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101.
采用一种新的简化VBIC模型对单、多指InGaP/GaAs HBT器件进行建模.测量和模型仿真FV特性及其在多偏置条件下多频率点S参数对比结果表明,DC~9GHz频率范围内,简化后的模型可对InGaP/GaAs HBT交流小信号特性进行较好的表征.利用建立的模型设计出DC~9GHz两级直接耦合宽带放大器,该放大器增益达到19dB,输入、输出回波损耗分别低于-10dB和-8dB. 相似文献
102.
对III-V族化合物HBT模型本征集电极和发射极电流方程进行了改进,加强了模型的拟合能力. 给出了HBT在零偏和冷偏下的等效电路模型,为精确提取基-射、基-集结本征和外围结电容,开发出一种新的、从零偏条件下测量所得S参数中直接提取本征、外部结电容的方法,该方法同时允许本征集电极电阻(Rci) 的解析提取. 运用该方法精确提取了一发射结面积为180μm2的GaAs HBT器件参数,验证结果表明,算法精度可达40GHz. 相似文献
103.
在深亚微米下,变线宽技术是互连线优化的一种有效方法,针对时钟网布线,提出一种分布优化时延、面积和时钟偏差的变线宽算法,其中各阶段的优化是有机结合的,首先,提出一种基于敏感度的方法优化互连线树的延迟;而后在满足延迟约束的条件下,通过近似规划法使连线面积的增加最小;最后,为了确保时钟偏差小于给定的约束,进一步对时钟树枝宽度进行局部调整,实验表明,通过将基于敏感度的方法和较严格的数学规划方法结合起来可有 相似文献
104.
从工程中一种常见的机器隔振模型出发,运用导纳模态方法,得出了输入到基础梁的功率流表达式,根据试验数据模拟了形状记忆合金的超弹性循环曲线并计算了TiNi形状记忆合金丝在一定振幅下循环加卸载时的超弹性等效阻尼,并将记忆合金丝作为一种等效阻尼材料应用到隔振模型中,通过计算机仿真,得出在此模型中使用记忆合金丝作为阻尼材料及用与合金丝在几个频率时的等效阻尼相当的普通阻尼材料时输入到基础的功率谱图,分析了记忆合合作为阻尼材料时对模型隔振效果的影响,从而得出其作为阻尼材料的优越之处。 相似文献
105.
阐述了在集成电路设计实践教学中如何结合最新的EDA(电子设计自动化)工具,提高学生的实际设计应用水平。就集成电路设计教学参考流程的建立、实践教学内容和方法的确定、软硬件实践教学环境的建设进行了讨论。 相似文献
106.
提出一种改进的累积型MOS变容管射频模型,改进后模型方程可精确描述累积型MOS变容管全工作区域特性;模型方程连续,且任意阶次可导,至少三阶导数求解结果可实现与测试结果的精确拟合,解决了原模型可导但导数错误、变阻方程不连续等问题.模型最终应用到采用CSM(Chartered Semiconductor Manufacture Ltd)0.25μm RF-CMOS工艺制造的一30栅指(每指尺寸为长L=1μm,宽W=4.76μm)累积型MOS变容管建模中,测量和仿真所得C-V,R-V特性,品质因素以及高达39GHz S参数对比结果验证了模型的良好精度. 相似文献
107.
108.
设计了一种宽带且适合低压工作的上变频混频器.该上变频混频器采用电流注入结构缓减混频器噪声和线性度的相互制约关系,采用伪差分结构和LC负载结构实现低压工作.上变频混频器采用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺实现,射频输入频率范围为50~860MHz.通过Cadence SpectreRF对混频器进行仿真,在1V的工作电压下,取得变频增益约为5.34dB,噪声系数约为21dB,1 dB压缩点约为-3.2dBm、三阶输入交调点约为12dBm,功耗为5mW.在整个射频宽带内,混频器性能参数稍有变化,波动范围较小.仿真结果证明,该宽带混频器结构适合低压工作,可应用于数字电视调谐器中. 相似文献
109.
针对复杂隔振系统—单层隔振和多层隔振的混合式系统的求解策略进行了详细的理论分析 ,提出了深度优先的结构化建模方法 以功率流传递的路线为依据 ,给出了系统按深度优先原则进行分析的求解算法 ,并从面向对象 (Object-oriented)的观点讨论了复杂柔性系统的功率流求解策略 相似文献
110.
从黄伞子实体中提取出水溶性粗多糖,经DEAE Sepharose Fast Flow和SuperdexTM 200柱层析分离纯化得到一种多糖组分PAP2。采用高效凝胶渗透色谱法(HPGPC)检测其为均一多糖组分,平均分子质量为2.1×106u;经高效液相色谱-蒸发光散射(HPLC-ESLD)检测表明PAP2主要由葡萄糖组成;结合红外光谱、核磁共振1H NMR和13C NMR分析表明,黄伞子实体多糖PAP2是一种α-D-吡喃葡聚糖,主链为1-4糖苷键,存在1-6糖苷键的支链。 相似文献