碳酸盐岩地层断裂结构特征及油气地质意义——以青州云门山地区下古生界断裂为例

为明确济阳坳陷下古生界碳酸盐岩地层断裂结构对油气成藏的控制作用,文中选取青州云门山地区碳酸盐岩露头断裂进行野外地质考察,利用岩心、野外露头、分析化验等资料,对碳酸盐岩地层断裂结构及其控藏作用进行系统研究,建立了多期方解石胶结、泥质充填和“三元”断裂结构,揭示了3种断裂结构差异化控藏作用。研究认为：多期方解石胶结断裂结构对油气具有垂向输导和横向封堵双重作用,控制油气沿大型油源断层两侧断块圈闭选择性成藏;泥质充填断裂结构对潜山油气成藏具有明显的封堵作用,控制油气在不同的断层-不整合油藏中大规模富集成藏;“三元”断裂结构具有破碎带和裂缝带输导、角砾岩带封堵的双重作用,控制油气主要沿油气来源方向的断层下盘呈梳状富集成藏。断裂结构差异化控藏模式将为济阳坳陷下古生界碳酸盐岩潜山油气勘探提供理论依据。     

贵州哲觉陆相二叠系一三叠系界线粘土岩的研究

黔西地区是一个海相、海陆交互相和陆相二叠系一三叠系剖面发育良好的地区，是研究海、陆相二叠系一三叠系界线及对比的理想地区。近几年来不少学者在该地区开展了陆相二叠系一三叠系界线综合地层学研究，在界线附近发现了多层粘土岩，并可与华南海相二叠系一三叠系界线粘土岩进行对     

激光清洁技术及其应用

介绍了一种新型材料加工技术———激光清洁技术。对其优点、作用机理和分类都进行了详细阐述,并分析了激光功率密度,脉冲数量,入射角和波长等因素对其清洁效果的影响。此外,还介绍了激光清洁的应用实例,结果表明:激光清洁的效果令人满意。     

区别对待 合作发展——谈“十大关系”之“基础业务与增值业务”

重庆市通信管理局局长苏少林在对电信市场“十大关系”的论述中提出，要正确把握和处理好基础业务与增值业务的关系。落实科学发展观，统筹考虑不同电信业务的协调发展。电信业务分为基础业务和增值业务。基础电信业务关系到国家安全、网络安全和国家通信资源的优化配管，在通信发展中起着固本的作用；增值电信业务，尤其是第     

Belden CDT推出防侵入式连接器

Belden CDT网络部近日宣布推出新的防侵入式Optimax LC现场安装光纤连接器家族。此防侵入式Optimax LC连接器属于Belden IBDN FiberExpress光纤布线解决方案的一部分，是对最近推出的FiberExpress防侵入式LC系统的一个重要的补充。对于要求整系统防侵入，并且可在现场可靠地安装光纤布线系统．Optimax LC连接器家族将满足其需要。     

高线性低电压低噪声放大器的设计

研究了一种具有高线性的CMOS低噪声放大器,其工作电压可以低于1V.在这个电路中,加一个工作在线性区的辅助MOS管以提高线性特性.仿真表明这种方法可以提高输入三阶交截点,其代价远小于传统方法为获得1dB线性度改善而必须增加1dB功耗的代价.为了降低该电路中的共栅PMOS管的有载输入阻抗,不使其源极处的电压增益过大而降低电路的线性特性,必须优化其尺寸.仿真使用的模型是TSMC 0.18μm射频CMOS工艺库,仿真工具是Cadence的SpectreRF.     

首个省级互联网交换中心在渝开通

重庆本地互联网资源互访困难的状况已成为历史。2004年2月6日，中国第一个省级本地互联网交换中心——重庆市互联网交换中心通过验收并开通。     

宽工作电压范围单电源CMOS误差放大器

采用0.8μm标准数字CMOS工艺(VTN0=0.836V,VTP0=0.930V),设计并流片验证了具有宽工作电压范围(3～6V),可作SOC系统动态电源管理芯片内部误差放大器应用的单电源CMOS运算放大器。该误差放大器芯核同时具有适合低电压工作,并对工艺参数变化不敏感的优点。对于相同的负载情况,在3V的工作电压下,开环电压增益AD=83.1dB,单位增益带宽GB=2.4MHz,相位裕量Φ=85.2°,电源抑制比PSRR=154.0dB,转换速率Sr=2.2V/μs;在6V工作电压下,AD=85.1dB,GB=2.4MHz,Φ=85.4°,PSRR=145.3dB,Sr=3.4V/μs。     

一种基于RLS算法的改进自适应算法DSRLS

在简要介绍RIS算法的基础上,从信道的角度分析该算法的不足并提出了改进算法—双边RLS算法(DSRLS)。对于该算法先从理论的角度进行仿真,从而证明该改进方法的有效性,然后推导出适合于工程的递推算法,并给出递推算法的仿真结果。仿真结果表明DSRLS算法比RLS算法在收敛后具有更好的收敛性能。     

高剂量Ge离子注入直接形成nc-Ge的研究

报道了分别采用剂量为1e1 6 ,1e1 7,5e 1 7和1e1 8cm- 2的高剂量Ge离子注入,不需退火即可在Si O2中直接形成Ge纳米晶的新现象.采用掠入射X射线衍射和激光喇曼谱等实验手段对样品进行了物相分析.结果表明,高剂量Ge离子注入可在SiO2 薄膜中直接形成Ge纳米晶(nc- Ge) ;非晶态Ge向晶态Ge发生相变的阈值剂量约为1e1 7cm- 2 ,离子注入直接形成的nc- Ge内部具有较大压应力,随着注入剂量的提高,nc- Ge的尺寸和含量均有提高.对纳米晶形成机理的研究认为,在Ge离子注入剂量达到阈值,此时膜中Ge非晶态团簇浓度达到饱和甚至过饱和,新入射的