泵站输油管道振动原因及减振方法研究

在载流管道系统中,任何一个局部振动都会引起整个系统的振动,这些振动有的来源于流体的诱发振动.还有的来自装置的某些激励,当流体或机械的激振频率与管道系统的固有频率相接近时,会引发共振现象.针对太阳升泵站输油管网运行过程中出现的振动问题,结合现场测试结果,采用理论分析的方法找出其振动原因,并采用减振的方法,有效地将振动能量传递或消除掉,该方法的优点是结构体系不改变,经济投入又不高.     

基于SOAP协议的 Web Services 安全性扩展实现

通过对Web服务的架构进行分析,研究了建立安全性模型的基本途径。基于Web服务安全性模型的主体是SOAP的安全性,从而提出了对于SOAP进行安全扩展以达到信息安全交换的一种实现方法,该方法确保了网络服务的完整性和安全性,     

射频LDMOS电容特性研究

射频LDMOS由于具有高击穿电压、高线形、高增益、价格低廉等优势而成为手机基站中的核心射频功率放大器件,LDMOS的栅漏电容Cgd是决定截至频率的主要因素,研究他对射频LDMOS的设计具有重要的意义。通过使用二维器件模拟软件ISE,模拟并研究了射频LDMOS栅漏电容Cgd与栅源电压Vgd和漏源电压Vgs的关系;分析得到LDMOS独特电容特性的原因;得出了栅氧化层厚度、漂移区浓度、沟道区浓度参数对Cgd的影响,并验证了喙栅结构具有比普通结构更优异的射频特性。     

低压功率VDMOS的结构设计研究

对功率集成电路中耐压为60V,电流容量为2．5A的VDMOS进行了设计和仿真。在理论计算的基础上,分析了外延参数和单胞尺寸结构的设计优化方法。通过ISETCAD器件仿真软件,得出相关数据和终端结构,进而借助L-edit完成最终版图结构。     

LDMOS微波功率放大器分析与设计

在对晶体管绝对稳定性分析的基础上,根据负载牵引得到的晶体管的输入输出阻抗运用共轭匹配,成功设计出2级LDMOS微波功率放大器,P-1大于45 dBm,在1580～1650 MHz功率增益30 dB以上,PAE大于30%.同时,得到了最终的版图并且运用MOMENTUM对它进行了2.5D仿真,得到了理想的结果.     

长沟道圆柱围栅高K栅栈结构MOSFETs器件的直接隧穿电流解析模型

An analytical direct tunneling gate current model for cylindrical surrounding gate（CSG） MOSFETs with high-k gate stacks is developed. It is found that the direct tunneling gate current is a strong function of the gate＇s oxide thickness, but that it is less affected by the change in channel radius. It is also revealed that when the thickness of the equivalent oxide is constant, the thinner the first layer, the smaller the direct tunneling gate current.Moreover, it can be seen that the dielectric with a higher dielectric constant shows a lower tunneling current than expected. The accuracy of the analytical model is verified by the good agreement of its results with those obtained by the three-dimensional numerical device simulator ISE.     

宽带数字示波器

随着高速ＴＴＬ和ＣＭＯＳ集成电路的出现及计算机，通讯等事业的蓬勃发展，亚毫微秒上升，下降沿脉冲和正弦信号的测试已越来越普遍。以往，主要应用模拟示波器。不足的是这仲仪器带宽只到４００ＭＨｚ，因受到很大限制而不能满足现实需求。