类金刚石薄膜光学特性的椭偏法研究

本文采用脉冲电弧离子镀的方法,在p型硅上沉积类金刚石薄膜,用椭偏法测试薄膜的光学常数.根据沉积方法的特点,建立一个四层结构的膜系,并由每一层的吸收情况合理选择色散关系;结合透过率的测试结果,利用光度法给测出薄膜折射率和厚度的估计值,作为椭偏法拟合的初值,拟合效果良好,得到薄膜的折射率、消光系数和几何厚度.     

基于S3C2410的嵌入式用户图形界面软件的设计

介绍了嵌入式微处理器S3C2410X及其相关显示模块TFT_LCD,包括S3C2410X与LCD的接口电路、LCD控制器及其特殊功能寄存器部分。详细分析了如何利用ARM9的LCD控制器进行LCD的驱动设计。在此基础上,将其与μC/GUI图形用户界面整合在一起,形成一个小巧实用的嵌入式软件开发平台。     

氮化铝薄膜的椭偏法研究

文章采用真空磁过滤电弧离子镀法在单晶Si(100)基片上成功制备了氮化铝(AlN)薄膜,并利用椭偏法对AlN膜进行了研究.根据沉积方法的特点,建立合适的膜系进行拟合,得到薄膜的折射率、消光系数和几何厚度;分析薄膜与基片之间的附着方式为简单附着,以及引起薄膜材料比块体材料折射率偏小的原因为:薄膜中含有空隙,Al/N不符合化学剂量比,薄膜表面形成了Al2O3钝化层.     

ZnS薄膜沉积过程的基材效应

采用热蒸发及离子束辅助沉积技术制备了单层ZnS薄膜,研究了Si、Ge、K9及石英玻璃基材对薄膜沉积速率及光学特性的影响。采用椭偏法拟合了薄膜的厚度和折射率,分析了不同基材上沉积薄膜的色散特性。研究结果表明,薄膜的生长存在明显的基材效应,无论室温沉积、基温200℃,还是采用离子束辅助沉积,石英基材上均具有最高的沉积速率。室温沉积时,4种基材上薄膜的沉积速率差为3.3 nm/min,加热进一步扩大了这种差异(5.2 nm/min),而离子束辅助则在一定程度上缩小了这种差异(1.86 nm/min)。在室温下,石英基材上沉积的ZnS薄膜具有最低的折射率,其他几种基材上折射率差异不大。加热会使Si、Ge及K9玻璃上的折射率差异变大,与石英玻璃上薄膜折射率差异减小,离子源的使用则进一步缩小了这种差异。透射率光谱测试证实了这一结果。     

等离子渗氮、离子镀TiN复合处理对纯钛铸件硬度及耐磨性的影响

纯钛铸件进行等离子渗氮、脉冲真空电弧离子镀TiN薄膜复合处理后,扫描电镜观察表面形貌,显微硬度仪测量硬度,球盘磨擦实验评估耐磨性。结果显示钛铸件渗氮、TiN镀膜复合处理后,表面呈现均匀明亮的金黄色,显微硬度和耐磨性均显著提高,且优于单纯镀TiN膜的钛铸件。此方法应用于口腔医学领域,对义齿钛支架进行表面改性处理,可提高其磨擦学性能,改善颜色。     

类金刚石薄膜的紫外可见区光学特性研究

在类金刚石薄膜（DLC）光学特性的研究方面,主要工作集中在红外区光学特性,在可见区和紫外区光学特性研究方面存在空白;鉴于此详细研究了采用脉冲电弧沉积DLC薄膜在可见区和紫外区的光学特性。利用脉冲电弧离子镀技术,在石英基片上和不同工艺条件下制备了类金刚石薄膜,研究了类金刚石薄膜在紫外和可见区的光学常数、光学透过率和光学能隙。结果表明,主回路电压是薄膜的光学常数变化的主要影响因素,低主回路电压下制备的类金刚石薄膜具有较低消光系数和折射率;不同的工艺条件下制备的类金刚石折射率从2．56变化到1．89（波长400nm）;沉积速率对薄膜的折射率和消光系数没有明显的影响;DLC薄膜的光学能隙在3．95eV左右;紫外区和可见区的透过率谱和椭偏仪测得的光学常数相互一致。     

降低DLC薄膜应力的方法研究

为了沉积出高硬度、低应力、高膜-基结合强度的类金刚石硬质薄膜,利用脉冲电弧离子镀技术在高速钢基底上制备类金刚石薄膜,采用退火、增加Ti过渡层、Ti离子轰击等方法减小DLC薄膜应力.结果表明:单层DLC薄膜的应力可达7.742 GPa;以Ti为过渡层的DLC薄膜的应力减小为2.027 GPa;对Ti/DLC薄膜进行退火热处理,薄膜应力减小到0.359GPa.利用Ti作过渡层,并且对薄膜进行退火处理,可以使DLC薄膜产生的高应力在Ti层中得到明显减小,提高膜-基结合力,增加硬度.     

水基溶液法IGZO-TFT的电学特性研究

采用水基溶液法制备铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZO-TFT),研究了在有无紫外光辅助退火条件下,不同后退火温度(270,300,330,360和400℃)对IGZO-TFT器件电学性能的影响。研究发现,IGZO-TFT在后退火温度为360℃时器件电学性能最佳,从而证明了水基溶液法在小于400℃的低温下可以制备IGZO-TFT。同时,研究表明,在后退火温度为360℃时,与无紫外光辅助退火IGZO-TFT相比,经紫外光辅助退火IGZO-TFT的饱和迁移率从1.19 cm²/Vs增加到1.62 cm²/Vs,正栅偏压偏移量从8.7 V降低至4.6 V,负栅偏压偏移量从-9.7 V降低至-4.4 V,从而证明了紫外光辅助退火对IGZO薄膜具有激活与钝化作用,可以优化IGZO-TFT器件的电学性能。     

20kV小电阻接地系统高灵敏性接地故障检测方法

20 kV电压等级配电网的建设逐渐成为我国大中型城市中压配电网的发展趋势之一.相比于10 kV配电网,20 kV配电网的线路更长,对地电容也更大,这大大增加了对高阻接地故障检测的难度.为此,首先对20 kV配电网的故障特性进行分析;从时域的角度推导线路零序电流及母线零序电压的约束关系,并分析故障线路和正常线路所对应的零...     

离子束在玉米、孔雀草和鲁冰花等育种中的应用

针对离子束对玉米、孔雀草和鲁冰花育种的影响,探讨了离子束育种的机理以及离子注入的特点.采用低能和高能离子束辐照玉米、孔雀草和鲁冰花,进行育种试验.玉米离子注入研究结果表明M1代发现矮化株和特健壮株.离子注入的单株孔雀草出现黄色的单瓣和彩色的重瓣.鲁冰花花期提前15天、叶子卷曲等变异.