Hot pressing of hydroxyapatite(HA)-Ti material and stability of HA

1　ＩＮＴＲＯＤＵＣＴＩＯＮＡｔｐｒｅｓｅｎｔ ,ｔｈｅｈｙｄｒｏｘｙａｐａｔｉｔｅ (ＨＡ )ａｎｄｔｈｅＨＡ ｂａｓｅｄｃｏｍｐｏｓｉｔｅｃａｎｎｏｔｂｅｕｓｅｄｆｏｒｈｅａｖｙｌｏａｄ ｂｅａｒｉｎｇａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓａｓｈａｒｄｔｉｓｓｕｅｒｅｐｌａｃｅｍｅｎｔｉｍ ｐｌａｎｔｓｂｅｃａｕｓｅｏｆｔｈｅｉｒｐｏｏｒｍｅｃｈａｎｉｃａｌｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ[1] .Ｏｎｔｈｅｏｔｈｅｒｈａｎｄ ,ｔｈｅＨＡｃｏａｔｉｎｇｓｕｓｅｄｔｏｉｍｐｒｏｖｅｔｈｅｓｕｒｆａｃｅｂｉｏａｃｔｉｖｉｔｙｏｆＴｉａ…     

基于ZnO纳米纤维的新型有机无机太阳电池

通过静电纺丝技术制备电子迁移能力高的N型ZnO纳米纤维,得到纳米点、纳米线、纳米带和纳米网等结构,对各结构的纳米纤维形貌进行表征和分析。将不同形态的N型ZnO纳米纤维和给体聚合物材料共混制备有机无机复合太阳电池,结构为FTO/ZnO nanofibers∶P3HT/MoO_3/Ag。发现只有纳米网状结构较适合此太阳电池的应用。经过电池工艺条件优化,此纳米纤维电池效率可达3%,成本较纯有机电池降低近50%。     

双坩埚LEC法砷化镓熔体流动与传热传质数值模拟

采用低雷诺数κ-ε湍流模型,模拟了双坩埚LEC法砷化镓熔体的流动与传热传质。分析了不同晶体转速、内坩埚转速、外坩埚转速条件下的熔体流动与传热,获得了考虑溶质分凝效应后的Si掺杂在砷化镓熔体中的分布。结果表明:随着晶体转速的增大,生长界面附近等温线更加平直且等温线密度增大;随着内坩埚转速的增大,生长界面附近等温线凸向熔体;外坩埚转速对生长界面等温线形状影响很小;Si在熔体中的质量浓度梯度除生长界面和补充熔体进口处较大外,主要集中在小管内及其附近。     

有间壁时坩埚内硅熔体动量和质量输运的数值模拟

采用低雷诺数κ-ε紊流模型,模拟了直拉法坩埚内加入间壁后硅熔体的流动和氧的输运情况。分析了不同的间壁长度、间壁位置、晶体转速、坩埚转速和温度边界条件对流场和浓度场的影响。结果表明:变化间壁的长度和位置,硅熔体流动有较大的变化;间壁的长度变短,熔体-晶体界面的氧浓度增加;增加间壁与坩埚中心轴的距离,熔体-晶体界面的氧浓度降低;增加晶体转速或坩埚转速能提高熔体-晶体界面氧浓度的径向分布均匀性;增加坩埚侧壁与熔体-晶体界面的温差,流动增强,熔体-晶体界面的氧浓度增大。     

基于CAN总线和组态技术的变电站监控系统

针对当前中小型变电站监控系统中存在的智能化、数字化程度不高和不便于远程控制等问题，利用CAN现场总线技术和组态监控技术，提出了一种低成本的变电站监控系统的构建方案。详细阐述了监控系统的软硬件设计。实践表明，该监控系统具有可靠性高、通信速度快、抗干扰能力强、组态灵活等优点，有着广泛的应用前景。     

EB-PVD制备YSZ涂层的氧空位和晶体学织构表征

为探索电子束物理气相沉积(EB-PVD)制备YSZ涂层的显微组织结构特征,采用大功率EB-PVD设备制备了20 μm厚的YSZ涂层.分别利用X射线荧光光谱(XRF)和X射线衍射(XRD)技术分析了涂层的化学成分和物相组成,并进一步采用X射线面探扫描技术对涂层的织构进行了表征.分析结果表明,涂层材料具有典型的立方萤石型结构,且表现出择优取向特征,空气气氛中1273 K退火前后XRD峰位的偏移以及退火后O元素沿断面的浓度分布均表明制备过程中在涂层的晶格内形成了额外的氧空位.     

一种抗微波干扰防腐蚀的温度传感器

目前在微波化学装置中所使用的温度传感器的抗干扰能力多是在低功率下才会有效的。但是如果微波功率达到10kW以上的时候,大部分的温度传感器就不能够胜任了。本文研究了一种基于Pt100铂电阻的温度传感器,它在10kW以上的微波场里的屏蔽衰减达到了100dB以上;能够直接与微波化学实验中的腐蚀性物料接触,而不会被腐蚀;并且它的成本远远低于现阶段同功能的温度传感器。填补了这一领域的空白。     

角焊缝中锐角焊脚尺寸测量方法

本文主要针对线型分段精细化施工所著,实现了线型分段焊缝尺寸全位置测量的目的,解决了以往无法测量角焊缝中锐角焊脚尺寸的难题。通过专用的凸轮式焊缝量规与经过详细计算的测量对照表结合的方式,来检测焊接外型尺寸。方法简单易操作,原理清晰易懂,具有很强的可推广性。     

ADP晶体的生长丘、台阶微观形貌及台阶棱边能

ADP晶体{100}面族生长的实时与非实时AFM(atomic force microscopy,AFM)研究表明,过饱和度σ处于0.005～0.04,生长温度介于293～313K之间时,晶面上观察到位错生长丘和其它晶体缺陷所形成的生长丘,晶面主要为台阶推进方式生长;位错生长丘上空洞的出现与位错弹性理论相符;随过饱和度σ降低,台阶形貌会发生相应变化;生长温度为298K时,台阶棱边能不小于6.2×10-7J/cm2.