新型锥形双螺杆压缩机的结构和原理

介绍了一种全新结构的锥形双螺杆压缩机的工作原理、结构特点、几何理论、受力分析及优缺点,并推导了行程容积的计算公式.新型锥形双螺杆压缩机与圆柱形双螺杆压缩机相比,它的转子有一定的锥度,齿间面积沿压缩方向呈线性减小,能够有效增加压缩比,减小泄漏三角的面积和接触线的长度,减少泄漏量,使受力状况得到改善,并降低了功耗.     

超声制备形态控制的纳米材料

随着纳米科技的飞速发展,合成纳米材料的新方法层出不穷。由于在纳米材料合成中的特殊效应,超声化学法用于制备特殊功能的纳米材料引起了材料科学界的极大关注,并取得了显著的进展。本文介绍了超声化学法制备纳米材料的原理和合成形态的控制纳米材料。     

一种基于FPGA的数字逻辑分析仪的设计和实现

设计和实现了一种基于MCU FPGA的逻辑分析仪.该逻辑分析仪的逻辑信号门限电压可在0～5 V范围内按256级变化,精度达到0.01V.数字信号发生器能重复输出8路频率为100±0.5 Hz且可预置的循环移位逻辑信号序列.测试结果表明该系统稳定精确,操作简单、成本低等特点,具有广阔的应用前景.     

面向亚像元级积雪信息提取的MODIS影像波段融合方法研究

MODIS影像因其共享性和时间序列的完整性而成为大区域积雪监测研究广泛使用的数据源,进行MODIS影像波段间融合,能够为积雪研究提供较高分辨率的影像数据源。为了充分利用MODIS影像250 m分辨率波段的空间和光谱信息,提取亚像元级的积雪面积,使用两种具有高光谱保真度的影像融合方法：基于SFIM变换和基于小波变换的融合方法,采取不同的波段组合策略,对MODIS影像bands 1~2和bands 3~7进行融合,并以Landsat TM影像的积雪分类图作为“真值”,对融合后影像进行混合像元分解得到的积雪丰度图的精度进行评价。结果表明：利用基于SFIM变换和小波变换方法融合后影像提取的积雪分类图精度较高,数量精度为75%,比未融合影像积雪分类图的精度提高了6%,表明MODIS影像波段融合是一种提取高精度积雪信息的有效方法。     

基于MODIS雪产品的北半球积雪时空分布变化特征分析

利用最新发布的中分辨率成像光谱仪MODIS全球积雪8天合成数据MOD10C2和月合成数据MOD10CM,计算积雪面积及季累积积雪周数,分析北半球2001年～2011年积雪面积变化及时空分布特征。结果表明:北半球21世纪最初11年的积雪保持了20世纪的变化趋势,即积雪面积在秋夏两季减少而冬季增加,但在局部地区表现出新的变化特征,即积雪面积变化的异常区与1988年～1998年的有所差异:北美中西部和蒙古高原在两个时间段均是变化异常区,而青藏高原和欧洲阿尔卑斯山脉积雪在2001年～2011年变化不明显,哈萨克斯坦南部的图兰平原和里海北海岸地区是21世纪一个新的积雪变化异常区。     

无创血压监护仪质量与计量问题的探讨

无创血压监护仪这一高科技产品，既有血压计的功能，又有自动定时测量、数据存储以及报警等功能，因此被广泛用于医院的急诊室、手术室、ICU和CCU等部门，是临床诊断与监护危重病人血压的重要生理参数仪器。如何计量使用中的无创血压监护仪的血压示值误差，则是摆在计量部门面前的一个新的亟待解决的课题。正是看到无创血压监护仪在临床上的重要使用价值，北京市质量技术监督局不失时机地批准颁布了JJG(京)26-1998《无创血压(示波法)监护仪检定规程》。     

工艺设备是前提 稳定运行在管理——环保管理工作体会

深圳景丰电子有限公司是一九八七年经深圳市人民政府批准成立的中外合资企业,专业生产高密度双面印制电路板,注册资金为人民币117万元,原设计年产1万8千平方米双面板,89年后,随着生产的发展,产量增至年产4万平方米双面板,开业时设有的一套废水处理系统已不能满足需要,并困扰着企业的进一步发展。在资金困难的情况下,公司于90年再投入28万元人民币用于新建废水处理工程,在深圳市第     

整板镀金印制板上的热风整平工艺

印制电路板的可焊性是客户验货收货的重要指标。热风整平印制电路板以其可焊性好,波峰焊时阻焊剂表面不起皱脱落,外观悦人而受到电子设备组装厂的普遍采用。在整板镀金印制板上通过热风整平工艺而生产出符合客户要求的印制板,可简化生产工艺流程、减少环境污染及降低生产成本。本文介绍了在整扳镀金印制板上进行热风整平的工艺流程、工艺控制、影响该类印制板品质的因素及其改善措施。     

手动孔化生产线的管理

化学渡铜通孔是电路板生产的重要一环。目前国内许多中、小型厂家仍采用手动孔化生产线进行生产。手动孔化生产线较自动孔化生产线,在管理上有相似之处,更有其独特的地方。手动孔化生产线的管理,牵     

ZnO/SiC/Si(111)异质外延

使用SiC作为过渡层,采用自行设计建造的连通式双反应室高温MOCVD系统很好地克服了ZnO和SiC生长时的交叉污染问题,在Si基片上外延出高质量的ZnO薄膜.测量了样品的XRD和摇摆曲线,以及室温下的PL谱.实验结果表明,SiC过渡层的引入大大提高了ZnO薄膜的质量和发光性能,并有望实现在Si上制备ZnO单晶薄膜.