高能球磨法制备Bi12SiO20粉体

以Bi2O3和SiO2为原料，采用高能球磨法制备了硅酸铋（Bi12SiO20）粉体。通过x射线衍射和扫描电子显微镜分析了合成粉体的相结构和形貌，研究了球磨时间对产物相组成的影响；使用红外光谱分析和拉曼散射光谱对球磨得到的样品进行了分析。结果显示：球磨8h后出现了Bi12SiO20的晶相结构；随着球磨时间的延长促进了Bi12SiO20的形成，从而提供了一种可以商业化大规模生产Bi12SiO20压电粉体的方法。     

基于紫外光的白酒杂质检测系统

白酒过滤中杂质沉淀物的检测一直是个难题,在深入剖析紫外光检测原理技术的基础上,利用杂质沉淀物对紫外光具有吸收峰这一特性,开发了紫外光检测转置,并采用P89V51RD2、SJA1000和PCA82C250构成CAN总线控制器,完成系统通信,结合上位机编程,开发了白酒杂质检测系统,可以精确地检测到杂质的存在,并及时完成报警和控制.     

硅酸铋粉体的制备与表征

以Bi2O3和SiO2为原料,采用机械合金化制备了硅酸铋(Bi12SiO20)的粉体.通过X射线衍射和扫描电子显微镜分析了合成粉体的相结构和形貌,研究了不同球磨时间对产物相组成的影响;并使用红外光谱分析和拉曼散射光谱对球磨得到的样品进行了分析.结果显示表明:球磨8h后出现了Bi12SiO20的晶相结构;随着球磨时间的延长促进了Bi12SiO20的形成,从而提供了一种可以商业化大规模生产Bi12SiO20压电粉体的方法.     

深部与浅部煤层气储层物性及开发工程差异分析

以樊庄区块3口煤层气井和临兴区块1口煤层气井为研究对象,通过分析这4口井的储层物性参数和工程数据发现,随着深度的增加,储层压力、破裂压力、裂缝高度、平衡产水阶段的排采时间都随之增大,但是裂缝延伸长度随之减小。深部煤层和浅部煤层物性差异导致二者的工程差异性,相对于浅部煤层,深部煤层对开发工程具有更高的要求。     

氧化铋薄膜的制备及其性能表征

利用化学水浴沉积法在室温下制备了多晶氧化铋薄膜,并在350℃的空气气氛条件下进行退火处理,得到纯的α-Bi2O3,薄膜.对它们的晶相结构、光电性能进行测试.从X衍射分析结果来看,在退火过程中,薄膜结构由四方相和非化学计量相向单斜相转变.光学性质显示退火处理的薄膜吸收边缘明显的向长波的方向移动,发生红移现象,而且禁带宽度减少了0.4eV.退火后的薄膜在室温下暗电导率下降2个数量级.电导率的变化显示具有半导体行为的性质.     

硅酸铋(Bi4Si3O12)晶列结构中的晶粒尺寸和晶粒夹角分布

取向之夹角也服从正态分布,其总体夹角的平均值为122.3°,标准差为11.1°.     

等截面直杆拉伸与压缩强度条件教学思考

为了实现等截面直杆拉伸与压缩强度方面的教学目标,将生活中的案例引入到教学中。等截面直杆拉伸与压缩强度条件与剪切和挤压、扭转、弯曲三种杆件的基本变形形式的强度条件具有相同的形式,也具有近似的分析推导过程。以典型例题,突出强度条件以解决杆件的应力校核、载荷设计及杆件横截面几何尺寸设计方面的重点问题,收到了预期的教学效果。     

氟苯氧丙胺合成

以β-甲胺基苯丙醇为原料,经氯化反应、合成反应两步制取氟苯氧丙胺.第一步收率为79.4％, 第二步收率为78.3％,氟西汀纯度为99.2％,红外图谱符合文献值.     

小尺度范围内煤层气井产能主控因素分析

为探究小尺度范围内煤层气井产能的地质主控因素,采用地质分析和灰色关联分析的方法,对郑村井区26口5年以上的煤层气生产井的地质及排采资料进行了深入系统分析。结果显示:煤层气井产能与埋深呈负相关关系,随煤厚增加呈波动上升趋势,与煤储层含气量、渗透率和可疏导指数均为正相关关系,埋深、煤厚、含气量、渗透率和可疏导指数均是控产的主要因素。进一步利用灰色关联分析法确定了各控产因素对煤层气井产能影响的大小次序,结果由大到小依次为:可疏导指数、含气量、渗透率、厚度、埋深。结果表明,可疏导指数综合表征了煤层气产出过程中气水的流动能力,可更好的反映小尺度范围内煤层气井的产能潜力。同时,煤层气井产能是多种地质因素耦合控制的结果,单一地质因素对产能影响的差距并不明显。     

高有序Bi4Si3O12微晶列结构特征分析

在常压下使用烧结法制备了具有高有序结构的Bi4Si3O12微晶.利用X射线衍射分析了生成样品的物相,通过环境扫描电镜观察了Bi4Si3O12晶体微观形貌.用单样本Kolmogorov-Smirnov法分别对晶粒夹角进行了统计学检验.结果显示:在一个稳定的硅酸铋晶列中晶粒成对分布.在一个晶行的一侧,晶粒取向和该晶行发育方向之间的夹角服从正态分布.晶行一侧的晶粒取向夹角的大小范围为53.9°～68.9°.一个稳定晶行一侧的平均晶粒夹角和晶粒尺寸之间具有高度的正相关性.如果稳定晶行一侧的平均晶粒夹角超过稳定晶列中晶粒夹角范围的最大值(68.9°),对应侧的高有序的晶列结构将会被破坏.然而,一侧有序结构的局部湮灭过程不会对晶行另一侧的高有序结构产生任何影响.