一种高效Cable Modem SOC软硬件协同验证平台

通过对基于龙芯一号CPU的双向有线调制解调器SOC的研究,利用软件仿真和硬件模拟相结合的方法,设计了一种软硬件协同验证平台TWCNP,可分别对EuroDOCSIS协议栈、EuroDOCSIS协议处理器、整个双向有线网络SOC等软硬件进行验证,并实现了验证和设计的统一.为了提高TWCNP的验证时效性,提出了一种基于TWCNP-OS的软硬件协同验证方法,缩短了开发周期,保证了SOC设计的可靠性.     

基于GAPSO混合算法的网格工作流调度研究

网格工作流调度关注大规模的资源和任务调度,是一个复杂且具有挑战性的问题,它影响着网格工作流执行成功与否以及效率的高低。提出了基于遗传粒子群(GAPSO)的混合算法,引用了特殊的适应度函数,设定了动态的交叉和变异概率,并提出了动态切换算法的方法。结合各自算法的优势,在算法运行初期利用遗传算法的全局搜索能力进行优化搜索,在后期利用粒子群较强的局部搜索能力加快收敛速度。仿真结果表明该算法在执行时间方面有一定的优越性,能更有效地解决网格工作流调度问题。     

在不同WEB服务器上兼容FrontPage组件

FrontPage中提供了许多组件,在FPServer(WEB)服务器的支持下,可以方便地利用这些组件实现网页访问计数和诸如动态按钮等功能。FrontPage同时也提供了服务器扩展软件,可以使不同种类的WEB服务器软件与FrontPage服务器兼容,使含有FrontPage组件的网段(页)在不同的服务器上者能得到支持。下面以PWS (Microsoft Personal Web Server)服务器和实现网页访问计数功能为例,介绍在不同种类的WEB服务器上兼容支持FrontPage组件的方法。     

嵌入式装置图形化编程工具软件设计与应用

嵌入式图形编程工具软件采用组件化设计,以图形化、层次化、面向对象的编程方式组织整个装置的程序结构。该软件主要包括符号库编辑组件、资源管理器组件、图形编辑组件、代码生成组件、编译链接等组件。介绍了相关组件的设计要点,提出了基于可扩展属性的符号库建模方法、类lEC61131－3标准的层次结构数据模型、基于MVC模型的图形编辑器、基于改进AOV网拓扑排序的代码生成方法、基于可配置模板的Makefile形成方法。基于该软件开发的程序已经在电力系统保护控制装置中应用,实践表明图形化编程工具软件能形成高效紧凑的代码,符合程序运行效率的要求,提高了装置开发集成效率。     

半桥型LLC变换器稳态建模与参数设计

本文介绍了LLC型谐振变换器的主电路结构和工作原理。通过基波分析法对半桥型LLC谐振变换器进行稳态建模分析,得出了谐振腔的等效电路和直流增益表达式。基于稳态模型的基础上,给出了半桥型LLC谐振电容、谐振电感和励磁电感的设计方法。最后通过saber仿真验证了半桥型LLC谐振变换器稳态模型与参数设计方法的正确性。     

基于云计算平台的鉴权分析

国内云计算平台以系统内部认证和授权作为主要的鉴权方式。在研究国外开源的云平台项目的鉴权方式基础上,分析了云计算平台的认证管理和授权服务过程,实现了鉴权模块的集成,云计算平台在调用服务时通过鉴权模块的统一认证和授权,可以达到权限和资源的有效管理。试验结果表明,此模块的集成可以应用到云计算平台中。     

当前RNA序列比对技术的分析

新一代测序技术的发展给DNA及RNA序列的分析带来了机遇和挑战,新一代测序技术产生的数据不同于传统测序技术产生的数据,高通量、低成本、信息量巨大的特点使得RNA序列的分析进入了一个全新的时代,以往的外显子芯片无法得到全基因组的完整信息,也无法观测到基因融合的问题,新一代测序技术使得对RNA序列的分析有了更深入的了解。文中简单介绍了DNA序列方法,以及当前主要的RNA序列比对工具的基本原理,分析了各种方法的优缺点。     

溅射工艺条件对氧化钒欧姆接触特性的影响

采用反应磁控溅射并在氧氛围下进行后退火处理的方式,制备了氧化钒薄膜.尝试了在氧化钒上以不同衬底温度和溅射功率等工艺条件溅射金属薄膜电极.通过对氧化钒-金属接触的电流-电压(I-V)测试的数据进行分析拟合,研究了氧化钒薄膜表面性质和测试偏压的变化对I-V特性曲线欧姆系数的影响.结果表明在化学计量比约为VO2.15的非晶氧化钒薄膜上,溅射的金属电极随着溅射功率和测试偏压的提高,I-V特性曲线的线性度得到了逐步的改善.通过比较Ni/Cr,Ti及Al不同金属电极的接触性能,提出了合理的欧姆接触工艺条件以及电极工作电压范围.     

直流磁控溅射ITO薄膜的正交试验分析

利用直流磁控溅射系统制备ITO薄膜,采用正交试验表格L32(48)安排试验.测试了薄膜的方阻和透过率,分析了8个工艺参数对薄膜电光特性的影响,其中沉积气压、氩氧流量比和退火温度的影响最大.分析得到优化工艺参数为:沉积气压2×133.322 4 mPa、氩氧流量比16∶0.5、退火温度427 ℃、靶基间距15、退火时间1 h、溅射功率300 W、退火氛围为真空、沉积温度227 ℃.在此工艺参数下制备的ITO薄膜方阻为17 Ω/□,电阻率为1.87×10-4Ω·cm,在可见光区域平均透过率为85.13%.     

交流高压介质瓷料

在BaTiO3中适量引入Dy2O3,采用固相法合成(Ba1xDyx)TiO3,外加适量的CuO、MnCO3等添加剂,恰当控制喷雾造粒工艺,试制出交流高压电容器瓷料。利用Dy3+易于晶界或晶界附近分凝并使杂质富集于晶界或其附近,阻止晶界移动,使陶瓷晶粒细化的作用,达到提高陶瓷介质交流抗电强度的目的。大生产瓷料主要性能:er为7 200~ 8 000,tgd为(1.0~1.1)?02,ΔC/C,30℃时为(30~40)%,+85℃时为(50~53)%,交流抗电强度EAC为3.5~4.1 MV/m。