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用等离子体增强化学气、相沉积(PECVD)方法,以CH4和SiH4为反应气体,在低电极温度(180℃)条件下制备了碳化硅薄膜.实验结果表明,低电极温度条件下沉积参数(反应气体流量比、反应气体压力、射频功率)的变化对薄膜的沉积和性质影响较大.制得的薄膜均匀性良好,其化学组成Si/C在0.72-4.0之间,具有(5-9)×109dyn/cm2的压应力.红外光谱结果证明,随着薄膜化学成分的变化,薄膜的结构也改变。同氮化硅薄膜相比,制得的碳化硅薄膜具有良好的抗溶液腐蚀性. 相似文献
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