用显微喇曼扫描成像(mapping)法测集成电路中CoSi_2电极引起的应力

本文用显微喇曼光谱方法，在μｍ尺度上对集成电路中由多晶硅衬底上生长ＣｏＳｉ２所引起的应力进行了测量，并对这种应力的类型和大小与含有ＣｏＳｉ２的电路结构间的关系做了研究．结果表明，ＣｏＳｉ２所引起的应力为压应力，其大小随着面积的减小而增大，在边界处的应力与ＣｏＳｉ２区域中心处的应力类型相反，数值大一倍．     

浅谈小硫酸厂的挖潜改造

山西省的小硫酸工业多数是在七十年代中期兴建投产的,生产能力为年产标准酸1万吨和0.5万吨两种,生产流程为南化公司设计院的文·泡·文水洗净化一转一吸流程。为了增加产量、降低成本、提高企业的经济效益,各厂于八十年代相继挖潜改造,使生产能力分别提高到年产标准酸2万吨和1万吨。增产吨标酸技改投资为130元左右,约为     

基于关联约束网络的定制产品隐式需求激活技术

定制需求到设计参数的映射是实现产品定制设计的首要环节,客户提供的需求往往不能完整体现产品性能、功能、结构等的定制要求,使得设计人员难以获取完整的定制产品设计参数。因此,将定制产品需求分为显式需求、半隐式需求和隐式需求,并根据需求间不同的关联约束关系,建立了定制产品需求的动态关联约束网络。通过关联约束网络到矩阵的映射与需求节点间关联约束强度的计算,构建了定制产品需求关联约束强度矩阵。通过关联约束强度的传递与累加获取需求节点综合活跃度,进行基于关联约束网络的定制产品显式需求到半隐式需求及隐式需求的关联激活,为产品设计参数获取提供完整的定制需求信息。以典型定制产品电梯为例,对所提出的基于关联约束网络的定制产品隐式需求激活技术进行了应用验证。     

Ni(Zr)Si薄膜热稳定性及其肖特基势垒二极管的电学特性

提出在Ni中掺入夹层Zr的方法来提高NiSi的热稳定性．具有此结构的薄膜,600～800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/□．经XRD和Raman光谱分析表明,薄膜中只存在低阻NiSi相,而没有高阻NiSi2相生成．Ni(Zr)Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺Zr的镍硅化物的转变温度上限提高了100℃．Ni(Zr)Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650～800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.63eV,理想因子接近于1．     

Ni(Pt)Si硅化物温度稳定性的研究

对比研究了夹层结构N i/P t/N i分别与掺杂p型多晶硅和n型单晶硅进行快速热退火形成的硅化物薄膜的电学特性。实验结果表明,在600~800°C范围内,掺P t的N iS i薄膜电阻率低且均匀,比具有低电阻率的镍硅化物的温度范围扩大了100~150°C。依据吉布斯自由能理论,对在N i(P t)S i薄膜中掺有2%和4%的P t样品进行了分析。结果表明,掺少量的P t可以推迟N iS i向N iS i2的转化温度,提高了镍硅化物的热稳定性。最后,制作了I-V特性良好的N i(P t)S i/S i肖特基势垒二极管,更进一步证明了掺少量的P t改善了N iS i肖特基二极管的稳定性。     

Ni(Zr)Si薄膜热稳定性及其肖特基势垒二极管的电学特性

提出在Ni中掺人夹层Zr的方法来提高NiSi的热稳定性.具有此结构的薄膜,600～800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/□.经XRD和Raman光谱分析表明,薄膜中只存在低阻NiSi相,而没有高阻NiSi2相生成.Ni(Zr)Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺Zr的镍硅化物的转变温度上限提高了100℃.Ni(Zr)Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650～800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.63eV,理想因子接近于1.     

预应力钢筒混凝土管在永嘉县西向供水工程中的应用

介绍了预应力钢筒混凝土管的结构、性能和施工方法,通过永嘉县西向供水原水输送工程实际应用,说明在该地质条件下的施工工艺和方案,并取得良好的工程效果。     

封离型CO_2波导激光器

本文报导密封CO_2波导激光器的结构设计、制造及其性能.器件放电长为12.5厘米,由四块BeO陶瓷板贴成1.5毫米方孔而成,腔长为15厘米.最大输出功率1瓦,在150托气压下,用两只波导激光器进行光外差测量,测得在一条谱线上(P_(20))调谐宽度为500兆赫.     

电测量指示仪表防静电影响的技术措施

从理论和实践上 ,较完整、全面、深入和系统地分析了仪表塑料外壳在生产过程中静电产生的原因、对仪表示值的影响和消除静电影响能采取的技术措施。同时对抗静电剂的种类、性能和技术指标以及使用方法做了详细的介绍。