高加速应力试验及极限应力试验综述

介绍了高加速应力试验(HAST)及极限应力试验(limit test)的基本概念和相关背景,列举了当前国内外一些常用的技术方法、工程应用状况、试验模型及分析方法、试验剖面的建立及失效机理的确定等。指出了高加速应力试验及极限应力试验要注意的问题,并对它们的发展动向作了简单的预测。     

FPGA可编程逻辑单元时序功能的设计实现

本文主要研究高性能FPGA可编程逻辑单元中分布式RAM和移位寄存器两种时序功能的设计实现方法.运用静态Latch实现分布式RAM的写入同步,以降低对时序控制电路的要求;为克服电荷共享问题,提出通过隔断存储单元之间通路的方法实现移位寄存器.以含两个四输入LUT(Look Up Table)的多功能可编程逻辑单元为例,详细说明电路的设计思路以及实现方法.研究表明,本文提出的方法可以简化对时序控制电路的设计要求,克服电荷共享问题,减少芯片面积.     

彩管用校正透镜的一种设计方法

本文介绍了校正透镜的设计与制造过程：通过对原始校正透镜及其试验管的测试数据进行分析、利用计算机对数据进行处理并建立数学模型,来达到CPT校正透镜的自我设计、修正,直至合乎要求。     

W波段回旋行波管放大器速度零散的分析

通过包含速度零散影响的回旋行波管放大器的非线性理论模型,以W波段两段结构回旋行波管放大器为例,详细分析了速度零散对放大器电子注—波互作用的影响.模拟结果表明,通过合理地调整互作用长度,减小电子横纵速度比、调节工作磁场等方法可以有效地减小速度零散的影响,对回旋行波管放大器的优化设计提供了理论依据.     

Pd-Ru/C催化剂的制备及其甲酸氧化活性研究

利用微波辅助有机溶胶法成功制备了Pd3Ru/C纳米电催化剂。相比传统的高压有机溶胶法,该法大大降低了有机溶剂的使用量并缩减了反应时间,是一种环境友好和资源节约的新型方法。采用XRD,TEM,XPS和电化学测试等手段对其结构和电化学性能进行了表征和评价。XRD和TEM结果表明微波辅助制备的Pd3Ru/C催化剂其粒径只有约3.0 nm,分散性也较Pd/C得到显著改善;XPS谱图证实催化剂活性组分Pd和Ru的原子比约为3.13∶1,Pd和Ru两种元素间发生了相互作用。与同条件制备的Pd/C催化剂相比,Pd3Ru/C催化剂在电极上发生甲酸氧化反应的主要峰电位负移了约100 mV,峰电流密度增大了2/3左右,其甲酸电氧化活性得到明显提高。     

一种LDO稳压器内部动态频率补偿电路的设计

针对LDO稳压器需要进行频率补偿的特点,本文在分析了LDO稳压器利用输出电容等效串联电阻(ESR)进行频率补偿原理的基础上,提出了一种新颖的LDO稳压器动态频率补偿方法。     

金属零件选区激光熔化快速成型技术的现状及发展

选区激光熔化(SLM)是为了直接获得致密的金属零件而发展起来的一种新型快速成型工艺.该方法利用直径30～50 μm的聚焦激光束,把金属或合金粉末逐层选区熔化,堆积成一个冶金结合、组织致密的实体.其外形不需进一步加工,经抛光或简单表面处理就可直接作模具或工具使用.阐述了目前SLM设备、工艺、软件等方面的现状、发展及应用.     

基于CAN总线的仓库温湿度监控系统的设计

为了提高仓库监控系统的可靠性和传输距离,设计了基于CAN总线的仓库监控系统。系统采用分布式网络结构,主要分为上位机和下位机两部分。上位机主要完成了EPP并口协议的CAN通讯适配器的设计以及仓库人机界面的软件设计;下位机主要完成了CAN节点和温、湿度等参数的传感器选型和对温、湿度等参数控制器的设计。设计的系统满足对大库区的环境参数实时检测的要求。     

驱动死区时间控制及其对D类音频功率放大器稳定性的影响

在D类音频功率放大器中,驱动死区时间控制是一个很流行的术语。它被用来防止击穿的发生。在当今的D类音频功率放大器的设计中,随着开关频率的不断提高,死区时间间隔相对于开关周期也变得足够的长,以至于影响了系统的性能。然而,短而有效的死区时间设置对于在D类转换端口获得更好的线性总是有益的。本文将详细阐述驱动死区时间控制对D类音频功率放大器的影响。通过采用内置的死区时间产生模块的驱动集成电路芯片来降低D类音频功率放大器外部端口器件的数量。仅通过两个额外的电阻来设置DT引脚电压就很容易地得到可选择的预编程死区时间。这种设置死区时间的方式可以阻止外部噪声对系统转换时间的影响,这对于音频的性能是至关重要的。     

一种低工艺敏感度,高PSRR带隙基准源

实现了一种高精度带隙基准源,该基准源在预调节电路中应用了电源行波减法技术,显著改善了输出电压的电源抑制比。提出了采用电流负反馈技术稳定预调节电路电流的方法,降低了带隙基准的温度特性和电源抑制比对阈值电压的敏感度。考虑晶体管阈值电压发生±20%变化的情况下,仿真得到的基准源的温度系数和电源抑制比变化分别只有0.11ppm和7dB。测试结果表明,该基准源在-20～100℃的范围内的有效温度系数为25.7ppm/℃,低频电源抑制比为-68dB。其功耗为0.5mW,采用中芯国际0.35μm5-V混合信号CMOS工艺实现,有效芯片面积为300μm×200μm。