掺杂氧化钒薄膜的制备及其热光特性

以石英片为基底材料,采用直流/射频磁控共溅射方法制备了掺Al和掺Ti的氧化钒薄膜,重点探索了用这种方法制备掺杂氧化钒薄膜的工艺条件,对所制备的氧化钒薄膜进行了热光性能测试,并利用能带理论对测试结果进行分析.实验及测试结果表明,在氧化钒薄膜中掺入Ti杂质与掺入Al杂质相比,对薄膜的热光性质的改变所起的作用更为明显.增大Ti杂质的含量对薄膜的电阻-温度特性、相变温度,以及相变滞豫区的改善比较明显,但提高了薄膜的相变温度,而掺Al引起的变化规律与此相反.     

小型化低相噪星载铷原子频标研制及其性能分析

随着我国天地一体化通信网络的建设,采用微小卫星作为天基平台,与地面站相互配合,可实现信号的全球覆盖和高速传输.新的通信方式对时钟的稳定性和精确性提出了更高的需求,采用晶振已无法满足.针对这种需求,结合铷原子频标具有较好的短期频率稳定度的特点,采用微波锁相倍频、数字频率综合以及TE011模式磁控管腔等技术,对星载铷原子频...     

铷原子频标温度系数补偿技术研究

铷原子频标输出频率随工作环境温度变化而改变,影响其频率稳定度指标.为了降低铷原子频标的温度系数,设计了一种基于铷原子基态超精细能级跃迁的微波激励频率补偿电路.该电路在保证铷原子频标相位噪声和短期频率稳定度不受影响的条件下,具有良好的温度系数补偿效果,对于进一步提高铷原子频标的技术指标具有积极的作用.     

小型化铷原子频标微波高次倍频器的设计与研究

依据阶跃恢复二极管高次倍频原理,采用同轴滤波器,设计了一种小型化铷原子频标的微波高次倍频器.测试结果表明:该倍频器的输入信号频率为40 MHz;倍频次数为171;输出信号频率为6840 MHz;微波输出功率优于- 25 dBm.该倍频器接入铷原子频标系统,实现了闭环锁定,符合小型化铷原子频标的要求.     

掺钨二氧化钒薄膜的制备与分析

通过凋研国内外的各种制备方法,比较它们的优缺点后,选用磁控溅射法.在硅片上得到了电阻变化2个数量级的二氧化钒(VO2)薄膜.对薄膜进行电学性能的测试,结果表明:掺钨后二氧化钒薄膜的相变温度比纯的二氧化钒薄膜相变温度有所降低,掺钨后薄膜的近红外透射率也随之减小.通过X射线衍射和X射线光电子谱对薄膜的微观结构和组分进行了分析.     

改进铷原子频标中微波功率频移的试验研究

微波功率频移是影响铷原子频标中长期稳定度的重要因素之一。本文对形成铷原子频标中微波功率频移的机理进行分析研究,对铷原子频标的C场场强、光强和微波场强的均匀性进行优化改进,以减小铷原子频标的微波功率频移敏感性。通过试验测试,进一步验证了形成铷原子频标微波功率频移的机理;总结了铷原子频标微波功率频移的主要特点;并得出在铷原子频标信噪比最大处,铷原子频标的微波功率频移系数优于3.5×10^-12dB^-1。     

二氧化钒薄膜退火特性研究

用磁控反应溅射法加退火工艺在石英玻璃上制备出具有相变特性的二氧化钒薄膜,通过XRD、SEM和波长200～2500nm的光学透过率的测试对薄膜的结构和特性进行分析,研究退火对薄膜的结构和光电特性的影响。     

磁控溅射沉积二氧化钒薄膜及其电致相变特性研究

采用反应射频磁控溅射技术在熔融石英玻璃衬底上制备了组分单一的二氧化钒薄膜。在制备好的二氧化钒薄膜上使用半导体工艺制备了金属叉指电极,通过半导体测试仪测试其电致相变特性。结果表明,当电极上所加电压达到一定阈值时电流发生突变,即薄膜发生半导体-金属相变。