三苄基氯化锡的合成及结构表征

本论文报道了通过不同方法合成三苄基氯化锡,并对该化合物进行IR和1HNMR解析。通过4种方法的比较,发现运用以DMF为分散剂,加入I2和AlCl3为辅助催化试剂,镁粉为还原剂得到的三苄基氯化锡产率最高,达到95%,是有效合成三苄基氯化锡的方法适合于工业化生产。     

中国半导体工业现状及未来：来自国外的评论

中国半导体产业现状如何？未来又将如何？我们根据国外资料报道，以日本电子机械工业会、电子器件调查统计委员会的BIAJ调查团、美国新亚顾问公司（NEO）、美国Dataquest公司集成电路市场及发展战略研究咨讯委员会等有关专家的调查报告为上，综合介绍国外对我国半导体工业的现状和未来发展的看法。其中，有些数据、单位名称以及对某些问题的看法和观点，我们直意提供，仅供参考。一、中国半导体工业的发展概况中国半导体工业的发展历史悠久，是世界上最早从事研制半导体器件的国家之一。中国于50年代中期开始起步发展半导体技术。1956年…     

蜂蜜中果糖、葡萄糖、蔗糖的测定能力验证结果与分析

目的通过参加FAPAS 2826 蜂蜜中果糖、葡萄糖、蔗糖的测定能力验证,提高实验室对食品中果糖、葡萄糖、蔗糖的检测能力。方法 FAPAS 2826样品经水提取后,采用高效液相色谱法(high performance liquid chromatography, HPLC)进行检测,并通过多种质量控制措施对测定结果进行评价。结果 FAPAS 2826样品的果糖、葡萄糖和蔗糖测定结果分别为38.7 g/100 g、31.8 g/100 g和1.24 g/100 g; Z值分别为?0.3、1.1、0.4。结论实验检测能力评价为满意,表明本实验室蜂蜜中果糖、葡萄糖和蔗糖的定量测定能力较好。     

棒状二氧化钛纳米晶的制备及表征

以钛酸丁酯为前驱物,阴阳离子表面活性剂十二烷基苯磺酸钠（SDBS）/十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）复配形成囊泡溶液,制备棒状二氧化钛纳米晶.并用TEM,XRD,IR,UV-Vis等分析方法对制备的二氧化钛纳米晶进行表征.结果表明,制备的二氧化钛纳米晶尺寸在90-110 nm之间,二氧化钛纳米晶为锐钛矿相和金红石相,合成样品在紫外光下对活性艳红降解率为82.5％.     

大规模集成电路制作中的光刻技术——紫外线曝光和电子束曝光

本文从实用于大规模集成电路制备的观点出发,对紫外线光刻和电子束光刻图形制作工艺中的问题进行了综述。在紫外线光刻方面,对接触曝光和投影曝光的对比、图形对准精度和正性胶图形的缺陷进行了讨论;对电子束曝光亦进行了讨论,这里包括扫描电子束曝光系统的稳定性、绘图精度、电子束光刻胶特性及其在有掩模制备和芯片直接曝光方面的应用等问题。     

集成电路制造新技术—“自排列栅方式”

日本“富士通”公司最近研究了新的集成电路制造技术—“自排列栅方式”。实现了应用该方式的金属-氧化物-半导体场效应晶体管(集成电路、大规模集成电路)的产品化。     

用氧化物隔离法使STTL高性能化

本文研究了采用氧化物隔离工艺的高速低功耗肖特基晶体 管-晶体管 逻辑(TTL)电路。在此工艺中,晶体管被氧化物所包围着。特别是由于采用发射极的四个边中相对应的两边与氧化墙相邻接的隔离结构,所以能够缩小晶体管的尺寸,减小寄生电容。同时,由于采用了浅结结构,因而获得的电流增益·带宽乘积f_T为5千兆赫。电路方面,在原来的肖特基TTL电路基础上增加了一级放大,构成了三级结构。输入元件采用了二极管。因此,提高了电路的噪声容限。采用此工艺的肖特基电路系列的速度比以往的低功耗肖特基TTL电路快75％、功耗为标准肖特基TTL电路的1/4。     

阳极氧化法在金属布线工艺中的应用

在讨论半导体器件的电极布线时,从铝的导电性、加工性、与氧化层的粘附性、与硅的欧姆接触性等考虑,铝几乎是单一金属材料中最好的布线材料,因而它长时间以来占有重要地位。但是这种材料也附带有一些难以克服的缺点,即机械强度差、抗化学腐蚀性差,在布线上通电时,会引起电徙动和形成毛刺等。为了弥补这些缺点,以往试用过用低温生长的绝缘膜复盖腐蚀制作的铝布线的方法,由此克服了前一个缺点,但对后一缺点无所效用。我们发展了代替以前腐蚀工艺的新布线工艺,采用与以往不同的铝布线结构,不仅克服了上述缺点,还带来了更多的优点和应用。其中有显著效果的是铝的阳极氧化     

集成电路用的高电阻薄膜

大部分的薄膜电阻是将金属氧化物作为一种成分,再将该部分与其他金属进行多种组合形成的。从前,非常稳定的薄腹电阻开始是镍-铬电阻,但镍-铬电阻的缺点是其薄层电阻值低,最高只能获得200～250欧姆/□。当然对比此电阻率高的要求就不能满足了。因此,又研制出铬-一氧化硅系薄膜金属陶瓷电阻。此种薄膜金属陶瓷可以在真空中用电阻加热蒸发源蒸发,而且电阻率高、比较稳定。因此,即使是现在,在需要高阻的情形下,也经常用它。另外还对替代铬-一氧化硅的其他金属陶瓷电阻进行过多方面的研究,但各有优缺点。到目前为止,还尚未研制成完全满意的理想金属陶瓷。因此,本文将择述较有前途的薄膜电阻的情形。在衬底上涂敷金属陶瓷的方法有真空蒸发法、闪烁蒸发法和溅射法(直流溅射或射频溅射)等。本文将以此为中心加以阐述。     

0.4～0.25μm时代的半导体工艺技术

<正> 1 前言所谓0.4～0.5μm 时代,就 DRAM 而言,恰处于从64M 到256M 的过渡阶段。长期以来,DRAM被誉为半导体技术的“技术驱动器”。事实上它起到了这个作用。的确,以微细加工为中心,对半导体工艺技术中各领域保持着某种平衡、调节作用并驱动其它技术进展。但到0.5μm 时代,情形就开始稍有变化了。这反映了对半导体工艺技术中DRAM 定位时代性的变化。例如,从高速逻辑器件开始对布线技术就严格要求;对极薄介质膜要求近来成为闪烁存储器话题。