度易于控制,氧化层厚度(ζ)与时间(t)的关系满足抛物线关系ζ2=194t-955。     

低孔隙率阳极氧化铝膜的制备及其高绝缘特性

采用恒流阳极氧化法,制备出低孔隙率高绝缘特性的阳极氧化铝膜(AAO膜),研究乙二醇(EG)对AAO膜显微结构及其绝缘性能的影响。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)及绝缘性能测试仪对AAO膜的物相组成、显微形貌及其绝缘性能进行测试表征。结果表明,当EG体积分数为40%时,可获得孔隙率为1.0%的AAO膜,此时AAO膜绝缘电阻率达到最高值5.4×10~(13)Ω×cm;当EG体积分数为50%时,AAO膜的击穿场强达到最优值44.8 V/μm。草酸电解液中添加有机物EG可极大地降低AAO膜多孔层孔隙率,提高阻挡层厚度,大幅度提升AAO膜的绝缘性能。