低噪声晶体管放大器的计算机优化设计

本文根据晶体管混合π噪声模型[1],应用计算机辅助设计的方法,对低噪声晶体管放大器进行了优化设计。解决了低噪声晶体管放大器的最佳工作点和最佳源电阻的计算问题。为低噪声晶体管放大器的设计提供了一种适用的方法。作者编制了供低噪声设计用的噪声程序,并将用该程序设计的结果与文献[1]中提供的晶体管噪声测试结果作了对比,证明本文提出的低噪声设计方法是正确的。     

N级微波四端网络的噪声参数计算

在Rn-Gn噪声模型基础上对五种联接形式(包括串联、并联、级联、串一并联和并-串联)的N级微波四端网络进行噪声分析，推导出描述整个N级网络与各子单元网络两外部相关噪声源关系的联接矩阵C。在C矩阵基础上，给出描述整个网络与子网络噪声参数之间关系的具体表达式，该表达式只与子网络噪声参数和传递函数有关。四端网络传递函数的应用使得分析过程和表达式都变得简化。实验证明该方法可以快速、准确计算N级微波四端网络的噪声参数。     

基于组合联接双微波二端口网络的噪声分析

大多数微波电路可以用一个二端口网络或者多个二端口网络相互联接的方法进行模拟和分析，二端口网络方法比节点分析法更加简洁，且便于快速计算。基于简单联接二端口网络的微波电路噪声分析并提取噪声参数有很重要的应用价值。本文将对两种组合联接的微波二端口网络进行噪声分析，并给出相应的结论。     

晶体管低频噪声模型参数的精确测量

本文针对目前使用的晶体管Ｅｎ－Ｉｎ噪声模型及其测量方法的不足之处，提出改进方案并给出了精确测量噪声模型参数的方法。     

半导体激光器光输出噪声测量及与电噪声的相关性

采用互谱估计方法测量了半导体激光器的微弱电噪声谱及光噪声谱。结果表明两者在超辐射区有较强的相关性。对光噪声的形成机理分析证明由载流子起伏形成的光噪声与电噪声完全相关，而由外量子效率起伏引起的光噪声与电噪声是不相关的。     

互功率谱参数谱估计的矩估计方法

互功率谱估计量谱估计领域里一个重霜分支。传统的互谱估计由于存在着谱估计方差大，谱分辨率低，谱窗泄漏及频率混叠等诸多弊病而极大地限制了它的应用，针对这一问题，本文首先从理论上证明了互相关函数的Ｙｕｌｅ－Ｗａｌｋｅｒ方程，并在此基础上提出了互功率谱的矩估计方法，文中还给出该方法的仿真实验结果。     

双极晶体管的1/f噪声参数f_L和γ的测量提取——噪声电流谱测量法

晶体管低频噪声主要是1/f噪声,其参数f_L和r的测出,不仅对低频低噪声设计,而且对于研究半导体噪声机理以及应用它来分析半导体内部缺陷或表面清洁处理情况都有着重要意义。本文给出了双极晶体管的1/f噪声参数的测量方法、系统及实例,获得了已有噪声测量系统所不能给出的参数。     

集成运算放大器的NF图测量

对于晶体管(场效应管)的低噪声设计,目前采用的方法是根据器件内部参数来计算最佳源电阻,最佳工作电流及信号工作频率。这种方法很难用于集成运算放大器的低噪声设计。因为对于集成运算放大器,不仅无法准确提取器件内部参数及噪声參数,而且噪声电路的计算也极为复杂。因此,其噪声系数图(NF图)及最佳工作参数的设计只能依据对E_n(f)及I_n(f)的测试来解决。本文提出了用FFT分析仪及计算机组成的噪声测试系统,来测量E_n(f)及I_n(f)。并编制了相应的应用软件,实现了对低噪声运算放大器的NF图计算,从而得到了器件工作在最佳噪声性能时的源电阻及信号工作频率。本文给出了对LFC3集成运算放大器的低噪声设计结果。     

线谱对参数的一步插值预测矢量量化

利用语音短时谱变化相对较慢、其邻近ＬＳＰ矢量存在充分相关这一特性，提出了一种新的谱编码方法，即ＬＳＰ编码的一步插值预测矢量量化，本设计了一个１８ｂｉｔ／ｆｒａｍｅ分裂矢量量化方案用于量化预测残差，当帧变化周期为３０ｍｓ时，平均谱失真仅为１．１７８ｄＢ。