网络安全态势感知分析框架与实现方法比较

信息技术已经深入到全社会政治、经济、文化的方方面面,信息革命改变了全世界的沟通方式,促使人类社会有了巨大的发展,也使网络安全问题受到了前所未有的关注.针对网络安全问题的研究主要经历了理想化设计保证安全、辅助检测被动防御、主动分析制定策略、全面感知预测趋势4个主要阶段,在各国都在争夺数字控制权的新战略制高点背景下,针对网络安全态势感知的探讨无论是在学术研究上还是在产业化实现上都呈现出了全新的特点.本文对网络安全态势感知进行了尽可能详尽的文献调研,首先介绍了国内外研究现状及网络安全态势感知与传统态势感知之间的区别与联系;然后从数据价值链角度提出了网络安全态势感知的逻辑分析框架,将整个过程分解为要素采集、模型表示、度量确立、求解分析和态势预测五个连续的处理阶段,随后对每个阶段的作用,主流的方法进行了阐述,并对在实验对象上的应用结果以及方法间的横向比较进行了说明.本文意图对网络安全态势感知提供全景知识,为网络安全的产业化方案提供辅助思想,希望能够对此领域的科研和工程人员起到参考作用.     

基于遗传算法的激光视觉焊缝特征点提取

提出了一种基于遗传算法的平面焊缝特征点提取方法。采用中值滤波、阈值分割法对焊缝图像进行预处理,以减少噪声;利用种子填充法进行图像分割,提取出激光条纹连通域,根据连通域特征抽象出激光条纹骨架提取的数学模型;重点研究基于遗传算法的骨架提取方法,并采用法向直线扫描法沿骨架方向提取中心点坐标;对骨架中心点进行直线拟合,并利用拉依达准则迭代剔除噪声点,获得激光条纹骨架的准确位置和焊缝特征点坐标。经试验验证可知,该方法能够有效消除焊缝图像中多种噪声及激光条纹宽度的干扰,快速准确地检测出焊缝特征点的位置。     

微波FET有源电感的分析

提出用FET实现四种高性能的微波有源电感基本电路结构，通过分析各个电路的特性表明，这四个有源电感均是低损耗或无损耗的。另外还选择了其中的一种电路结构，详细分析了FET参数变化对有源电感用抗的影响。     

共振隧穿二极管电流密度-电压曲线数值计算中积分方法的改进

提出了一种基于黄金分割法和二分法寻查思想的一维积分来实现二维积分的方法,此方法能迅速而精确地计算ＲＴＤ电流密度－电压曲线适用于ＲＴＤ及其电路的计算机辅助设计。     

基于有限元分析的集成电路瞬态热模拟

结合EDA软件Cadence及目前常用的有限元分析软件ANSYS模拟了芯片的瞬态热效应.将从电路仿真软件中得到的电学参数作为ANSYS软件的载荷,加载到从ANSYS中建立的热模型上,对芯片的瞬态工作状态进行了热仿真,模拟芯片工作时的瞬态温度分布.针对一个简单集成电路进行芯片级的瞬态热分析,通过调整热载荷脉冲时间得到了此电路的热时间常数;模拟了同一频率不同占空比下电路的热响应情况;模拟了相同时间、相同占空比、不同频率下电路的热响应情况.     

GaN宽带大功率MMIC开关

<正>GaN HEMT作为第三代宽禁带化合物半导体器件,其高的击穿电压、大的电流密度等特点,使其非常适合于微波大功率开关的研制。南京电子器件研究所利用76.2 mm(3英寸)SiC衬底GaNHEMT材料实现了DC～6 GHz 20 W、DC～12 GHz 15 w和DC～20 GHz 8 W宽带大功率系列开关的研制。其中DC～6 GHz 20 W GaN功率开关带内插入损耗<0.8 dD、隔离度>35 dB、P-1dB>20 W,DC～12 GHz15 W GaN功率开关带内插入损耗<1.4 dB、隔离度>30 dB、P-1dB>15 W,DC-20 GHz 8 W GaN功率开关带内插入损耗<1.5 dB、隔离度>30 dB、P-1dB>8 W,三款功率开关的性能指标均为室温连续波下的测试结果,图1所示为它们在带内的插损和隔离度测试结果。该系列GaN宽带大功率开关的研制成功,充分展示了GaN HEMT在宽带微波大功率开关应用方面的潜力。     

环形光源激发超声进行缺陷检测的数值研究

为了提高激光超声的激发效率且不对被测表面造成损伤,改变了光源的空间分布,采用脉冲激光环形光源激发超声及有限元方法,应用多物理场耦合软件,对铝板中激发的超声全场波形进行了数值模拟,研究了环形光源中轴线上叠加横波的激发特性随激光参量而变化的规律,并与点光源激发超声进行对比.通过模拟缺陷所导致超声场的变化规律,提出一种环光源...     

无人机着舰引导信息处理方法研究

针对远距理想着舰轨迹摆动幅度较大使得无人机难以跟踪的问题,提出了曲线拟合的方法,针对着舰雷达近距引导失效或引导精度不高的问题提出了近距多天线测距定位法,最后提出了远近距切换的方法。对保障无人机安全着舰、提高无人机重复作战能力提供了前瞻性的理论依据。     

Field plated 0.15μm GaN HEMTs for millimeter-wave application

SiN dielectrically-defined 0.15μm field plated GaN HEMTs for millimeter-wave application have been presented.The AlGaN/GaN hetero-structure epitaxial material for HEMTs fabrication was grown on a 3-inch SiC substrate with an Fe doped GaN buffer layer by metal-organic chemical deposition.Electron beam lithography was used to define both the gate footprint and the cap of the gate with an integrated field plate.Gate recessing was performed to control the threshold voltage of the devices.The fabricated GaN HEMTs exhibited a unit current gain cut-off frequency of 39 GHz and a maximum frequency of oscillation of 63 GHz.Load-pull measurements carried out at 35 GHz showed a power density of 4 W/mm with associated power gain and power added efficiency of 5.3 dB and 35%,respectively,for a 0.15 mm gate width device operated at a 24 V drain bias.The developed 0.15μm gate length GaN HEMT technology is suitable for Ka band applications and is ready for millimeter-wave power MMICs development.     

900MHz退频对2G物联网业务承载能力影响研究

900MHz频率许可到期引发中国移动GSM网络大规模减频降配。减配造成每时隙语音业务承载能力大幅下降,而对应的每时隙数据业务承载能力有所增加。2G网络数据业务模型变为物联网业务模型后预估业务承载能力会有提升。研究结果应用于制定合理的物联网业务推广策略。