基于人为因素的管制员情景意识研究

目的 管制员的情景意识水平直接影响空中交通管制安全高效运行.为提高管制员情景意识,本文系统分析影响管制员情景意识的人为因素,并确定各因素影响程度大小.方法 首先在现有文献的理论基础上,采用李克特量表设计问卷并构建了人为因素-情景意识结构分析模型,然后通过AMOS 21.0软件构建的结构方程模型(Structural E...     

实心边框铝型材挤压数值模拟与模具结构优化

目的针对汽车用某实心边框铝型材出口流速不均匀的现象,改进模具的工作带、阻流块和促流角结构。方法运用专业铝型材挤压成形有限元软件系统,对型材的挤压过程进行分析,模拟稳态挤压成形过程,以速度相对差作为衡量速度均匀程度的指标。结果初始模具结构挤出的型材流速不均匀。通过改变工作带长度、增设阻流块以及增加促流角的方法,使得模具出口处的金属流速变得均匀。结论改进后模具所受的压力更小,可以减小模具的磨损,增加模具寿命,模拟结果与实验吻合。     

英特尔发布全球iIPS支持计划

近日,英特尔公司宣布了一项新的渠道支持项目——英特尔互联网服务供应商(iIPS)支持计划,该计划将向全球的互联网服务供应商(ISP)、应用服务供应商(ASP)及增值经销商(VAR)提供一系列支持,其中包括通过一个专门渠道和支持队伍销售为互联网应用而量身定做的产品     

规范房产市场 推进社会信息化进程 上海房地产信息系统建成开通

上海目前具权威性、全面展示上海房地产发展与总体面貌的计算机应用信息系统——“上海房地产”(http://wwww.real—estate.sh.cn)于3月23上午在市房地大厦正式开通。上海市常务副市长陈良宇、副市长韩正出席开通仪式。陈良宇在开通仪式上指出,“上海房地产信息系统是上海信息港工程20个重点信息应用系统之一。这个系统建设成功地实现了房地产信息、管理、服务和交易的四大功能,能够及时、准确地为社会各界提供房地产市场信息,对于建设为公开、公平、公正的上海房地产市场,促进上海房地产业及至整个上海经济的发展,具有十分重要的现实意义”。上海市国民经济和社会信息化领导小组秘书长杨雄、市房屋土地管理局局长蔡育天等有关方面人士200多人参加了开通仪式。 上海房地产信息系统由上海市房屋土地管理局主管,上海市房地产交易中心主办,是上海市首例以     

WTO:中国IT业如何过“关”

导语 1999年,中国彩电行业又一次拉响“大战”的警报:4月中旬长虹率先打出了“挑战WTO,彩电全面降价”的口号,新一轮残酷的竞争大战已经开始。面对中国加入WTO前景,中国彩电企业从外商手中靠价格夺回的市场有可能得而复失,对外开放将给市场带来更大压力。 与此同时,中国IT市场却依旧波澜不惊,“维纳斯”风波使更多IT业者陷入迷茫。然而面对入关日期的临近,面对更多“维纳斯”的降临,处干弱势的中国IT产业有必要未雨绸缪一番。     

新现代启示录

当互联网络成为PC时代的终结者,当叱咤风云的Wintel联盟终成依昔往事,Intel这位计算王国的霸主又该何去何从呢? 2月28日,Intel推出了高端的PentiumⅢ处理器。幸运的是虽然业界对此新品褒贬不一,但Intel再次验证了摩尔定律的誓言,并显示了其在芯片王国的领导地位。 尽管面临AMD、Cyrix在PC芯片上的穷追猛赶和康柏在64位芯片上的领先一步,相信Intel仍将凭借其雄厚实力在21世纪的计算新纪元中再显雄风。     

低温SiGe/SiHBT的研制及性能分析

用MBE(分子束外延,Molecular Beam Epitaxy)生长的材料研制了在低温工作的SiGe/Si HBT(异质结双极型晶体管,Heterojunction Bipolar Transistor).其在液氮下的直流增益h_fe(I_c/I_b)为16000,交流增益β(ΔI_c/ΔI_b)为26000,分别比室温增益提高51和73倍.测试了该HBT直流特性从室温到液氮范围内随温度的变化,并作了分析讨论.解释了极低温度时性能随温度变化与理论值的差异.     

抗CD3基因工程嵌合抗体片段Fab′的构建、表达和活性测定

PCR扩增抗CD3单抗轻链可变区(VL)和重链可变(VH)片段基因,将其重组到Fab ′表达载体中,构建成抗CD3嵌合抗体Fab′表达载体,转化大肠杆菌16C9进行可溶性表达 . 产物经蛋白G亲和层析柱纯化.免疫荧光竞争结合实验和3H掺入实验证实能与小鼠抗CD3 IgG HIT3a竞争性结合表达CD3的T淋巴细胞,并促进细胞增殖.     

射频溅射SiO2在制造Si/SiGeHBT中的应用

介绍了射频溅射ＳｉＯ２的原理与工艺,对制造出的Ｓｉ／ＳｉＧｅＨＢＴ作了分析。     

低温生长SiO_2膜的性质及其在SiGe/Si HBT研制中的应用

用磁控溅射SiO2膜作为台面SiGe／SiHBT的表面保护纯化膜和光刻掩膜．测试分析了溅射工艺对SiO2膜的性质和SiGe／SiHBT性能的影响．研究发现,较高的衬底温度（200℃）有得于改善SiO2膜的质量．用溅射SiO2方法制备的HBT的电流增益明显高于用热分解正硅酸乙脂方法淀积SiO2制备的HBT．这说明溅射法避免了高温引起SiGe层应变驰豫所造成的HBT性能变差．