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以脉冲激光沉积法沉积制备了立方相负热膨胀ZrW1.5Mo0.5O8薄膜并利用X射线衍射仪(XRD)和场发射扫描电镜对其结构组分、表面形貌和厚度进行表征。采用变温XRD分析了ZrW1.5Mo0.5O8靶材和薄膜的负热膨胀特性。实验结果表明:在1080℃烧结6h制备得的立方相ZrW1.5Mo0.5O8陶瓷靶材,靶材具有较高的纯度和良好的负热膨胀性能,Mo离子掺入后,其α到β相转变温度降低,在30~600℃温度区间内,ZrW1.5Mo0.5O8陶瓷靶材的负热膨胀系数为-7.13×10-6K-1。利用该靶材在500℃时脉冲激光沉积的ZrW1.5Mo0.5O8薄膜为非晶态,薄膜表面平滑致密,厚度约为835nm;非晶膜在1180℃热处理7min后淬火得到立方相ZrW1.5Mo0.5O8薄膜;结晶后的ZrW1.5Mo0.5O8薄膜为多晶膜。在室温到600℃区间内,立方相ZrW1.5Mo0.5O8薄膜的热膨胀系数为-7.7×10-6K-1,α-ZrW1.5Mo0.5O8到β-ZrW1.5Mo0.5O8的相转变温度降至100℃以下。 相似文献
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93.
一类慢变周期结构光子晶体的能带特性研究 总被引:4,自引:0,他引:4
本文改造了一种周期厚度保持不变,但相邻周期内部高低折射率区的厚度发生缓慢变化的变周期结构的光子晶体,并对其光子能带特性进行了分析。研究发现,本文所提出的两端带有慢变结构的光子晶体能够有效地拓宽光子能带带隙,与均匀结构相比,拓宽率可以达到200%以上。 相似文献
94.
95.
96.
La、V掺杂对SrBi4Ti4O15性能影响对比研究 总被引:3,自引:0,他引:3
采用传统固相烧结工艺,制备了掺杂量分别为0.00~1.00、0.00~0.06的La、V掺杂SrBi4Ti4O15铁电陶瓷。X射线衍射结果显示,La、V对SrBi4Ti4O15的A、B位掺杂都未影响材料的晶体结构。A、B位掺杂均改善了材料的铁电性能。La掺杂量为0.25时,SBTi的剩余极化(2P1)增大50%,同时矫顽场(2Ec)下降了25%。少量的V取代SBTi的B位Ti离子后.2Ec虽无明显变化,但2P,却可增大近两倍.并且不影响材料的居里温度,而A位掺杂导致了材料的居里温度的明显下降。这与A、B位掺杂对材料晶格畸变程度的影响有关。 相似文献
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针对SPICE BSIM3模型在对大量应用于高压集成电路中的轻掺杂漏高压MOS(简称HV MOS)晶体管建模上的不足,提出了基于BSIM3的高压MOS晶体管I-V模型改进.研究中使用Agilent ICCAP测量系统对HVMOS晶体管进行数据采集,并分析其源漏电阻受栅源、源漏和衬底电压的影响及与标准工艺低压MOS晶体管的差异,针对BSIM3模型源代码中源漏电阻R ds的相关参数算法进行了改进,保留BSIM3v3原有参数的同时增加了R ds的二次栅压调制因子Prwg2和有效Vas参数δ的栅压调制因子δ1,δ2,在开放的SPICE和BSIM3v3源代码上对模型库文件进行修改并实现了优化.仿真结果表明采用改进后的模型,在ICCAP下的测量曲线与参数提取后的I-V仿真曲线十分吻合,该模型大大提高了BSIM3 I-V模型模拟HV MOS晶体管时的精确度,对于高压集成电路的设计与仿真有着极其重要的意义. 相似文献
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Gossip协议是P2P网络的一种流行的资源发现算法,但它没有考虑寻找最低成本的资源。论文提出了基于蚁群算法的新的资源发现算法,在查找资源的同时,综合考虑路径载荷、延时等因素,找到综合费用最低的路径。仿真实验表明,该算法比Dijkstra算法解集的平均综合费用低10%左右,从而能更有效地利用网络资源。 相似文献
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纸雕艺术是传承中华传统文化的重要组成内容,不但能够体现中华民族祖先巧夺天工的技艺,展现中华民族的精神追求和生活智慧,为我国传统艺术和文化实践、继承、发展提供丰富的素材,而且丰富了现代人的精神文化生活。基于此,文章通过对纸雕艺术与文创产品的概述,分析纸雕艺术对现代文创设计的价值,探讨了纸雕艺术在现代文创设计当中的有效应用,以期找出有效的融入途径,供业内人士参考。 相似文献
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