我国深空通信地球站天线系统研讨

根据我国深空探测发展需要，对我国深空通信地球站天线工作频率，口径尺寸选择等有关问题，进行了讨论，并对建议的３４ｍ天线系统给出了主要技术性能供研究。     

频率对突出区煤导电性的影响

对微波频率下突出区煤的导电性质进行了探讨。结果表明,随频率的增大电导率增大,且电导率具有分形特征,它与频率之间的定量关系为：     

你知道吗?

三、1769年英国的瓦特(J.watt 1736～1819年)取得了“降低火机的蒸汽和燃料消耗量的新方法”专利,他发明了高效率瓦特蒸汽机,对工业革命起了重大作用。 1776年美国独立。     

一种新型民用液化石油气供气方式的探讨

针对城乡结合部、小城镇、广大农村以及燃气管线铺设不到地区,探讨了一种一户一贮槽的液化石油气供气方式.     

边坡稳定性的概率风险分析

叙述了概率风险分析（ＰＲＡ）在边坡稳定性评价中的应用。几位作者都认为，在某些情况下，这种方法是实用的。然而，尽管发表了大量的这个论题的资料，ＰＲＡ并没有在岩土工程中得以广泛应用。概述了传统的确定型分析方法与概率方法之间的差异。特别强调在设计执行过程中后者在经济结构体系内的潜在受益，并详载了典型实例，以说明这种方法的实际应用。     

前驱体对熔盐法制备SBN50模板晶粒的影响

分别以碳酸盐和硝酸盐为前驱体,采用熔盐法在750～1050℃合成了针状的Sr0.5Ba0.5Nb2O6(SBN50)模板晶粒。通过XRD,SEM分析方法,研究了前驱体对SBN50晶粒相结构和微观形貌的影响,并讨论了其形成机理。结果表明:前驱体性质的不同造成熔盐熔点时SrNb2O6数量和形貌的差异,影响最终SBN50晶粒的形貌;SBN50晶粒的生长是二维成核过程。     

RF-MBE生长的高Al势垒层AlGaN/GaN HEMT结构

采用RF-MBE技术,在蓝宝石衬底上生长了高Al组分势垒层AlGaN/GaN HEMT结构.用三晶X射线衍射分析得到AlGaN势垒层的Al组分约为43%,异质结构晶体质量较高,界面比较光滑.变温霍尔测量显示此结构具有良好的电学性能,室温时电子迁移率和电子浓度分别高达1246cm2/(V·s)和1.429×1013cm-2,二者的乘积为1.8×1016V-1·s-1.用此材料研制的器件,直流特性得到了提高,最大漏极输出电流为1.0A/mm,非本征跨导为218mS/mm.结果表明,提高AlGaN势垒层Al的组分有助于提高AlGaN/GaN HEMT结构材料的电学性能和器件性能.