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561.
介绍了酰氯尾气吸收项目中的电气仪表自动化设计,该设计使项目一次性投产成功,产量达到预期效果,为公司节约了成本,增加了效益,减轻了劳动强度. 相似文献
562.
采用ANSYS软件对引水发电隧洞上平管段洞室开挖支护和运行荷载条件下的变形和应力进行了二维有限元计算,根据计算结果分析了不同荷载组合对洞室围岩稳定性的影响,并提出了相应的优化支护方案,对设计和施工具有一定的参考价值. 相似文献
563.
以国家标准检测方法为参照,对高效液相色谱法检测原料乳中三聚氰胺含量的三种前处理方法进行了比较,利用反相离子对色谱法,在离子对试剂缓冲盐溶液-乙腈=9∶1为流动相,1.0mL/min的流速,C18色谱柱,40℃柱温的条件下,使用配有紫外检测器的高效液相色谱仪在240nm范围内对目标组分进行分离和测定.通过加入三种不同沉淀剂的方法,对原料奶中的三聚氰胺进行提取,结果显示,方法一具有非常好的准确度和精密度,但整个操作过程非常复杂,耗时较长;方法二的沉淀效果较好,但试剂峰过高,基线波动较大;而方法三不仅沉淀效果好,准确度及精密度较佳,更在前处理时间及检测成本上具有明显优势,适用于原料奶中三聚氰胺的快速检测. 相似文献
564.
LED照明产品的广泛应用和技术的迅猛发展,给LED照明产业标准化工作提出了更高的要求。标准体系推进方案的缺失已成为制约广东省LED照明产业快速发展的瓶颈。本文从广东省LED照明产业发展实际需要出发,沿着《广东省LED照明产业发展技术路线图》研究路径,运用标准化路线图理论与方法,充分考虑标准化对象、标准化研究、标准化示范与试点、标准实施监督四方面问题,按时间和阶段进行规划,制定了广东省LED照明产业标准化路线图(包括总体路线图和产品路线图),符合LED照明产业发展需要,对于理清技术、产品、市场、应用与标准之间的关系,有序、有效地实施战略性新兴产业技术标准规划具有重要指导作用和意义。 相似文献
565.
LED照明产品的广泛应用和技术的迅猛发展,给LED照明产业标准化研究带来了新的机遇与挑战。本文从技术要求(包括:光通量维持率及寿命、初始光效、显色性)和测试方法(光衰测试方法)的角度对2008~2010年间我国发布的一些代表性国家、行业和地方道路照明用LED灯具标准进行了对比分析,得出如下结论:1)我国各地道路照明用LED灯具标准存在显著差异,急需统一的道路照明用LED灯具标准来有效规范整个行业的发展;2)LED照明技术的不断革新和进步推动着LED照明相关标准的不断更新和改进,已经有并即将有更多符合产业发展要求的标准被逐步推出。可以预见的是,道路照明用LED灯具标准将朝着统一规范化、细致化、全面化的方向发展。鉴于我国道路照明用LED灯具市场的特殊情况,该项标准的制定甚至可能优先于国际标准。 相似文献
566.
利用高分子共混物的自组装机理,将聚苯乙烯(polystyrene,PS)和聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate,PMMA)进行混合形成共混物,并进行微相分离和自组装,然后将共混物放置到超声装置中,利用超声波辅助,使自组装微粒直径和位置分布相对均匀,形成用于刻蚀微纳结构的微掩模。最后利用湿法腐蚀,在LED的GaP窗口层上制作出纳米结构的粗化层。通过SEM、显微镜手段,优化了刻蚀条件。测量了器件的光强、光功率以及I-V曲线,结果表明,使用高分子自组装进行粗化,可以在保持电压及波长特性的条件下,提高光输出功率19.3%。 相似文献
567.
MOCVD生长源流量对p型GaN薄膜特性影响的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上生长p型GaN:Mg薄膜,对不同二茂镁(CP2Mg)流量和Ⅴ族和Ⅲ族摩尔(Ⅴ/Ⅲ)比生长的p型GaN:Mg薄膜特性进行研究。研究表明,增加Ⅴ/Ⅲ比,可以降低螺旋位错密度,提高p型GaN晶体质量。当Ⅴ/Ⅲ比为3 800时,Cp2Mg流量最高为170sccm,获得p型GaN(002)面峰值半高宽(FWHM)最窄为232"。同时研究发现,单纯提高Ⅴ/Ⅲ比对降低刃型位错影响较不明显。 相似文献
568.
牛奶及乳制品营养丰富,容易消化吸收,人称“白色血液”,是最理想的天然食品.近年来我国乳业发展迅速,但与世界平均水平仍存在巨大的差距,制约我国乳业发展的一个重要原因就是乳糖不耐症.利用β-半乳糖苷酶对牛奶进行水解可生成易被人体吸收的葡萄糖、半乳糖及“双歧因子”低聚半乳糖,不仅能解决乳糖不耐症问题,还能增加牛奶的营养价值.在单因素初步试验的基础上,以低聚半乳糖合成率为响应指标,通过响应分析法对低乳糖水解工艺进行优化.结果表明,当反应温度为45.3℃、加酶量为2.5ml及反应时间为69.7min时,低聚半乳糖得率达到最大值6.15%.通过乳果糖试剂盒测定水解后低乳糖奶中乳果糖含量,平均含量为158.17mg/L. 相似文献
569.
作为气动红外探测器密封微电容检测腔的核心部件,要求敏感薄膜必须无孔,平整.浓硼硅腐蚀自停止技术制备超薄膜时,扩散前待扩硼区经常会存在各种表面微缺陷,导致扩硼后,再进行反向腐蚀形成的超薄膜会出现微腐蚀孔.利用小孔扩散模型和流体力学中小孔的热壅塞理论详细计算了缺陷的结构尺寸对缺陷底端局部硼浓度的影响.当缺陷半径r0<√(Dt),其底端的局部硼浓度会远远低于浓硼硅腐蚀自停止的临界浓度5×1019/cm3.,从而在下一步的反向腐蚀出膜过程中,表面有缺陷的扩硼区出现微腐蚀孔的几率大大增加.最后,针对膜区域出现的微腐蚀孔,提出了几种解决方案. 相似文献
570.