全文获取类型
收费全文 | 3206篇 |
免费 | 184篇 |
国内免费 | 152篇 |
专业分类
电工技术 | 250篇 |
综合类 | 167篇 |
化学工业 | 301篇 |
金属工艺 | 163篇 |
机械仪表 | 192篇 |
建筑科学 | 587篇 |
矿业工程 | 145篇 |
能源动力 | 54篇 |
轻工业 | 439篇 |
水利工程 | 91篇 |
石油天然气 | 165篇 |
武器工业 | 21篇 |
无线电 | 285篇 |
一般工业技术 | 231篇 |
冶金工业 | 95篇 |
原子能技术 | 29篇 |
自动化技术 | 327篇 |
出版年
2024年 | 30篇 |
2023年 | 100篇 |
2022年 | 130篇 |
2021年 | 129篇 |
2020年 | 108篇 |
2019年 | 131篇 |
2018年 | 128篇 |
2017年 | 50篇 |
2016年 | 63篇 |
2015年 | 90篇 |
2014年 | 167篇 |
2013年 | 130篇 |
2012年 | 175篇 |
2011年 | 178篇 |
2010年 | 144篇 |
2009年 | 145篇 |
2008年 | 152篇 |
2007年 | 146篇 |
2006年 | 179篇 |
2005年 | 135篇 |
2004年 | 142篇 |
2003年 | 114篇 |
2002年 | 120篇 |
2001年 | 67篇 |
2000年 | 63篇 |
1999年 | 52篇 |
1998年 | 39篇 |
1997年 | 37篇 |
1996年 | 50篇 |
1995年 | 40篇 |
1994年 | 41篇 |
1993年 | 21篇 |
1992年 | 25篇 |
1991年 | 33篇 |
1990年 | 28篇 |
1989年 | 22篇 |
1988年 | 17篇 |
1987年 | 14篇 |
1986年 | 17篇 |
1985年 | 18篇 |
1984年 | 17篇 |
1983年 | 17篇 |
1982年 | 11篇 |
1981年 | 4篇 |
1980年 | 6篇 |
1979年 | 2篇 |
1964年 | 4篇 |
1959年 | 2篇 |
1958年 | 3篇 |
1956年 | 3篇 |
排序方式: 共有3542条查询结果,搜索用时 17 毫秒
71.
一、针织用纱的质量要求根据常州针织总厂生产银牌大红花牌弹力衫的实践经验,对针织用纱的质量要特别注意以下几个方面。 1.条干均匀、细节少,通过生产实际测定可知,针织用纱一般比原纱细20%,就有阴影出现,比原纱细35%以上,就有明显细节,比原纱细65~75%左右,就有明显的“一刀切”现象出现,因此针织用纱条干水平和减少细节比机织纱要求高,应满足针织布面水平达到阴影淡、少、小的要求; 相似文献
72.
提出场引晶体管双极理论.替代已55年久,1952 Shockley发明单极理论.解释近来双栅纳米硅MOS晶体管实验特性--两条电子和两条空穴表面沟道,同时并存.理算晶体管输出特性和转移特性,包括实用硅基及栅氧化层厚度.理算比较最近报道实验,利用硅FinFET,含(金属/硅)和(p/n)结,源和漏接触.实验支持双极理论.建议采用单管,实现CMOS倒相电路和SRAM存储电路. 相似文献
73.
74.
利用自制的场助热丝化学气相沉积设备,在不锈钢电极的部分选取表面上,摸索出了直接生长碳纳米管(CNT’s)勿须涂敷催化剂的新方法。利用得到的高定向多壁碳纳米管薄膜,研究出一种制造大面积实用碳纳米管阵列场发射(CNT’s/FEA)阴极的新方法。经真空条件下的发射特性测量及SEM等检测手段肯定了这种CNT’s/FEA阴极的实用性。从工艺流程角度出发,初步探讨了静态工作制式下,采用碳纳米管做电极后,实现一种全密封超薄碳纳米管玻璃真空字符(或图像)显示器件的可能性。10多只封离管共显示过3种类型的字型(图像),全部管厚仅为2.7mm。实验结果不仅提供了一种碳纳米管阴极在玻璃真空平板型器件内应用的方法,也摸索出了一条实现小尺寸双色(或多色)字符(图像)静态(或动态)显示的廉价、节能途径。 相似文献
75.
低频电噪声是表征电子器件质量和可靠性的敏感参数,通过测试低频噪声,可以快速、无损地实现光耦器件的可靠性评估。通过开展可靠性老化对光电耦合器低频噪声特性影响的试验研究,提出基于低频段宽频带噪声参数的光电耦合器可靠性筛选方法,并将可靠性筛选结果与点频噪声筛选方法结果进行对比分析。结果表明,与点频噪声参数等现有方法相比,宽频带噪声参数可以更灵敏和准确地表征器件可靠性,同时计算简便,基于宽频带噪声参数的光电耦合器可靠性筛选方法可以实现更为准确合理的可靠性分类筛选。 相似文献
76.
正Low-frequency and High-frequency Capacitance-Voltage(C-V) curves of Silicon Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors,showing electron and hole trapping at shallow-level dopant and deep-level generation-recombination -trapping impurities,are presented to illustrate the enhancement of the giant trapping capacitances by physical means via device and circuit designs,in contrast to chemical means via impurity characteristics previously reported.Enhancement is realized by masking the electron or/and hole storage capacitances to make the trapping capacitances dominant at the terminals.Device and materials properties used in the computed CV curves are selected to illustrate experimental realizations for fundamental trapping parameter characterizations and for electrical and optical signal processing applications. 相似文献
77.
在分析和讨论了通导设备AIS的发射技术的基础上,分别就时分多址、时域和频域层面说明信道的有限性和电磁辐射特性。然后针对船舶终端的只收不发的需求,提出三个解决方案。 相似文献
78.
音/视频技术是流媒体存储和传输的关键.结合当前流行的流媒体技术和VB程序设计,介绍了流媒体的播放和MPEG标准.针对不同的流媒体播放要求,研究了一个基于VB的流媒体播放系统. 相似文献
79.
80.
本文介绍有关高密度光纤带光缆应力特性的实验结果,实验用两种技术进行的:偏振模色散法和偏振光时域反射法,它们之间的相关性和从理论上得出的数据表明:在这样的光缆中,双折射部分是决定性的。 相似文献