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81.
82.
导弹天线罩的电性能指标是决定瞄准精度的主要因素之一,为改善天线罩电性能,研制专用修磨机床对天线罩内廓面进行精密修磨.如何精确测量并重构出天线罩的内廓型面,建立精密加工基准,是实现天线罩精密修磨必须首要解决的关键问题.针对天线罩内廓型面的特点,采用等弦高法获取测量型值点,并应用基于最小二乘法的双三次 B 样条方法重构出测量及加工后的内廓型面.研究结果表明,该方法可快速精确地实现天线罩内廓型面的测量与重构.  相似文献   
83.
航空航天制造业中存在大量的铝合金装配孔加工需求。装配孔主要通过钻削加工实现,加工中存在铝合金出口毛刺过大的问题。出口毛刺直接影响工件的精度、抗疲劳强度、装配性能,去毛刺工序会极大地增加工时和成本。因此有必要对铝合金装配孔钻削出口毛刺进行研究,实现对出口毛刺的控制。从铝合金钻削出口毛刺的类型和测量方法、形成机理和高度预测以及毛刺控制方法等方面进行了系统性的论述,以期为铝合金钻削加工出口毛刺的研究提供帮助。   相似文献   
84.
用树脂结合剂金刚石砂轮将贴膜厚度为80 μm和160 μm的单晶硅片减薄到400 μm,通过测量硅片边缘的崩边尺寸评价贴膜对硅片加工质量的影响。试验结果表明:硅片贴膜能有效降低硅片碎片率;当硅片未贴膜时,硅片的平均崩边尺寸为3.08 μm,当硅片贴膜厚度为80 μm和160 μm时,硅片的平均崩边尺寸为4.61 μm和3.60 μm;即硅片贴膜磨削对硅片崩边有恶化作用,但该影响较小,用厚膜时恶化程度可控制在20%以内。且用23 μm金刚石砂轮减薄磨削贴膜硅片时,硅片<110>晶向和<100>晶向的崩边尺寸无明显差异。   相似文献   
85.
硅片超精密磨床的发展现状   总被引:4,自引:0,他引:4  
硅片超精密磨床是半导体集成电路(IC)制造中的关键装备,主要应用于IC制程中的硅片制备加工和IC后道制程中图形硅片的背面减薄。国外硅片超精密磨床制造技术发展很快,具有高精度化、集成化、自动化等特点。介绍了超精密磨床在大尺寸(≥φ300mm)硅片超精密加工中的应用状况,详细评述了国外先进硅片超精密磨床的特点,并指出了大尺寸硅片超精密加工技术的发展趋势。  相似文献   
86.
Nomex蜂窝芯是典型的难加工材料,具有高比强度,比刚度及各向异性的特点。超声辅助切割是蜂窝芯复合材料的一种高效加工方法,可以得到比高速铣削更好的加工质量。但是在超声切割加工过程中依然会存在不同程度的纤维拔出,酚醛清漆层剥落等加工缺陷特征。为了研究其微观形貌特征,采用纵切,斜切,横切三种方式切割蜂窝芯,并对蜂窝芯的加工形貌进行观测。根据微观形貌在蜂窝芯壁上的位置,分别归纳为酚醛清漆层、热压芳纶纸层和蜂窝壁的形貌。研究超声刀具加工参数对材料破损形貌特征的影响。结果表明在10 μm到30 μm范围内提高超声刀具振幅,在500 mm/min到3 500 mm/min范围内降低进给时会降低蜂窝芯加工过程中的酚醛清漆层剥落的几率。  相似文献   
87.
Based on the Preston equation,the mathematical model of the material removal rate(MRR),aiming at a line-orbit chemical mechanical polisher,is established.The MRR and the material removal non-uniformity(MRNU) are numerically calculated by MATLAB,and the effects of the reciprocating parameters on the MRR and the MRNU are discussed.It is shown that the smaller the inclination angle and the larger the amplitude,the higher the MRR and the lower the MRNU.The reciprocating speed of the carrier plays a minor rol...  相似文献   
88.
为提高加工Nomex蜂窝芯材料的质量和效率,采用试验方法对超声切割时的切削力进行测量,研究其影响因素和变化规律,并对切削后蜂窝芯的表面进行观察。使用回归分析法分析不同振幅和切削深度下的切削力,推导切削力的经验公式。结果显示:切削力Fy,Fz与切削深度ap,圆片刀底部边缘处振幅A呈指数关系。通过对比切削力拟合结果和试验数据,发现误差在10%内。切削后蜂窝芯表面平整、毛刺更少。   相似文献   
89.
为了更好地评价大直径Si片磨削加工损伤深度的大小和分布,提高下道抛光工序的效率,采用角度抛光法和方差分析法研究了Si片表面的损伤分布.结果表明,采用自旋转磨削方式磨削的Si片表面的损伤分布不均匀,沿圆周方向在(110)晶向处的损伤深度比在(100)晶向处的损伤深度大,沿半径方向从圆心到边缘损伤深度逐渐增大,损伤深度的最大差值约为2.0um.该分布规律对检测损伤深度时样品采集位置的选取及提高抛光加工效率均有重要的指导意义.  相似文献   
90.
单晶硅纳米级磨削过程中磨粒磨损的分子动力学仿真   总被引:5,自引:0,他引:5  
建立了考虑磨粒磨损的三维分子动力学仿真模型,将固体物理学中的爱因斯坦模型引入到金刚石磨粒原子的温度转换过程中, 设计了分子动力学仿真程序.研究结果表明:在磨削的初期,磨粒有明显的磨损,但当磨损到一定阶段后,磨粒不再磨损, 磨削开始进入稳定的切削状态.金刚石磨粒的磨损主要发生在磨粒的最底部,这与表面效应有密切关系.由于表面效应,磨粒底部表面原子配位不足,导致磨粒底部结构表面存在许多缺陷,使磨粒底部表面具有很高的活性,极不稳定,根据最小能量原理,它将自发地向最低能量状态变化,也就是通过塑性变形、非晶相变等变化释放能量,使磨粒的表面能减少,从而发生磨损.  相似文献   
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