用超临界二氧化碳法合成偶氮苯-环糊精纳米复合体

以超临界二氧化碳为溶媒，将偶氧苯分子插入到α-以及β-环糊精的分子环空洞中合成出了偶氧苯-环糊精纳米复合体。环糊精与偶氧苯的摩尔分子为1：1的混合物，放入压力30MPa、温度120℃的超临界装置中处理后，对其生成物采用红外、固体核磁共振、X-射线衍射、差热分析及化学元素分析等手段进行了分析，结果表明偶氧苯成功地插入到β-环糊精分子环空洞中形成了纳米复合体，而α-环式糊精与偶氮苯之间只是简单的物理混合物，没有形成纳米复合体。所得到的偶氮苯-β-环式糊精复合体具有通道式分子结构：二个β-环式糊精分子捕获一个偶氧苯分子，β-环式糊精的分子环空洞连成一个通道。偶氧苯插入到β-环式糊粉分子环空洞中后其热稳定性也得到大幅度提高。     

基于BP网络虚拟企业敏捷性评价

高敏捷性是虚拟企业适应不断变化的市场必备的素质，如何对它进行准确评价是虚拟企业运行中的重要问题，针对此问题先对虚拟企业及其盟员敏捷性之间的关系进行了分析，然后归纳总结出了可行的敏捷性评价指标，提出在已知虚拟企业盟员敏捷性的基础上用BP神经网络来计算虚拟企业的敏捷性，最后通过仿真试验测试了该方法的可行性。     

航空遥感相机Ronchi光栅自准直检焦模型分析与验证

为解决航空遥感相机检焦系统故障分析、元器件选型及提高检焦精度的问题,本文深入研究了基于Ronchi光栅的光电自准直检焦法。首先,归纳总结了国内外航空相机常用的几种检焦方法,对比了每种检焦方法的优缺点。接着,重点介绍了基于Ronchi光栅的光电自准直检焦系统的构成和工作原理,建立了数学模型,模拟了检焦系统在不同像面位置处的输出波形。然后,为衡量离焦程度,提出了离焦评价因子的概念,接着分析了光学系统的衍射效应和像差大小、Ronchi光栅的周期选择及检焦光源的能量分布这三种因素对检焦精度的影响,给出了Ronchi光栅周期的选择方法。最后,通过实验的方法对本文的仿真结果加以验证。实验结果表明:合焦波形的峰峰值占比0.82,对应0.05 mm步长下的平均检焦分辨力约为10%。     

基于因子分析结合加权Topsis法对化学制药 上市公司竞争力的综合评价

以A股上市70家化学制药公司为研究样本,从偿债能力、盈利能力、营运能力及研发能力选取13个财务指标。利用2013-2017年面板数据,采用因子分析法计算出公司近五年的因子综合得分。在此基础上,以公因子的方差贡献率为权重,利用加权Topsis评价法得到最优因子方案贴近度,对样本期间内各公司竞争力进行综合评价。结果表明,国内化学制药上市公司竞争力呈现两极分化态势,仅有21.43%的化学制药上市公司的最优因子方案贴近度大于0.5。     

电荷耦合器件的~(60)Coγ射线和电子辐射损伤效应

对东芝公司生产的TCD1209D线阵电荷耦合器件(CCDs)进行了60Coγ和1 MeV电子辐照实验,获得了CCDs的像元信号输出波形、像元光强量化值及器件功耗电流随辐照剂量的变化规律。比较了两种射线产生的CCDs辐射损伤。结果显示,60Coγ和1 MeV电子导致的CCDs辐射损伤不仅在程序上存在差异,而且二者的表现形式也有所不同。分析了电离辐射和位移损伤对CCDs内部不同单元的影响,表明了电子辐照产生的位移损伤是造成上述差别的重要原因。     

RTL电路的时序优化设计

时序设计是数字系统性能的关键,在高层设计方法中对时序的控制进一步抽象,我们在介绍电路时钟和时序的基础上分析了RTL电路的时序模型,该模型讨论了RTL电路的时延路径、建立保持时间以及瞠工作的条件,并据此提出了相应的设计策略,通过实践证明这种设计方法是行之有效的。     

不同偏置下电流反馈运算放大器的电离辐射效应

在不同偏置条件下,对基于互补双极工艺生产的电流反馈运算放大器（CFA）进行了高低剂量率下的电离辐射效应研究。研究发现,在不同偏置条件下,器件损伤差异明显。在零偏条件下,器件在低剂量率下损伤显著增强,表现为低剂量率损伤增强效应（ELDRS）;在小工作电压下辐照时,器件损伤较小,且不同剂量率之间损伤差异不明显;而在大工作电压下辐照时,器件在高剂量率下的损伤明显大于低剂量率下的损伤,在随后的室温退火中,又恢复到与低剂量率损伤相当的程度,表现为时间相关效应。结果表明,双极器件是否具有ELDRS效应与实验偏置条件有重要关系。     

PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应研究

为研究PMOSFET的低剂量率辐射损伤增强效应,本文对4007电路中PMOSFET在不同剂量率、不同偏置条件下的辐射响应特性及高剂量率辐照后不同温度下的退火效应进行了讨论。实验结果表明：相比高剂量率,低剂量率辐照时PMOSFET阈值电压漂移更明显,此种PMOSFET具有低剂量率辐射损伤增强效应;高剂量率辐照后进行室温退火时,由于界面陷阱电荷的影响,PMOSFET阈值电压继续负向漂移,退火温度越高,阈值电压回漂越明显;辐照时,零偏置条件下器件阈值电压的漂移较负偏置时的大,认为是最劣偏置。     

不同60Coγ剂量率下10位双极D/A转换器的总剂量效应

为探索电离辐射对数模混合电路的影响,对国产10位双极D/A转换器在60Coγ射线不同剂量率辐照下的电离辐射效应及退火特性进行研究。结果表明：D/A转换器对辐照剂量率十分敏感,在大剂量率辐照时,电路功能正常,各功能参数变化较小;在低剂量率辐照下,各参数变化显著,电路功能出现异常,表现出明显的低剂量率损伤增强效应。最后,结合空间电荷模型对其电离辐射损伤机理进行了初步探讨。     

基于FPGA的高精度时间测量电路的实现

介绍了一种基于FPGA技术的TDC(Time to Digital Convrtor)的实现,利用FPGA中加法器固有的进位链的延迟实现时间内插电路来完成TDC中的细计数部分.此TDC结构是一种基于最新的WUTDC(Wave Union TDC)技术,通过再次细分进位链中的超宽码来提高测量精度.经过板级测试和在线调试,证明该转换电路线性度良好,RMS精度好于40ps.