基于AHP—模糊综合评价的煤田火区危险性评价及应用

针对煤田火区对煤矿安全生产造成的严重威胁,建立了煤田火区危险性评价指标体系,从覆岩裂隙发育程度、煤田火区管理、煤层自燃危险性、防灭火技术措施、预测预报措施和安全管理6个方面进行煤田火区危险性评价;采用AHP—模糊综合评价法对公乌素矿进行煤田火区危险性评价,评价结果为一般。该评价体系的建立,有助于促进煤矿安全资源的合理配置,优化煤矿企业安全管理。     

脉冲激光信息的同步判断和捕捉

提出了采用面阵CCD,Fabry_Perot标准具测量脉冲激光波长时的同步判断和捕捉方法,其关键是正确选取序列图像的特征值,画出有关该特征值的统计直方图并选择合理算法确定有关该特征值的阈值;编写图像处理的回调函数,实现图像并行处理。根据CCD的PAL工作制式,用内插法重建捕捉到的图像,以利于后续图像处理。     

基于EMD间隔阈值消噪与极大似然估计的滚动轴承故障诊断方法

针对小波阈值消噪用作滚动轴承故障信号处理存在小波基函数较难选择及传统硬阈值、软阈值消噪效果差等缺点,将EMD间隔阈值消噪与极大似然估计相结合,应用于滚动轴承早期微弱故障诊断。对原始信号进行EMD分解;对各IMF进行基于极大似然估计的间隔阈值消噪,并重构出故障信号;进行包络谱分析得出诊断结果。数字仿真信号与实验信号验证了该方法的有效性。     

基于大型放水试验的矿区流场演化规律模拟研究

 基于地下水井流理论,通过大型干扰井群放水试验,查明了矿区深部煤层底板太灰含水层的富水性、补径排条件及其和下伏奥灰含水层的水力联系,在此基础上运用FEFLOW软件对本次大型干扰放水试验进行了数值模拟计算,与解析解互相对比、验证,克服了构造复杂矿区解析法适用的局限性。综合结果表明太灰含水层径流条件较好,岩溶相对发育,且富水性不均一,与下伏奥灰水水力联系极其微弱,区内孟口断层阻水有差异性,自北向南部隔水性变差。研究结果可对矿区防治水规划、设计及配套工程提供依据。     

基于Dijkstra的发电厂电缆敷设优化算法

本文以普遍应用的 Dijkstra 最短路径算法为基础,针对发电厂电缆敷设工作特点进行适应性修改,并在实践工作中进行了评估。     

气候变化和水利工程对丹江口大坝下游水文情势的影响

采用变化范围法划分不同影响期,并对丹江口下游的黄家港站1965—2017年水文情势的变化趋势进行评估。结果表明:丹江口大坝蓄水使下游河道枯水期的流量增加,丰水期和平水期的流量减少;气候变化引起的降雨减少使各月份的月中值流量和年极大值流量减少,低流量脉冲次数增加;梯级大坝的修建使黄家港水文站受回水影响,月中值流量和年极小值流量增加,发生时间提前。受南水北调中线工程调水影响,月中值流量和年极小值流量大幅度减少,高/低流量脉冲次数增加。不同时期影响造成汉江中下游水文情势的波动,并影响了汉江中下游水生态系统的稳定性。     

煤热解废水的气浮除油技术

指出了煤热解废水中油脂的存在形态主要为浮油、分散油、乳化油、溶解油及固体附着油,对常见的适用于煤热解废水的气浮除油技术,如诱导气浮、加压溶气气浮、旋流气浮一体化、涡凹气浮、溶气泵气浮、浅层气浮、电化学气浮及超声波气浮技术及特点进行了介绍,并对工程化应用中的气浮除油技术选型问题进行了分析讨论。     

橡胶/类金刚石复合材料界面结合及摩擦性能研究进展

综述了橡胶表面沉积DLC薄膜的主要制备技术,包括磁控溅射法和等离子体化学气相沉积法。概括了橡胶/DLC复合材料的表面形貌特性,尤其是温差对表面斑块结构的影响机制。重点介绍了X切割法、划痕法及拉伸法为主的橡胶/DLC复合材料界面结合力的评估方法,分析了基体表面等离子体处理、添加过渡层及异质元素掺杂DLC薄膜对提升橡胶与DLC薄膜结合力的影响。此外,以刚性球为摩擦配副,阐述了橡胶/DLC复合材料的摩擦性能测试方法。基于橡胶的黏弹特性,探讨了橡胶/DLC复合材料的摩擦行为,并归纳了Maxwell模型、Voigt模型、双Voigt模型和SLS模型的特点和局限性。最后,围绕目前橡胶表面DLC薄膜耐磨改性工作中存在的问题和挑战,探讨和展望了未来的研究方向。     

指数威布尔分布参数的模糊最小二乘估计

讨论了当寿命数据含有异常数据时指数威布尔分布参数的估计问题。当寿命数据含有异常数据时,利用基于模糊聚类的最小二乘方法对参数进行估计,这种方法能削弱异常数据的影响。并获得了在完全样本情形下参数的最小二乘估计和加权最小二乘估计。最后给出数值模拟,结果显示模糊最小二乘估计是正确有效的。     

高纯InGaAs.InP 和 InGaAs/InP多层结构的气相外延生长

一、引言与 InP(In_(0.53)Ga_(0.47)As)晶格相匹配的 InGaAs,在光子、电子和集成光电子学的应用方面受到了普遍的注意。载流子浓度低于10~(15)cm~(-3)的高纯 InGaAs 因与低载流子浓度有关的较低的器件电容,使其成为PIN 光探测器的特殊需要。与高纯 GaAs 有关的高电子迁移率对微波器件,如 FETs 和