a-Si双栅TFT对电泳显示器响应速度的改善

第一次提出了共栅极双栅结构用于不定形硅薄膜晶体管(a-SiTFTs)的像素结构,通过控制高源漏电压下的过大漏电流,解决有源矩阵电泳显示器(AM-EPD)响应速度慢的问题。文章通过与单栅a-SiTFTs的对比分析,预期到采用等沟道长度双栅结构将在保持开态电流基本不变的情况下有效减小关态漏电流。SPICE模拟结果证明,双栅结构使关态漏电流减小一倍左右。为了衡量该结构对缩短电泳显示器响应时间的作用,建立了响应时间t与漏电流Ioff之间的函数关系。通过Matlab模拟,证明双栅结构在漏电流为20pA时可将响应时间从380ms降至320ms;漏电流为35pA时可将响应时间从530ms降至360ms,帧频由2Hz提高到3Hz。根据建立的t-Ioff关系,指出降低电泳粒子半径和增大存储电容是进一步提高电泳显示器响应速度的关键。     

车床尾座体孔精镗专机的设计

详细阐述了如何设计尾座体孔的精镗专机．主要包括镗模部分、镗杆及刀具部分、镗杆与车床主轴的连接部分等，并介绍了设计时须注意的若干问题。     

HDDR各向异性钕铁硼磁粉研究及应用进展

吸氢-歧化-脱氢-再复合工艺(HDDR)是生产各向异性钕铁硼磁粉的有效方法,其制备的各向异性粘结磁体性能高,重量轻,在提高微特电机功效、减轻重量等方面发挥着重要作用,目前在汽车、无人机等领域已产业化应用。为了提高磁粉性能,科研人员仍不断探究HDDR工艺与各向异性机理,采用晶界扩散法优化磁粉晶界结构,提高磁粉矫顽力与温度稳定性,同时将上述成果应用到废旧烧结钕铁硼回收中,节约稀土资源。HDDR各向异性磁粉性能显著高于各向同性磁粉的,但形变塑性次之,研究者试图将其作为热变形磁体前驱原材料,进一步提升热变形磁体性能。HDDR工艺细化晶粒的效果为提高烧结钕铁硼矫顽力提供了一条新的研究途径,但目前还未获得理想的成果。本研究主要介绍近年来HDDR工艺与机理的发展以及其在稀土磁体回收、热变形磁体、烧结磁体等方面的应用情况。