镀锌板无铬钝化涂层的制备及性能研究

本文研究了镀锌钢板的无铬钝化液组成及钝化工艺对钢片涂层性能的影响。通过多种性能测试得出最佳钝化液组成为：钼酸钠17 g/L,丙烯酸树脂105 m L/L,硅酸钠18 g/L,硅烷偶联剂KH-560为50 m L/L,硫脲8 g/L,30%过氧化氢10 m L/L,钝化的最佳条件为p H=5,钝化温度298.15 K,钝化时间25 min。对钝化涂层的厚度及结合力进行检测,并结合电化学测试发现,复合钝化涂层的耐蚀性强于铬酸盐钝化涂层。     

WDM光传送网中的关键技术研究

介绍了光传送网的分层结构及其中的关键器件和设备 ,讨论了光传送网的优化设计原理和管理信息传送方式 ,对如何构建大型光传送网作了深入分析     

用VB设计PCS-05型程控直流恒流电源控制软件

本文介绍利用Visual Basic 6.0设计PCS-05型程控直流恒流电源控制软件,以达到控制该电流源输出用户所需各种电流方波信号.     

P型HgCdTe离子刻蚀成结机理分析

从微观理论对P型HgCdTe离子刻蚀成结的过程、机理进行了分析,提出HgCdTe环孔P-N结的汞原子扩散-补偿模型、P-N结的汞原子扩散-补偿-剩余施主杂质模型,提出并讨论了离子刻蚀技术形成环孔型P-N结和平面型P-N结的汞原子扩散激活能、扩散汞原子总量、扩散范围、扩散系数、有效汞原子系数等关键物理参数与工艺参数.     

用于HgCdTe器件同步辐射形貌相的计算机图象处理系统

根据研究ＨｇＣｄＴｅ材料和器件中晶格缺陷同步辐射白光形貌相的需要，建立了处理形貌相的计算机图象处理系统。本文叙述了该系统的工作原理和构成，利用此系统可把１ｍｍ×１ｍｍＨｇＣｄＴｅ器件的同步辐射Ｌａｕｅ斑放大３．５～６８２倍，以便观察和分析，并省去了形貌相费时、费工的后期处理工作。该系统还为研究ＨｇＣｄＴｅ材料的Ｘ射线形貌相和晶体缺陷与器件性能的关系提供了必要的硬件设备。     

背景辐射对光导HgCdTe探测器电阻的影响

测量了室温和液氮背景辐射条件下长波光导ＨｇＣｄＴｅｒ探测器的电阻，从电阻的变化研究了背景辐射对器件电阻的影响。结果表明：在高性能探测器中，室温背景辐射造成探测器电阻的相对变化量约为１０％，而且，该变化量与探测器性能有很好的对应关系。     

湛河公园总体规划探析

通过对湛河公园总体规划的描述和分析,从四个方面阐述总体规划的构思.基调统一、分段处理、林木深远、开阔厚重,“以绿为主”,浓重的乡土特色及宏伟、朴实、浑厚、自然的总体效果,并在带状公园设计上有所突破、创新.     

利用石灰窑气生产白炭黑

探讨了利用工业废弃物石灰窑气和水玻璃，采用碳化法制备白炭黑的工艺过程。对影响碳化过程及白炭黑产率、物性的几个因素进行了分析讨论，并给出了实验结果的微观解释。通过比较，筛选，得出适宜的工艺条件：温度在85～95℃之间较好；反应达到2.5h时，反应基本完全，原料液浓度的调节可综合考虑经济指标，选取合适的稀释度。     

表面活性剂对碳化法制备白炭黑的影响研究

在碳化法制备白炭黑的过程中分别选用聚乙二醇6000、十二烷基苯磺酸钠、羧甲基纤维素等三种表面活性剂制备改性白炭黑。参察产品的性能，筛选合适的表面活性剂。     

碲镉汞晶片表面加工损伤的电化学腐蚀观察方法

本文报道了一种新的观察碲镉汞（ＣＭＴ）晶片表面加工损伤的方法－－电化学腐蚀法。文中讨论了电化学腐蚀法的原理，给出了实验结果。实验表明：机械磨抛的ＣＭＴ晶片表面的加工损伤可用电化学腐蚀法清楚地揭示出来；磨抛产生的机械划痕在电化学腐蚀前后一一对应，而且腐蚀后可清晰、直观地看到腐蚀前看不见的机械划痕；结合化学腐蚀的方法测量了一定磨抛条件下Ｗ３．５磨料在ＣＭＴ晶片表面产生的最大加工损伤深度约３２－－４０μ