全文获取类型
收费全文 | 37篇 |
免费 | 1篇 |
国内免费 | 4篇 |
专业分类
综合类 | 4篇 |
化学工业 | 2篇 |
金属工艺 | 5篇 |
机械仪表 | 2篇 |
建筑科学 | 8篇 |
矿业工程 | 3篇 |
轻工业 | 2篇 |
石油天然气 | 4篇 |
无线电 | 5篇 |
一般工业技术 | 5篇 |
冶金工业 | 1篇 |
自动化技术 | 1篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2023年 | 1篇 |
2020年 | 1篇 |
2017年 | 1篇 |
2014年 | 3篇 |
2013年 | 2篇 |
2012年 | 2篇 |
2009年 | 2篇 |
2008年 | 1篇 |
2007年 | 2篇 |
2006年 | 1篇 |
2005年 | 7篇 |
2004年 | 1篇 |
2003年 | 3篇 |
2002年 | 3篇 |
2001年 | 3篇 |
2000年 | 3篇 |
1999年 | 3篇 |
1995年 | 1篇 |
1994年 | 1篇 |
排序方式: 共有42条查询结果,搜索用时 0 毫秒
31.
图解法具有原理简单、方法直观、作图迅速的优点;AutoCAD应用的普及,使得高精度、快速的图解法设计成为现实。本文叙述了图解法在AutoCAD环境中的设计过程,分析了图解法在AutoCAD环境中的设计精度。表明图解法设计仍将在机械设计领域中发挥极其重要的作用。 相似文献
32.
在氧化镓(Ga2O3)材料p型掺杂困难的背景下,Ga2O3 p-n异质结器件在氧化镓器件的应用中起着重要作用.因此,寻找一种高效、经济的制备方法制备Ga2O3异质结对器件应用具有重要意义.在这项工作中,我们成功基于低成本、无真空的雾化学气相沉积(Mist-CVD)外延制备了单晶氧化镍(NiO)和β-Ga2O3异质结.其中,NiO(111)和β-Ga2O3(-201)的XRD摇摆曲线半高宽分别为0.077°和0.807°.NiO与β-Ga2O3之间的能带表现为Ⅱ型异质结构.基于此异质结,我们制备了准垂直器件,器件具有明显的p-n结整流特性,反向击穿电压为117 V.本工作为β-Ga2O3异质p-n结的制备提供了一种低成本、高质量的方法. 相似文献
33.
Ni3Al基合金及其复合材料在劣质煤燃烧环境下抗硫腐蚀及抗氧化性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了金属间化合物Ni3Al基合金的抗氧化、抗硫化性能。结果表明,Ni3Al基合金在劣质煤燃烧的高温环境下,具有良好的抗硫腐蚀性能,是耐热钢2520合金的3.6倍,是一种极具应用前景的高温耐硫蚀新材料。 相似文献
34.
开滦范各庄矿业分公司矿井1431上山冲积层泥石流溃入井下,险些造成最大灾害。通过对事故原因的分析,反思了以后工作中应该吸取的教训。 相似文献
35.
描述了基于固体火箭燃料的井底附近地带热压化学处理综合方法的应用特点,并从地质技术工作安全和地质效果的观点出发对其应用性进行了探讨,而这两个因素在某些方面是相互制约的. 相似文献
36.
37.
通过对滑动轴承故障形式及故障特征的分析,提出一种利用润滑油进出口温度和润滑油成分的变化,来判断轴承是否出现故障的方法,该方法简单可行,特别适用于滑动轴承故障诊断的初期阶段。 相似文献
38.
针对高合金焊丝水平连铸生产过程中,钢液充型困难的现象,对线材水平连铸过程中钢液的流动阻力进行理论推导,并由此影响钢液流动的各因素进行分析,以此为基础,对实际生产中相关工艺参数进行调整和改进,结果表明,采用高浇温,高频率有利于改善钢液的充型和工艺的稳定。 相似文献
39.
通过机械合金化,将NiAl粉、Ni粉和WC粉机械混合,制坯,半烧结,再堆焊形成以Ni3Al为基,WC颗粒强化的复合材料。在烧过程中,形成部分Ni3Al相,在堆焊过程中形成Ni3Al基体,并有少量WC分解溶入基体。在850℃以下组成相稳定,颗粒均匀分布和基体具有良好的润滑性能。该复合材料硬度高,具有很高的耐磨性能。 相似文献
40.
AlGaN基PIN光电探测器的模型与模拟 总被引:4,自引:1,他引:3
在漂移扩散方程的基础上建立了AlGaN p-I-n光电探测器的物理模型,分析了多种结构AlGaN p-I-n光电探测器的光谱响应,并讨论了AlGaN/GaN异质结界面极化效应对太阳盲区p-GaN/I-Al0.33Ga0.67N/n-GaN倒置异质结结构p-I-n光电探测器(inverted heterostructure photodetectors,IHPs)UV/Solar选择比(280nm与320nm响应度之比)的影响.结果表明:优化p层是提高器件光谱响应的有效途径;为获得较高的UV/Solar选择比,光伏模式(零偏压)为太阳盲区p-GaN/I-Al0.33Ga0.67N/n-GaN IHPs的最佳工作模式;在光伏模式下考虑极化效应影响时,Ga面p-GaN/I-Al0.33Ga0.67N/n-GaN IHPs器件的UV/Solar选择比可达750,与Tarsa等人报道的三个量级的实验结果基本一致. 相似文献