中国西部地区乡镇企业的融资现状分析及对策研究

通过对西部地区融资现状的分析与研究，提出了改善西部乡镇企业融资环境状况的建议和措施。     

单极性移相控制电压源高频交流环节AC/AC变换器研究

该文首次提出并深入研究了基于正激Forward变换器的单极性移相控制电压源高频交流环节AC／AC变换器。这类变换器由输入周波变换器、高频变压器、输出周波变换器、以及输入、输出滤波器构成。输入周波变换器将输入不稳定劣质的交流电压调制成双极性三态的高频交流电压，输出周波变换器将此高频交流电压解调成单极性三态SPWM波，经输出滤波后得到稳定优质的正弦交流电压。通过输入周波变换器右桥臂相对左桥臂的移相，让输出周波变换器功率开关在输入周波变换器输出的高频交流电压为零期间进行换流，并借助输出周波变换器换流重叠和输入电压极性选择，从而实现了变压器漏感能量和输出滤波电感电流的自然换流、输出周波变换器的ZVS开关。详细分析了这类变换器在1个高频开关周期内的12个工作模式及其等效电路，获得了变换器外特性曲线与关键电路参数设计准则。原理试验结果证实了这类变换器新概念，为实现新型电子变压器、正弦交流稳压器和交流调压器奠定了基础。     

音乐照相机——明基DC S30

市面上的国产DC（数码相机）数不胜数，但是真正能够打动消费者的产品却寥寥无几，现在，明基想到了一个高招——将数码相机、数码摄像机、MP3播放器和调频立体声收音机四项功能合而为一，推出号称“影音多面手”的DC S30。它是不是真的很不错呢？     

科技玩意——Personal Digital Mobile inside your life!

世界上售价最高的MD随身听价值几何？3000元或者5000元？都不是，准确的数字是189000日元，换算为人民币大约是14180元！没听错吧，一台MD随身听可以卖上万元？没错，这就是SONY于4月末推出的一款采用QUALIA品牌的MD随身听Q017-MD1（同时发布的还有一款头戴式耳机）。这是继去年首推四款QUALIA产品后，SONY再次发布使用该品牌的“贵族”产品，至此整个QUALIA家族的成员增加到6名。     

能听能看的随身听SONY VAIO Pocket（VGF-AP1）

炎热的天气里戴着耳机听音乐是不是有些有舒服呢？如果是这样的话，那么Victor（胜利）公司新推出的便携式扬声器一定可以解决你的烦恼，专为MD机设计的“SP-A200VD”和专为CD机设计的“SP-A300CD”采用了CD包的外形设计，不过它们可不是普通的CD包，其内置的英国NXT公司的平板式扬声器还赋予了它们美妙的歌喉。     

口袋里的电影院

在消费电子品牌林立的日本．成立仅4年的NHJ还是一家知名度很小的公司。为了迅速打开市场，聪明的NHJ采取了低价高质的经营策略，并不失时机地推出MPM-20X系列便携式多媒体播放器(30GB容量的MPM201和60GB容量的MPM-202)。对比同类型的知名品牌产品可以发现．MPM-20X的确是一款物美价廉的产品。     

反偏籽晶晶向生长Φ2″HB-GaAs单晶

HB-GaAs ( 10 0 )片要偏离生长截面 5 4.7°～ 60°切割 (〈10 0〉和〈111〉之间的夹角是 5 4.7°)。如果籽晶方向与〈10 0〉之间的夹角少于 5 4.7°,称为反偏籽晶。而采用大于 5 4.7°角生长的单晶切割比较困难 ,尤其是厚度小于 3 0 0 μm的晶片。为了减少切割难度 ,可生长反偏籽晶的单晶 ,但要保证单晶能割出Φ2″( 10 0 )圆片 ,必须增加单晶锭的截面积。由于GaAs的热导率小 ,大截面单晶生长要困难得多。通过改变固液截面附近的加热元件结构 ,在特定方向加强了散热 ,延伸了温度梯度的线性范围 ,使用反偏籽晶 ,成功地生长了Φ2″HB GaAs单晶。和正偏籽晶单晶相比 ,这些单晶锭的切割破损率减少了 2 4% ,每 10 0mm长度出片数增加了 3 0 %。     

深基坑支护方案多目标模糊优选决策研究

系统地分析了深基坑优选的影响因素,提出了方案评判的目标体系,运用模糊数学原理建立了深基坑方案优选的模糊多目标决策模型,并对定性目标量化与目标权重确定这两个影响模型决策结果准确程度的关键问题分别提出了合理的解决方法.实例说明模型是有效的、易操作的.     

浅谈小型水库的除险加固技术

文章分析了小型水库的现状,对于坝体滑坡的问题进行了深入的分析和详细的解释,根据国家制定的《碾压式土坝施工技术规范》来实施坝体的加固,从坝体的灌注粘土浆来加固技术以及坝体和坝基的密实加固技术两个方面,详细解释了如何实现对小型水库的除险加固。     

TD-LTE(F)系统干扰问题分析

TD-LTE采用F频段组网面临着较为复杂的干扰问题,异系统干扰将会导致系统吞吐能力的下降。本文对TD-LTE F频段的干扰原因进行分析,并通过现网测试确认相关干扰源,最后提出TD-LTE系统与其他各系统的隔离度要求及F频段天面规划设计流程。