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采用物理湿混法制备了3种纳米延期药,利用SEM和DSC对样品的微观形貌和热分解特性进行了研究.结果表明,可燃剂Si粒子呈球形或椭球形,粒子均在纳米尺度.在热反应过程中,随着Si粉粒径的减小,纳米Si/Pb3O4延期药的低温反应和高温反应分别提前了5℃和18℃,相应的表观活化能(Ea)分别降低了46 176J·mol-1和15 927J·mol-1.与相同化学计量比配制的Si10.51μm/Pb3O4延期药相比,纳米Si50min/Pb3O4延期药的低温反应和高温反应分别提前了166℃和125℃.在此基础上,推断纳米Si/Pb3O4延期药的低温反应为部分纳米Si与部分Pb3O4之间的界面反应(第1活化期),其高温反应对应剩余Si和剩余Pb3O4以及中间产物PbO和SiO2之间的第2活化期. 相似文献
102.
MATLAB在激光水下图像处理中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了MATLAB的功能,分析了MATLAB在数字图像处理中的应用,并结合对激光水下图像的处理说明了MATLAB在图像处理中的强大功能。 相似文献
103.
轴间耦合干扰是影响3维电场传感器测量准确性的重要因素。该文提出了一种低耦合干扰的MEMS 1维电场敏感芯片,并将3个上述的芯片正交组合研制出一款低轴间耦合的MEMS 3维电场传感器。不同于已见报道的测量垂直方向电场分量的MEMS 1维电场敏感芯片,该文提出的芯片采用轴对称设计,在差分电路的配合下能够测量垂直于对称轴方向的面内电场分量,并能够消除正交于测量轴方向的电场分量的耦合干扰。该MEMS 3维电场传感器具尺寸小和集成度高等优点。实验结果表明在0~120 kV/m电场强度范围内,该MEMS 3维电场传感器的轴间耦合灵敏度小于3.48%,3维电场测量误差小于7.13%。 相似文献
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106.
介绍对控制系统申的微型计算机进行电磁兼容性设计的几种方法:软件和硬件結合的电磁兼容设计方法。纯软件的电磁兼容设计方法。这几种方法在工程实践中已取得明显效果。 相似文献
107.
采用干电池供电的便携式仪表或E-PROM编程写入器中,常常需要不同的电压,据此,本文提出一种通用型数控可编程自动升压电路。该电路输入 5V电压,可编程输出电压(Vo)可选择 12.5V、 21V或 25V三种,最大输出电流约500mA,电源升压效率大于60%。电路的特点是:其数控接口可直接利用单片机应用系统的其它多余接口;用于E- 相似文献
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110.