珠江流域重要饮用水水源地安全保障达标建设成效与挑战

饮用水水源地安全保障达标建设是保障饮水安全的重要手段。基于2018—2022年珠江流域（片）重要饮用水水源地安全保障达标建设的年度抽查情况,从水量、水质、监控、制度4个方面分析了近5年水源地安全保障建设成效。分析了水源地安全保障建设面临的新要求和新形势,结合挑战提出相应建议,以期推动水源地管理与保护提档升级。     

高中信息技术理论课创新探究

当今,由于时代的飞速发展,信息技术成为高中学生的必修课,被摆在了越来越重要的位置。要想切实提高信息技术课教学质量和学生的学习效率,我们需要改变传统的信息技术课教学模式,必须加强信息技术课理论的教学。教材对理论知识没有作过多的论述,占用篇幅较少,知识的系统性比较薄弱;学习内容较艰涩难懂,少趣味陛。如何能在理论课中实现突破,既能使学生主动、愉决地掌握理论知识,又能有效地培养学生信息素养呢？     

高阶不确定系统的自适应跟踪控制

针对一类未知控制增益的不确定非线性系统,提出了一种自适应跟踪控制方法.文中的不确定性包括时变和时不变参数.基于反步设计法,提出了一种新的自适应控制方法.该方法不采用饱和控制,能保证跟踪误差收敛于零.提出了一个仿真例子,仿真结果说明了该方法的有效性.     

浮筏隔振系统多维耦合振动特性分析

针对工程中的浮筏隔振装置,建立了柔性基础上复杂激励多维耦合隔振系统动力学模型。考虑隔振支撑多维波动效应,运用子结构导纳法推导了耦合系统动态传递方程及功率流表达式,给出了系统的功率流谱。数值模拟计算表明,复杂激励隔振系统在低频域出现多个共振峰,在高频域基础的弯曲共振模态及隔振器驻波效应使得系统功率流提高。减小隔振器刚度能明显降低系统功率流但也使驻波效应提前。增加筏体质量可明显降低系统功率流。     

不锈钢缩放管中典型致垢微生物致垢能力

以电厂循环冷却塔塔底黏泥中分离纯化出的3种致垢微生物铁细菌（IB）、硫酸盐还原菌（SRB）、黏液形成菌（HB）为实验菌种,利用污垢热阻动态模拟实验台,在恒定工况下（水温30 ℃,流速0.4 m/s）,动态模拟了3种致垢菌及其混合菌的微生物污垢形成过程。实验测得了3种致垢菌和混合菌的污垢热阻,并对垢样成分进行了ICP-MS和阴离子分析。结果表明：污垢诱导期分别为28 h、45 h、70 h和18 h;污垢热阻渐近值为2 10?4 m2?K/W、1.75 10?4 m2?K/W、1.45 10?4 m2?K/W和4.9 10?4 m2?K/W。由此表明致垢菌的致垢能力大小为：混合菌＞IB＞SRB＞HB。垢样成分分析结果表明：IB垢样成分分析中Fe、C和NO3?含量较多,而重金属离子及Cl?含量较少,说明其具有较强的致垢能力而腐蚀能力较弱;SRB垢样分析显示,S、Fe及Cl?相对较高,且重金属Ni、Cr含量较多,说明其致垢的同时具有较强的腐蚀特性;HB形成的污垢主要以C、N及NO3?为主,且含有一定量的Cl?,表明此菌也具有一定的腐蚀性质。     

试验机软件联网方式的探讨

介绍了目前试验机软件联网的两种"无缝连接"的主要方式:数据库方式和动态链接库方式.根据第三方软件公司在与试验机厂家联网过程中出现的问题.在保证试验机控制系统安全性的前提下,能方便快捷地为用户实现联网,着重介绍了动态链接库联网方式.     

试验机软件界面自动匹配设计

随着计算机显示器的不断发展,为了适应各种不同大小分辨率的显示器,并且完美的展现软件界面,使用编程工具获取、设置显示器分辨率,在试验机软件中实现了界面的自动匹配。     

基于表面势的GaN HEMT 集约内核模型

从器件表面势机理出发,考虑载流子浓度升高时费米势的变化,首次在二维泊松方程中引入新的费米势近似式,重构表面势源头方程,提出了一种直接基于表面势建立氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)器件模型的方法,建立了包括积累区和过渡区的物理基集约内核模型。表面势引入模型突破了现有的建模技术,给集约模型的建立提供可信的内核模型方程和理论基础。模型采用解析近似求解获得表面势,Pao-Sah模型验证可行性,I-V、C-V特性曲线与TCAD软件仿真的结果有很好的拟合,能准确描述各种偏置条件下GaN HEMT的电流、电荷特性。     

高速锗硅异质结双极晶体管HICUM可缩放模型

介绍了一种基于HICUM模型建立高速锗硅异质结双极可缩放模型的流程,结合一批不同物理设计尺寸晶体管的测试数据,建立了HICUM模型参数缩放数学方程.建立的可缩放模型在商用仿真器中进行了仿真验证,模型仿真结果与测试数据有很好的吻合.     

模拟电路MOSFET晶体管失配研究:模型和参数

MOSFET晶体管的精确匹配对模拟和混合集成电路最终性能至关重要,因此漏电流失配方差或标准差大小的计算伴随着MOSFET器件特征尺寸的减小一直不断地发展和演进.针对模拟集成电路设计中MOSFET漏电流失配,围绕模型和参数选取这一核心问题进行回顾、分析和总结,并说明其应用.同时研究其最新的进展情况及面临的问题,最后提出了...