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101.
研究了网络安全漏洞渗透测试框架。首先,分析了网络安全漏洞渗透测试的特点;然后,比较了国内外多个开源网络安全漏洞渗透测试平台;提出了由网络安全漏洞PoC/Exp开发平台、PoC/Exp执行平台、渗透测试辅助设施和渗透测试策略构成的网络安全漏洞渗透测试框架;最后,给出了未来网络安全漏洞渗透测试框架研究的建议。 相似文献
102.
103.
一种基于微结构的GaAs HEMT的压阻系数 总被引:1,自引:0,他引:1
GaAs HEMT(高电子迁移率晶体管)位于微结构悬臂梁根部附近的最大应力处。介绍了GaAs HEMT和微结构的设计加工,并通过实验研究了GaAs HEMT在平行于HEMT生长方向(Z方向)单轴应力作用下的力电耦合特性。测试结果表明:GaAs HEMT不同偏压下压阻系数不同,且它的最大压阻系数为(1.72±0.33)×10-7Pa-1,比Si高出三个数量级。 相似文献
104.
基于IR2101最大功率跟踪逆变器的设计与实现 总被引:1,自引:0,他引:1
为解决直流逆变交流的问题,有效地利用能源,让电源输出最大功率,设计了高性能的基于IR2101最大功率跟踪逆变器,并以SPMC75F2413A单片机作为主控制器.高电压、高速功率的MOSFET或IGBT驱动器IR2101采用高度集成的电平转换技术,同时上管采用外部自举电容上电,能够稳定高效地驱动MOS管.该逆变器可以实现DC/AC的转换,最大功率点的跟踪等功能.实际测试结果表明,该逆变器系统具有跟踪能力强,稳定性高,反应灵敏等特点,该逆变器不仅可应用于普通的电源逆变系统,而且可应用于光伏并网发电的逆变系统,具有广泛的市场前景. 相似文献
105.
不同方法脱铝八面沸石性质研究 Ⅱ.孔道结构研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了SiCl4、(NH4)2SiF6、H2C2O4及水热脱铝沸石的孔道结构。结果表明,所有脱铝方法均不能影响沸石晶粒大小的变化;SiCl4和(NH4)2SiF6脱铝沸石基本上保持了沸石原有的孔道结构,而H2C2O4和水热法脱铝则可导致沸石中出现40A左右的大量中孔结构,且H2C2O4脱铝沸石的中孔孔径较为集中;在脱铝过程中,沸石的骨架崩塌以及中孔的形成都存在有某些规律性。随着沸石骨架Si/Al比 相似文献
106.
107.
由于卫星通信系统、可靠的指挥、控制和通信信息网和电子干扰、电子对抗设备将在未来的战场上处于支配地位,因此,下一代武器系统将更多地依赖电子设备。然而,为电子设备提供的防御经费迅速增加的势头预计会在八十年代的后几年内缓慢下来。虽然,美国国防部对电子防御设备的预算在前四年内实际增长率为平均每年9%,而对未来四年的估算平均每年增长5%左右。因此,军用电子设备市场的重要变化不是看总的增长率,而要看将得到经费并在未来的防御系统中加以应用的技术和器件情况。 相似文献
108.
109.
110.
复合香辛料亚硝化抑制剂对西式培根品质的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
研究对N-亚硝胺具有阻断作用的复合香辛料亚硝化抑制剂(composite spice nitrosation inhibitor,CSNI) 在西式培根中的应用效果。设计4 组实验:1)阴性对照(negative control,NC)组:以原料肉质量计,配 制由0.06%亚硝酸钠、9%食盐、1.5%复合磷酸盐、5%白糖等组成的腌制液,注射量为20%;2)阳性对照 (positive control,PC)组:在NC组基础上添加0.055%异抗坏血酸钠;3)CSNI组:在NC组中添加CSNI; 4)PC+CSNI组:在PC组中添加CSNI。制成西式培根,分别对西式培根成品和烧烤(200 ℃,5 min)西式培根进 行感官评定、pH值、红度值(a*)、硫代巴比妥酸反应物(thiobarbituric acid reactive substances,TBARs)值、亚 硝酸盐残留量、生物胺含量及N-亚硝胺含量测定。结果表明:相比NC、PC组,PC+CSNI组西式培根成品的感官 评分最高,TBARs值(0.24 mg/kg)、亚硝酸盐残留量(20.48 mg/kg)和生物胺总量(184.68 mg/kg)均处于较低 水平,CSNI对N-亚硝胺的形成(总量为9.29 μg/kg),特别是N-二甲基亚硝胺的形成有显著的阻断效果,且CSNI的 添加对产品的pH值和a*均未造成显著影响;西式培根烧烤后,由于水分和脂肪溶出,致使烧烤西式培根的亚硝酸 盐残留量、生物胺含量和N-亚硝胺含量总体呈升高趋势,但均未超过相关规定的限量值。 相似文献