不锈钢电阻点焊过程中的动态电阻变化规律分析

对利用自动数据采集技术获取的不锈钢点焊过程中的动态电阻信息进行系统研究.结果表明,不锈钢点焊过程中动态电阻能够灵敏且有规律地反映点焊工艺参数的变化,蕴含着丰富的点焊质量信息.焊接过程中动态电阻变化与熔核生长过程具有明显的对应关系,动态电阻曲线的拐点时间及终点值等特征量分别与熔核出现时间和最终熔核尺寸有很强的相关性.点焊过程喷溅会导致动态电阻骤降,其动态电阻变化率曲线在相应位置出现尖峰,为喷溅的自动识别提供了依据.     

一种湖泊分级分期旱限水位确定与动态控制方法

在抗旱领域,我国至今尚未建立起可用于抗旱应急管理工作的水位(流量)等干旱特征指标,水文报旱、旱情预警、抗旱会商、应急响应、水量调度等抗旱应急管理工作往往缺乏科学依据.在2011年水利部制定的《旱限水位(流量)确定办法》中,首次提出了旱限水位的概念,但没有具体针对湖泊制定旱限水位确定方法,且参照江河和水库旱限水位确定方法...     

结电容对光伏器件I-V特性测试的影响

I-V特性是表征光伏器件性能的重要指标,在用电压扫描方式对一些器件进行I-V测试时,会出现零偏压电流为正向电流的现象,本文通过分析结电容对光伏器件电流电压测试的影响,对这种现象进行了解释,根据对由IOOMΩ电阻和50pF电容搭建的并联电路进行的测量,得到测试系统电压变化速率为2.14V/s,从而推算出光伏器件结电容的大小近似为0.47pF.用电路仿真软件PSpice对该测试电路进行了仿真,得到的仿真结果与实验结果相符.     

基于分布式数据库的电力客户服务中心的研究与设计

提出一种基于分布式数据库技术在电力客户服务中心的解决方案,该方案可以实现远程联网管理及信息共享,这种异地数据业务的应用处理方案主要需要解决数据同步、数据共享、并行处理、数据传输等几个主要问题。通过在贵州电力系统中的实谅应用,证明了它的实用性与可行性。     

TiO2-SiO2/SiO2双层复合薄膜制备及折射率调控EI北大核心CSCD

采用溶胶-凝胶法制备了具有W型减反特性的Ti O2-SiO2/SiO2复合薄膜,并分别调控了TiO2及TiO2-SiO2混合介质薄膜折射率,探索了不同制备条件对TiO2薄膜折射率的影响机理。通过场发射扫描电子显微镜、能谱仪、椭偏仪、紫外–可见-红外分光光度计研究了薄膜微观结构、薄膜组分、折射率和光学透过率,通过TFcal软件模拟了双层复合薄膜的光学透过率线型。研究表明:溶胶pH值对TiO2薄膜折射率影响显著,其影响的前驱体水解速率对折射率的影响占主要作用,并且随着pH值的增大薄膜折射率减小,而水/钛比对薄膜折射率影响不显著。在TiO2与Si O2混合溶胶中两者物质的量比为1.2:1.0时,获得可用于制备双层复合W型减反膜系底层的薄膜,其椭偏仪拟合测试折射率约为1.68。最终制备的复合TiO2-SiO2/SiO2薄膜实现了光学宽谱范围380~1100 nm的优良增透效果,最大透过率可达约97%。     

含多重结构包覆载体技术的研究进展

概述了多重结构乳状液的结构类型、制备方法及其在药品、化妆品等领域的应用,综述了含多重结构的包覆载体,包括了脂质体、微胶囊和固体脂质纳米粒及其制备方法与研究现状,阐述了含多重结构的包覆载体的特性。     

浅议日本核电站隔震技术的研究和应用

隔震在民用建筑领域的应用越来越多,是减震抗灾的有效手段之一。中国核电站的厂址加速度比国外某些核电站的厂址加速度大,对于引进的核电站需要降低其地震响应。日本的地震活动比较活跃,在隔震方面的研究和应用比较多。日本在多年研究的基础上,选择了两种快堆核电站的三维隔震装置,制作缩比例模型完成振动台试验。试验结果表明两种隔震装置均适用于快堆核电站。     

甘蓝型油菜SSR核心引物研究

为了确定一组适用于品种纯度鉴定和遗传多样性分析的SSR核心引物,以100份具有代表性的甘蓝型油菜品种（系）为研究材料对746对SSR引物进行筛选,综合考虑PIC（平均多态信息量）值大小、引物重复性、扩增带型清晰度、连锁群分布等因素,确定44对引物为甘蓝型油菜核心引物,其中20对引物为首选核心引物,24对引物为备选核心引物。20对首选核心引物每对可检测到3~9个多态性位点,PIC值介于0.56~0.80,共检测到102个位点,分布于11个连锁群上。随机抽取1对核心引物对一个杂交组合大田制种F1纯度进行鉴定,其鉴定结果与田间自然鉴定结果一致,并可同时鉴别出来源于父本及外来的混杂单株。将44对核心引物应用于品种的系谱分析和100份品种遗传多样性聚类分析,同样得到了很好的验证结果。该套SSR核心引物适用于甘蓝型油菜品种鉴定及遗传多样性研究。     

功能性保健食品五味子的研究进展

综述五味子的营养价值、药理保健作用及其有效成分的提取、分离、测定方法,为在食品工业中进一步开发利用五味子提供参考。     

InGaN/GaN多量子阱LED的电特性研究

针对InGaN/GaN多量子阱LED,分析了占据能态高于势垒的载流子和低于势垒的载流子参与的电流输运机制,从而推导出对应能态电流输运机制下的电流-电压关系,以及理想因子与温度的变化规律.实验结果证实,在低注入强度下,由材料缺陷引入的深能级辅助隧穿输运机制占主导,电流电压特性符合相应的推导结果,随着注入强度的增大,参与扩散-复合输运机制的载流子逐渐增加,温度对输运机制的影响逐渐增大.