铝电解多功能天车轨道接头磨损的机理分析

分析铝电解多功能天车轨道接头的受力情况、轮轨磨损机理和现场采集的数据照片,指出轨道经过碾压后的硬度变化以及氧化铝灰对天车轨道接头磨损的影响,提出相应措施.     

基于PCI-E总线高速数据传输卡的WDM驱动设计

针对自主设计的基于PCI-E总线高速数据传输卡设备,在64位Windows系统下采用WDM驱动模式设计实现该设备驱动程序。介绍了WDM驱动程序开发过程,主要包括硬件访问、DMA高速数据传输和MSI中断等内容。并对所设计驱动程序进行测试验证,结果表明,该驱动程序具有较高的传输效率和可靠性,可应用于高速数据传输卡设备,且该驱动程序也可移植到其他类似的数据传输设备中。     

Ta-2.5W合金再结晶退火工艺的研究

钽钨合金具有高密度、耐高温、强度高、化学稳定和加工性能好等特点,是航空航天、化学、核工业、高温技术等领域不可缺少的重要材料,具有很好的应用前景。通过研究Ta-2.5W合金的金相组织和力学性能,确定了Ta-2.5W合金的再结晶退火工艺:Ta-2.5W合金锻棒的再结晶退火工艺为1450℃×30min真空退火;Ta-2.5W合金锻棒经过单道次86%的冷变形以后,再结晶退火工艺为1400℃×30min真空退火。     

攀枝花铁矿钻孔岩芯XRF值与其物理力性质关系的研究

通过对外钻孔岩芯的ＸＲＦ值测量及岩芯的物理力学性质测试，探讨了两者之间的关系。     

RHEED振荡精确测量AlGaAs生长速率研究

采用分子束外延技术,在GaAs衬底上生长GaAs,AlAs和AlGaAs时,实现RHEED图像和RHEED强度振荡的实时监测已被证明是一种有效工具。通过RHEED可讨论GaAs表面结构和生长机制,并可以估算衬底温度,更重要的是能计算出材料的生长速率。RHEED强度振荡周期决定生长速率,每一个周期对应一个单层。实验测量GaAs的生长周期为0.82s,每秒沉积1.22单分子层,AlAs的生长周期为2.35s,每秒沉积0.43单分子层。     

精密对称驱动二级微动放大系统设计及性能

为获得具有较高运动精度、无寄生运动、放大比较大且可调的微动平台,基于直圆型柔性铰链的导向、传动原理及机构杠杆原理,设计出一种对称驱动且放大比可调的二级微动放大机构（设计放大比为1∶5）,并提出压电陶瓷致动器驱动微动放大机构的精密二级微动放大系统设计方案;分析微动机构驱动性能的导向原理及附加力平衡原理,并对微动二级放大机构的放大比进行理论计算;采用试验法分析系统微驱动器的驱动性能,并解析出其驱动方程;利用有限元法分析系统的强度、模态及运动性能。分析结果表明：系统的强度及模态性能符合要求,具有较高的运动精度（在运动行程内,理论计算与有限元分析最大绝对误差为6.27 μm、相对误差为8.36%）;所设计的精密对称驱动二级微动放大系统具有运动精度高、安全性强、放大比大且可调等优势。     

银膜换能元的喷墨打印及其性能表征

针对常用薄膜换能元的沉积和成型方法耗时长、成本高、材料利用率低等问题,采用喷墨打印制备了银膜换能元,并采用扫描电镜（SEM）和原子力学显微镜（AFM）对换能元形貌及厚度进行了表征,对银膜桥的发火性能进行了研究。结果表明,银膜换能元厚度为2.1μm,表面平整,在不同输入能量下存在电热、电爆两种情况。银膜桥更容易产生等离子体;蘸有斯蒂芬酸铅（LTNR）的银膜桥在47μF脉冲放电下50%发火电压为6.65 V,脚-脚间可以耐受25 kV静电放电（放电电容为500 pF,串联5 kΩ电阻）,可通过钝感电火工品1A1W5min测试。     

低压缸轴承的加工

黄桷庄电厂21号机组中低压缸5号轴承盖在1999年6月的大修中发现有裂纹和大量沙包,需要更换.根据图纸,该工件多项尺寸必须与汽缸本体配合加工.在理论上几乎不可能.黄桷庄电厂结合加工图纸和实地测量,打破常规利用电厂现有的一铸造坯件,采取新旧轴承盖合抱的特殊工艺方法完成了加工.     

衬底温度对氧化钛薄膜的光学常数影响

采用沈阳CK-3高真空磁控溅射薄膜沉积设备在K9玻璃衬底上分别制备了衬底温度为150℃、200℃和250℃的氧化钛薄膜。XRD分析显示这三种温度制备的薄膜由于制备温度不高均没有明显衍射峰,为非晶薄膜。薄膜的光学常数由德国SENTECH SE 850型光谱型椭偏仪对薄膜测试得到,测试波长为300 nm～800 nm,采用Cauchy模型对测试结果进行拟合。结果发现随着制备衬底温度的增大,薄膜的折射率n和消光系数k都随着增大。在衬底温度从150℃增大到250℃时,薄膜的光学带隙从3.46 eV减小到3.02 eV。