循环刻蚀工艺对金刚石膜形貌和电阻率的影响

为了制备新型金刚石薄膜辐射剂量计,针对目前金刚石薄膜质量较差,难于满足辐射剂量计要求的问题,采用微波等离子体CVD法,研究了循环刻蚀生长阶段工艺参数(甲烷浓度,基片温度)和刻蚀方法对薄膜形貌、电阻率的影响。结果表明,循环刻蚀生长有利于提高金刚石薄膜的纯度和取向性。当?(甲烷)为0.34%,基片温度为960℃时,可获得[100]晶面取向的、电阻率达1011Ω·cm的金刚石膜,和采用常规工艺所得金刚石薄膜相比,其电阻率提高了3个数量级。     

利用碱金属碳酸盐提高空气中制备BaMgSiO_4∶Eu~(2+)的发光性能研究

通过高温固相反应在空气中制备了一系列Eu2+掺杂的BaMgSiO4∶Eu2+发光材料,研究了其发光性能及M2CO3(M=Li、Na、K)助溶剂对其性能的影响。利用X射线粉末衍射(XRD)、荧光光谱(PL)和扫描电镜(SEM)对合成的样品进行表征。研究表明,Eu2+进入Ba(1)和Ba(2)位置有利于Eu2+在空气中稳定存在。M2CO3(M=Li、Na、K)助溶剂促进Eu3+离子在空气中还原成Eu2+离子,提高了BaMgSiO4∶Eu2+的发光强度。当Na2CO3用量为6%时,BaMg-SiO4∶Eu2+的发光强度达到还原气氛中制备的91%。     

振动压路机正反转调幅机构分析

振幅是压路机的主要参数之一,振幅大小将影响路面压实深度和压实效果。如压路机频率和振动轮质量一定,振幅小,压实能量就小,影响深度也小;振幅大,影响深度大,但振幅过大则会使已压实路面再次松散。为满足压实作业的不同工况要求,振动压路机的调幅机构由过去的单一单幅机构发展到现在型式多样的单幅机构、双幅机构、多幅机构。正反转调幅的双幅机构在大中型振动压路机是应用最多的调幅机构,本文就正反转调幅的双幅机构作对比分析介绍。正反转调幅机构,为双幅机构中的一种,是一种最简单且广泛应用的调幅方法。它通过改变液压马达的…     

CaO:Eu3+,Li+红色荧光粉的制备

以CaCO3为主要原料,使用湿化学法制备前驱物,在850 ℃高温煅烧前驱物制备CaO:Eu3+,Li+的红色稀土荧光粉.用XRD、SEM、激光粒度、拉曼光谱仪、紫外-可见光谱仪和荧光光谱仪等分别对样品的物相、形貌、粒度和光谱性质进行表征.结果表明,掺杂Eu3+和Li+分别作为激活剂和敏化剂进入CaO的晶格中,同时Li+的掺杂可以促进Eu3+进入CaO晶格,有效地增强了能量在O2-与 Eu3+间的传递,使Eu3+的发光显著增强.晶体颗粒为近球形且粒径在1 μm以内,分布较均匀;样品可以很好地吸收紫外光,在244 nm左右的氙灯激发下,发射波长主要为592 nm,Eu3+离子主要处在严格对称的格位上,属于红色发光.     

虹吸离心机用干重碱分离的滤饼洗涤操作性能研究

本文以新型分离设备－虹吸离心机（ＧＫＨ１２５０—Ｎ）用于重碱分离的滤饼洗涤为研究对象，采用宏观的工程研究方法进行实验研究，并提出相应的滤饼洗涤数学模型。研究结果表明，该模型对于虹吸离心机用于同类性质物料的滤饼洗涤操作具有普遍的指导意义。     

一次性注射器筒体注射模设计

根据一次性注射器简体的生产数量和质量要求,对塑件外形结构进行分析,设计了模具的结构形式。采用了点式浇口的双分型面结构,为同类产品注射模生产提供了参考。     

引入CO2提高金刚石薄膜的沉积速率

微波等离子体法合成的金刚石薄膜质量好，但常规小型微波等离子体沉积金刚石薄膜速率低，为此，本实验在H2-CH4系统中引入CO2来提高金刚石薄膜的沉积速率。研究了不同碳源体积分数、功率、压力对沉积速率、金刚石形貌、电阻率的影响。其规律是随着碳源体积分数的增加，金刚石膜的沉积速率增加；随着压力的增加，生长速率呈现一个先增后减的趋势；随着功率的增加，也存在一个先增后降的趋势。研究结果表明碳源体积分数对沉积速率影响最大。综合各种因素，得到在H2＋CH4＋CO2的条件下沉积金刚石薄膜的最佳工艺条件为：碳源体积分数为0．63％；C／O=1．086；功率为490W；压力为5．33kPa。引入CO2使沉积速率得到提高，为常规方法沉积速率的3倍左右，表明引入CO2是一种提高沉积速率的有效方法。     

引入CO2提高金刚石薄膜的沉积速率

微波等离子体法合成的金刚石薄膜质量好,但常规小型微波等离子体沉积金刚石薄膜速率低,为此,本实验在H2-CH4系统中引入CO2来提高金刚石薄膜的沉积速率.研究了不同碳源体积分数、功率、压力对沉积速率、金刚石形貌、电阻率的影响.其规律是随着碳源体积分数的增加,金刚石膜的沉积速率增加;随着压力的增加,生长速率呈现一个先增后减的趋势;随着功率的增加,也存在一个先增后降的趋势.研究结果表明碳源体积分数对沉积速率影响最大.综合各种因素,得到在H2+CH4+CO2的条件下沉积金刚石薄膜的最佳工艺条件为:碳源体积分数为0.63%;C/O=1.086;功率为490 W;压力为5.33 kPa.引入CO2使沉积速率得到提高,为常规方法沉积速率的3倍左右,表明引入CO2.是一种提高沉积速率的有效方法.     

金刚石薄膜纯度、取向性与辐射剂量计性能的关系

金刚石膜的纯度和取向性对其做成剂量计后的性能有很大的影响.为了制备性能优良的金刚石膜辐射剂量,采用微波等离子体化学气相法在单晶硅[100]衬底上沉积了具有[100]和[111]晶面取向的金刚石膜,通过优化合成工艺制备出高纯、高度取向的织构膜(准单晶膜).分析金刚石膜的形貌、取向性和纯度以及器件的X光电响应特性.结果表明,金刚石膜的电阻率与纯度有直接关系,与膜取向性之间的关系不大.膜电阻率的提高是石墨相和C-H键等非金刚石相减少的结果,膜电阻率的大小直接影响到器件的信噪比高低.对X光响应的灵敏度,取向性影响较纯度大.高纯、高[100]取向膜做成的器件有高的X光响应灵敏度.