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传统的光学诱饵构成复杂,装载要求较高,为此设计了具有较高反射性能的简单微结构的光学诱饵。首先,通过TracePro光学仿真软件,对玻璃微珠结构、截角角锥结构和立方角锥结构三种不同结构进行反射率的仿真,筛选出最符合光学诱饵高反射率要求的结构。然后,通过对不同尺寸单元微结构的反射仿真,确定光学诱饵的单元微结构尺寸。最后,通过对入射角度偏转对反射率影响的仿真,验证反射结构是否满足光学诱饵的要求。结果表明,立方角锥反射结构更符合光学诱饵的设计要求。 相似文献
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Ge基光电探测器具有独特的通信带宽响应特性和良好的CMOS工艺兼容性,在光电探测方面具有广阔的应用前景。但目前商用探测器的响应波段普遍局限在某一波段,难以满足多波段融合、小型化的探测需求。因此,通过在多层石墨烯和N型Ge之间引入薄的SiO2界面层,制备了基于石墨烯金属-绝缘层-半导体(MIS)结的光电探测器,分析了SiO2的厚度以及石墨烯层数对MIS结器件性能的影响,并测试了器件的光谱响应范围、电流-电压曲线、响应度、开关比等光电特性。结果表明,该器件在254~2200 nm波段内均有响应,在980 nm处的响应度和开关比达到峰值,分别为78.36 mA/W和1.74×103,上升时间和下降时间分别为1 ms和3 ms。 相似文献
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在激光损伤测量系统中,利用光散射法判别激光薄膜损伤,需要寻求光源和探测器之间的最佳位置。为此,在不同损伤激光脉冲能量、不同测量入射角度(0°,30°,45°,60°)和不同探测器距离(200,250 mm)条件下,研究了损伤点散射光能量的角分布。获得结果如下:在相同的探测角度上,散射光能量随着损伤面积和测试光入射角度增加而增加。在探测角度小于反射角度时,随着探测角度增加散射光能量逐渐变强;当探测角度大于反射角度后,随着散射角度增加散射光能量逐渐变弱。散射光相对能量在反射光方向附近出现极大值;在60°入射时,散射光相对能量具有最大值;探测距离在200 mm时,最大散射光相对能量大于探测距离在250 mm时。根据以上结论,可以确定在利用光散射判别损伤的测量系统中,探测器应放置在反射光方向的两侧,并且尽量增加测试光入射角度和缩小探测器与样片间距离。 相似文献
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降低DLC薄膜应力的方法研究 总被引:1,自引:0,他引:1
为了沉积出高硬度、低应力、高膜-基结合强度的类金刚石硬质薄膜,利用脉冲电弧离子镀技术在高速钢基底上制备类金刚石薄膜,采用退火、增加Ti过渡层、Ti离子轰击等方法减小DLC薄膜应力.结果表明:单层DLC薄膜的应力可达7.742 GPa;以Ti为过渡层的DLC薄膜的应力减小为2.027 GPa;对Ti/DLC薄膜进行退火热处理,薄膜应力减小到0.359GPa.利用Ti作过渡层,并且对薄膜进行退火处理,可以使DLC薄膜产生的高应力在Ti层中得到明显减小,提高膜-基结合力,增加硬度. 相似文献
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在类金刚石薄膜(DLC)光学特性的研究方面,主要工作集中在红外区光学特性,在可见区和紫外区光学特性研究方面存在空白;鉴于此详细研究了采用脉冲电弧沉积DLC薄膜在可见区和紫外区的光学特性。利用脉冲电弧离子镀技术,在石英基片上和不同工艺条件下制备了类金刚石薄膜,研究了类金刚石薄膜在紫外和可见区的光学常数、光学透过率和光学能隙。结果表明,主回路电压是薄膜的光学常数变化的主要影响因素,低主回路电压下制备的类金刚石薄膜具有较低消光系数和折射率;不同的工艺条件下制备的类金刚石折射率从2.56变化到1.89(波长400nm);沉积速率对薄膜的折射率和消光系数没有明显的影响;DLC薄膜的光学能隙在3.95eV左右;紫外区和可见区的透过率谱和椭偏仪测得的光学常数相互一致。 相似文献
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采用热蒸发及离子束辅助沉积技术制备了单层ZnS薄膜,研究了Si、Ge、K9及石英玻璃基材对薄膜沉积速率及光学特性的影响。采用椭偏法拟合了薄膜的厚度和折射率,分析了不同基材上沉积薄膜的色散特性。研究结果表明,薄膜的生长存在明显的基材效应,无论室温沉积、基温200℃,还是采用离子束辅助沉积,石英基材上均具有最高的沉积速率。室温沉积时,4种基材上薄膜的沉积速率差为3.3 nm/min,加热进一步扩大了这种差异(5.2 nm/min),而离子束辅助则在一定程度上缩小了这种差异(1.86 nm/min)。在室温下,石英基材上沉积的ZnS薄膜具有最低的折射率,其他几种基材上折射率差异不大。加热会使Si、Ge及K9玻璃上的折射率差异变大,与石英玻璃上薄膜折射率差异减小,离子源的使用则进一步缩小了这种差异。透射率光谱测试证实了这一结果。 相似文献
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纯钛铸件进行等离子渗氮、脉冲真空电弧离子镀TiN薄膜复合处理后,扫描电镜观察表面形貌,显微硬度仪测量硬度,球盘磨擦实验评估耐磨性。结果显示钛铸件渗氮、TiN镀膜复合处理后,表面呈现均匀明亮的金黄色,显微硬度和耐磨性均显著提高,且优于单纯镀TiN膜的钛铸件。此方法应用于口腔医学领域,对义齿钛支架进行表面改性处理,可提高其磨擦学性能,改善颜色。 相似文献
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采用水基溶液法制备铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZO-TFT),研究了在有无紫外光辅助退火条件下,不同后退火温度(270,300,330,360和400℃)对IGZO-TFT器件电学性能的影响。研究发现,IGZO-TFT在后退火温度为360℃时器件电学性能最佳,从而证明了水基溶液法在小于400℃的低温下可以制备IGZO-TFT。同时,研究表明,在后退火温度为360℃时,与无紫外光辅助退火IGZO-TFT相比,经紫外光辅助退火IGZO-TFT的饱和迁移率从1.19 cm2/Vs增加到1.62 cm2/Vs,正栅偏压偏移量从8.7 V降低至4.6 V,负栅偏压偏移量从-9.7 V降低至-4.4 V,从而证明了紫外光辅助退火对IGZO薄膜具有激活与钝化作用,可以优化IGZO-TFT器件的电学性能。 相似文献
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针对离子束对玉米、孔雀草和鲁冰花育种的影响,探讨了离子束育种的机理以及离子注入的特点.采用低能和高能离子束辐照玉米、孔雀草和鲁冰花,进行育种试验.玉米离子注入研究结果表明M1代发现矮化株和特健壮株.离子注入的单株孔雀草出现黄色的单瓣和彩色的重瓣.鲁冰花花期提前15天、叶子卷曲等变异. 相似文献