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随着MOSFET的特征尺寸进入20nm技术节点,源漏接触电阻成为源漏寄生电阻的主导部分,后栅工艺对硅化物的高温特性提出了更高的要求。分析了Ni/Ti/Si结构在不同温度退火下形成的硅化物的薄膜特性和方块电阻。分别采用J-V和C-V方法,提取硅化物与n-Si(100)接触的势垒高度。Ni/Ti/Si结构形成的镍硅化物在高温下具有良好的薄膜特性,并且可以得到低势垒的肖特基接触。随着退火温度的升高,势垒高度逐渐降低。研究了界面态的影响,在低于650℃的温度下退火,界面态密度随退火温度升高而逐渐增大,高于750℃后,界面电荷极性翻转。 相似文献
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MIMO-OFDM系统定时同步算法 总被引:3,自引:5,他引:3
应用MIMO—OFDM无线通信系统的空间信号资源,提出了基于单个前导符号的MIMO--OFDM系统帧定时和符号定时同步的分集算法,以克服高速无线多径信道中深衰落对MIMO—OFDM系统定时同步性能的影响,给出了具体的帧定时、符号定时同步的分集算法以及在高速无线多径信道COST207模型下帧定时和符号定时同步的仿真结果。 相似文献
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79.
鉴于抽水蓄能电站运行的特殊性和复杂性,响洪甸计算机监控系统按照“无人值班,少人值守”的原则对硬件配置,软件开发及网络结构进行研究和处理,采取措施保证监控系统的可靠性,实时性及实用性。 相似文献
80.
500kV电容式电压互感器预试时的电容量和介损测试分析 总被引:2,自引:0,他引:2
阐述了500kV电容式电压互感器在不拆一次引线进行预防性试验时测量电容量和介质损耗因数的方法和技术,并进行了理论推导和实例分析。分析结果表明:该测试方法易操作、误差小,泽现场预试有一定的指导意义。 相似文献