镀TiN薄膜的保温节能遮阳玻璃

镀有 TiN 薄膜的玻璃是一种新的“热镜”材料。当 TiN 薄膜厚度大于90nm 时,它对红外线的反射率大于75%。小样试验结果表明:使用镀 TiN 的窗玻璃比用普通玻璃节省取暖能源50%以上。此外,TiN 薄膜与玻璃的结合力强,它不被酸、碱、海水所腐蚀,时延性好。     

成膜参量对“S”枪溅射制备的YBCO高温超导薄膜性能的影响

利用“S”枪磁控油射源,采用单靶磁控溅射原位退火技术,详细研究了YBCO(YBaCuO的简缩)高温超导薄膜质量与主要工艺参数之间的关系。XRD分析表明,典型条件制备的膜具有C轴择优取向织构,RBS分析表明,此时的膜具有基本上1:2:3的理想组份。     

锚杆支护技术及工艺的新探索

鹤岗矿业集团公司大陆煤矿不断寻求锚喷支护技术及工艺的新突破,经过多年的探索建立起岩巷施工“光面爆破成形一高强锚杆支护一小喷厚成巷”的快速作业体系,使施工安全和工程质量得到保证,具有很高的安全效益和经济效益,其经验值得借鉴和推广。     

锂资源提取技术研究进展

锂被认为是21世纪最重要的能源金属之一，在全球减碳的共同目标下，新能源产业快速发展，推动过去3 a锂消费量的持续增长，引发国内外对提锂技术的研究热潮。根据锂资源的赋存状态，对矿石提锂及卤水提锂技术进行综述，系统性地总结对比了各种方法的优缺点。从矿石中提取锂的方法主要有石灰石烧结法、硫酸法、硫酸盐法、压煮法、氯化焙烧法、直接酸浸法；卤水提锂中受到广泛关注的技术主要有沉淀法、吸附法、溶剂萃取法、膜分离法、电化学法。由于碳酸锂价格高位回落，国际锂盐获取形势愈加严峻，因此不断开发并完善提锂技术，增强中国的锂资源自供自给能力，实现提锂技术的降本增效势在必行。     

过渡金属氮化物防扩散阻挡薄膜研究

用“S”枪磁控反应溅射制备TiN、ZrN和三元化合物(Ti、Zr)N薄膜。这些薄膜的电阻率在40～190μΩ·cm范围。它们与n~+型硅的接触电阻在10~(-3)～10~(-6)Ω·cm~2量级;与P型硅的接触电阻为10~(-3)Ω·cm~2量级。与n型硅形成的肖特基势垒高度为0.39V。TEM分析显示三种氮化物薄膜均为多晶结构。RBS、SAM和XRD的分析都表明TiN和ZrN薄膜作为防止铝/硅互扩散阻挡层所能承受的最高温度是600℃,(Ti、Zr)N为550℃。     

激光在半导体工艺中的应用

各种光源在半导体工艺的发展中一直起着重要的作用。如光刻、检验等许多关键工艺都需要一定的特定光源。与常规光源相比,激光具有相干性好、方向性强、亮度高等特点,因而在许多半导体工艺过程中得到广泛应用。许多新型的激光加工工艺为半导体技术的发展开辟了广阔的前景。激光用于半导体工业已经超过十年,早期的应用包括如激光划片、在陶瓷基片上打孔、双频激光精密定位、厚、薄膜电阻的激光微调等。其中激光微调仍是目前应用得最为普遍与成功的一种。     

一种稳定化光纤光源新型电路的设计

文章介绍了一种稳定化激光源的电路设计,详细阐述了电路设计的工作原理及实验调试结果。在激光源的实际工作温度范围内,其光功率输出值仅仅变化0.2dB。而且在某一固定的温度下,其输出值的精度为0.1dB。